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    플라즈마 처리 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020090086356A

    公开(公告)日：2009-08-12

    申请号：KR1020090009977

    申请日：2009-02-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

    IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

    CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

    Abstract: A plasma processing apparatus is provided to improve plasma ignition and ignition stability by arranging a slot to a vertical top direction of a tilted surface. A plasma processing apparatus(11) includes a processing vessel(12) having a top opening, a dielectric(15), and an antenna(24). The dielectric has a tilted surface, and is arranged in order to close the top opening of the processing vessel. The tilted surface is tilted in order to consecutively change a thickness size of a bottom surface. The antenna is arranged on a top surface of the dielectric. The antenna generates plasma on the bottom surface of the dielectric by supplying a microwave to the dielectric. The antenna has a plurality of slots positioned in a vertical top direction of the tilted surface.

    Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于通过将倾斜表面的垂直顶部方向布置成槽来改善等离子体点火和点火稳定性。 等离子体处理装置（11）包括具有顶部开口的处理容器（12），电介质（15）和天线（24）。 电介质具有倾斜表面，并且被布置成封闭处理容器的顶部开口。 倾斜的表面倾斜以连续地改变底面的厚度尺寸。 天线布置在电介质的顶表面上。 天线通过向电介质提供微波在电介质的底表面上产生等离子体。 天线具有位于倾斜表面的垂直顶部方向上的多个狭槽。

    플라즈마 처리 장치
    2.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR1020110028461A

    公开(公告)日：2011-03-18

    申请号：KR1020107028917

    申请日：2009-06-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  가토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  다카이카즈토

    IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

    Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 그 내부에서 피(被)처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기(12)와, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(14)와, 보지대(14)와 대향하는 위치에 설치되고, 마이크로파를 처리 용기(12) 내에 도입하는 유전체판(16)과, 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 여기에서, 반응 가스 공급부(13)는, 보지대(14)와 대향하는 대향면이 되는 유전체판(16)의 하면(63)보다도 유전체판(16)의 내방측의 후퇴한 위치에 배치되는 인젝터 베이스(61)를 포함한다. 인젝터 베이스(61)에는, 플라즈마 처리용의 반응 가스를 처리 용기(12) 내에 공급하는 공급 구멍(66)이 형성되어 있다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置11具备：对处理容器11内的被处理基板W和处理容器12内的处理容器12进行等离子体处理的处理容器12; 设置在与保持基座14相对的位置并向处理容器12中引入微波的电介质板16和保持在保持基座14上的电介质板16 以及反应气体供应单元13，用于向要处理的基板W的中心区域供应用于等离子体处理的反应气体。 反应气体供给部13相对于电介质板16的与保持板14相对的下表面63配置在电介质板16的内侧的后方位置， 和一个基地61。 在喷射器基座61上形成有用于向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体的供给孔66。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    4.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    等离子处理装置和等离子处理方法

    公开(公告)号：KR1020100102203A

    公开(公告)日：2010-09-20

    申请号：KR1020107017481

    申请日：2009-02-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  사사키마사루

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

    Abstract: 처리 용기(2)의 서셉터(3)와 대향하는 천장면에 유전체판(20)을 설치하고, 유전체판(20)의 상면에는 마이크로파를 투과시키는 복수의 슬롯(33)을 가지는 슬롯 안테나(30)를 설치하고, 유전체판(20)의 하면 주연부에, 유전체판(20)과는 별도의 부재로 구성되어 있고 이상 방전을 방지하는 돌기 부재(21)를 구비한다. 돌기 부재(21)의 원통부의 외주면(22)과 처리 용기(2)의 측벽 내주면(5a)과의 간극 또는 돌기 부재(21)의 원통부의 두께를 조정함으로써 유전체판(20) 주변부에서의 전계 강도를 제어한다.

    Abstract translation: 在与处理容器2的基座3相对的天花板面上设置有电介质板20，在电介质板20的上表面设有具有多个微波传输用的缝隙33的缝隙天线30 并且，在电介质板20的下表面的周缘设置有由与电介质板20分体的部件形成并防止异常放电的突起部件21。 突出部件21的圆筒部的外周面22与处理容器2的侧壁的内周面5a或突出部件21的圆筒部的厚度之间的间隙被调整， 控制。

    플라즈마 처리 장치
    6.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101094976B1

    公开(公告)日：2011-12-20

    申请号：KR1020090009977

    申请日：2009-02-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

    IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

    Abstract: 유전체와 슬롯과의 위치 관계를 규정하고, 재질에 따른 천판의 최적의 형상을 규정함으로써, 플라즈마 발화성 및 발화 안정성이 보다 우수한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 두께 치수가 연속적으로 변화되도록 기울어진 경사면(16a, 16b)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)의 상면에 배치되고, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하여 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 안테나(24)는 경사면(16a, 16b)의 수직 상방에 위치하는 복수의 슬롯(25)을 갖는다. 또한, 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 링 형상의 홈(16)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하고, 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 광속을 c, 마이크로파의 주파수를 f, 유전체(15)를 구성하는 재료의 비유전율을 εr로 하면, 홈의 홈 폭(w)은 [수식 1]을 충족시킨다.
    [수식 1]

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