公开(公告)号：KR101059174B1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：KR1020090007118

申请日：2009-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  가와사키테츠

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40

Abstract: (과제) 패턴 붕괴를 일으키는 일 없이, 레지스트 패턴을 슬림화하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지층(1)상에 레지스트층(3)을 형성하는 공정과, 레지스트층(3)에 가용층(3a) 및 불용층(3b)의 패턴으로 이루어지는 노광 패턴을 얻는 공정과, 노광 패턴이 형성된 레지스트층(3)으로부터 가용층(3a)을 제거하여, 레지스트 패턴(3c)을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴(3c)으로부터 중간 노광 영역(3d)을 제거하는 공정과, 중간 노광 영역(3d)이 제거된 레지스트 패턴(3c)에, 이 레지스트 패턴(3c)을 가용화시키는 가용화 물질을 발생시키는 반응 물질을 도입하여, 중간 노광 영역(3d)이 제거된 레지스트 패턴(3c)의 표면에 새로운 가용층(3e)을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴(3c)으로부터 새로운 가용층(3e)을 제거하는 공정을 구비한다.
하지층, 레지스트층, 가용화 물질

公开(公告)号：KR1020090093802A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020090007118

申请日：2009-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  가와사키테츠

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/092 ,  G03F7/405

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor apparatus, and system for processing application and development of resist are provided to reduce the manufacturing cost and improve throughput. The resist layer(3) is formed on the under layer(1). The exposure pattern consisting of the pattern of the disuse layer(3b) and insoluble layer(3a) is formed on the resist layer. The insoluble layer is removed from the resist layer to form the resist pattern(3c). The middle exposure region(3d) is removed from the resist pattern. The new insoluble layer(3e) is formed in the surface of the resist pattern in which reactant is introduced. The new insoluble layer is removed from the resist pattern.

Abstract translation: 提供一种制造半导体装置的方法以及用于处理抗蚀剂的应用和开发的系统，以降低制造成本并提高生产量。 抗蚀剂层（3）形成在下层（1）上。 在抗蚀剂层上形成由废用层（3b）和不溶层（3a）的图案组成的曝光图案。 从抗蚀剂层除去不溶层以形成抗蚀剂图案（3c）。 中间曝光区域（3d）从抗蚀剂图案中去除。 在其中引入反应物的抗蚀剂图案的表面中形成新的不溶层（3e）。 从抗蚀剂图案中除去新的不溶层。