公开(公告)号：KR102000802B1

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：KR1020147012408

申请日：2012-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  시케이디 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  다부치아츠히코 ,  와카이히데키 ,  이토가즈토시 ,  히로세야스히사 ,  니시카와게이이치 ,  미나타니다카히로

IPC: G05D23/19

公开(公告)号：KR1020120140629A

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020120066637

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  미우라카즈유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to improve the thermal efficiency of a chamber by preventing heat radiation using an insulation part. CONSTITUTION: A processing container(2) partitions a processing space and includes a top side(2a). A holder(3) is installed in the processing space. A top electrode is installed in an upper direction of the holder to face the holder. A heater(35) heats the top electrode and is installed around the top electrode and on the lower side of the top side. An insulation member(50) is mounted on the top side and includes a planar part and an insulation part installed on the main side of the planar part. [Reference numerals] (11) Exhaust device; (26) Process gas supply unit; (39) Preheat gas supply unit; (40) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置，以通过防止使用绝缘部件的散热来改善腔室的热效率。 构成：处理容器（2）分隔处理空间并包括顶侧（2a）。 支架（3）安装在处理空间中。 顶部电极安装在保持器的上方以面对支架。 加热器（35）加热顶部电极并且安装在顶部电极周围以及顶部侧的下侧。 绝缘构件（50）安装在顶侧，并且包括平面部分和安装在平面部分的主侧上的绝缘部分。 （附图标记）（11）排气装置; （26）工艺气体供应单元; （39）预热供气装置; （40）控制单元

公开(公告)号：KR1020150045906A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：KR1020140142632

申请日：2014-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도호쿠 세이미츠 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  아키야마신지 ,  안도우스우이치 ,  고스가가츠히로 ,  야마모토다카히로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B01D46/0023 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: [과제] 기체류에포함되는반응생성물을효율적으로제거하는것. [해결수단] 트랩장치는, 공간을갖는제1 통형부재와, 공간에착탈이자유롭게배치되며기체류를유입시키는상류측개구와, 상류측개구로부터유입되는기체류를유출시키는하류측개구를갖는제2 통형부재와, 하류측개구를막도록제2 통형부재의내부에배치된하류측트랩부재와, 하류측트랩부재와제2 통형부재의상류측개구사이에배치되며, 하류측트랩부재에근접하는방향으로움푹파인오목부를갖는상류측트랩부재를구비했다.

Abstract translation: 本发明的目的是有效地除去气体组中包含的反应产物。 捕集装置包括：具有空间的第一管状构件，可自由地从该空间分离并供给气体组的上游开口，具有排出从上游供给的气体组的下游开口的第二管状构件 打开，设置在第二管状构件中以关闭下游开口的下游捕获构件和布置在下游捕获构件和第二管状构件的上游开口之间的上游捕获构件，并且具有 凹部形成在下游捕获部件的方向上。

公开(公告)号：KR1020140089536A

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：KR1020147012408

申请日：2012-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  시케이디 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  다부치아츠히코 ,  와카이히데키 ,  이토가즈토시 ,  히로세야스히사 ,  니시카와게이이치 ,  미나타니다카히로

IPC: G05D23/19

CPC classification number: H01L21/67103 ,  G05D23/1934 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 제1 온도의 액체를 저장하는 제1 온도 조절 유닛, 제1 온도보다 높은 제2 온도의 액체를 저장하는 제2 온도 조절 유닛, 제1 온도 조절 유닛으로부터의 유체를 흘리는 저온 유로(76), 제2 온도 조절 유닛으로부터의 유체를 흘리는 고온 유로(77), 유체를 순환시키는 바이패스 유로(73), 합류부(PA)에서 저온 유로, 고온 유로 및 바이패스 유로의 3유로로부터 합류한 유체를 흘리는 결합 유로(71), 결합 유로로부터 유체를 흘리고, 반도체 제조 장치(100)에 이용되는 부재를 냉각 또는 가열하는 조온부(70), 합류부의 상류측에서 상기 3유로에 부착된 가변 밸브(79)의 밸브 개방도를 제어하여, 상기 3유로의 유량 분배 비율을 조정하는 제어 장치(90)를 갖는 온도 제어 시스템(1)이 제공된다.

公开(公告)号：KR101893938B1

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020120066637

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  미우라카즈유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532

Abstract: 소비전력을억제할수 있는반도체제조장치를제공한다. 반도체제조장치(1)는, 처리공간(S)을구획하여형성하는처리용기(2)로서, 상면(2a)을가지는상기처리용기(2)와, 처리공간(S) 내에설치된재치대(3)와, 재치대(3)와대면하도록상기재치대의상방에설치된상부전극(20)과, 상부전극(20)을가열하는히터(35, 36)로서, 상부전극(20)의주위또한상면(2a)의하방에설치된상기히터(35, 36)와, 상면(2a)에탑재되는단열부재(50)를구비하고, 단열부재(50)는, 판상부(51)와, 당해판상부(51)의일방의주면(51a)측에설치되는단열부(52)를포함한다.