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    플라즈마 처리 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR1020110028461A

    公开(公告)日：2011-03-18

    申请号：KR1020107028917

    申请日：2009-06-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  가토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  다카이카즈토

    IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

    Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 그 내부에서 피(被)처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기(12)와, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(14)와, 보지대(14)와 대향하는 위치에 설치되고, 마이크로파를 처리 용기(12) 내에 도입하는 유전체판(16)과, 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 여기에서, 반응 가스 공급부(13)는, 보지대(14)와 대향하는 대향면이 되는 유전체판(16)의 하면(63)보다도 유전체판(16)의 내방측의 후퇴한 위치에 배치되는 인젝터 베이스(61)를 포함한다. 인젝터 베이스(61)에는, 플라즈마 처리용의 반응 가스를 처리 용기(12) 내에 공급하는 공급 구멍(66)이 형성되어 있다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置11具备：对处理容器11内的被处理基板W和处理容器12内的处理容器12进行等离子体处理的处理容器12; 设置在与保持基座14相对的位置并向处理容器12中引入微波的电介质板16和保持在保持基座14上的电介质板16 以及反应气体供应单元13，用于向要处理的基板W的中心区域供应用于等离子体处理的反应气体。 反应气体供给部13相对于电介质板16的与保持板14相对的下表面63配置在电介质板16的内侧的后方位置， 和一个基地61。 在喷射器基座61上形成有用于向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体的供给孔66。

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