公开(公告)号：KR1020080003940A

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：KR1020077029435

申请日：2004-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  기무라고이치로 ,  이케다교코 ,  사코다도모유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455

Abstract: A shower head (40) formed by stacking a shower base (41), a gas diffusion plate (42), and a shower plate (43) and supplying material gas and oxidizer gas to a wafer W on a loading table (5) through a first gas diffusion part (42a) and a second gas diffusion part (42b) formed in both faces of the gas diffusion plate (42), first gas outlets (43a) formed in the shower plate (43) and communicating with a first gas diffusion space (42c), and second gas outlets (43b) formed in the shower plate (43) and communicating with a second gas diffusion space (42d). A plurality of heat transfer columns (42e) fitted closely to the lower surface of the shower base (41) are installed in the first gas diffusion part (42a) so that portions therebetween can form the first gas diffusion space (42c), and radiant heat from the loading table (5) is transmitted by the heat transfer columns (42e) in the thickness direction of the shower head (40).

Abstract translation: 一种淋浴头（40），其通过层叠淋浴器基座（41），气体扩散板（42）和喷淋板（43）而形成，并将材料气体和氧化剂气体供应到装载台（5）上的晶片W 形成在气体扩散板（42）的两面的第一气体扩散部（42a）和第二气体扩散部（42b），形成在喷淋板（43）中的第一气体出口（43a），与第一气体 扩散空间（42c）和形成在喷淋板（43）中并与第二气体扩散空间（42d）连通的第二气体出口（43b）。 在第一气体扩散部（42a）中安装有与淋浴器基座（41）的下表面紧密配合的多个传热塔（42e），从而能够形成第一气体扩散空间（42c） 来自装载台（5）的热量通过传热塔（42e）在喷头（40）的厚度方向上传递。

公开(公告)号：KR101893938B1

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020120066637

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  미우라카즈유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532

Abstract: 소비전력을억제할수 있는반도체제조장치를제공한다. 반도체제조장치(1)는, 처리공간(S)을구획하여형성하는처리용기(2)로서, 상면(2a)을가지는상기처리용기(2)와, 처리공간(S) 내에설치된재치대(3)와, 재치대(3)와대면하도록상기재치대의상방에설치된상부전극(20)과, 상부전극(20)을가열하는히터(35, 36)로서, 상부전극(20)의주위또한상면(2a)의하방에설치된상기히터(35, 36)와, 상면(2a)에탑재되는단열부재(50)를구비하고, 단열부재(50)는, 판상부(51)와, 당해판상부(51)의일방의주면(51a)측에설치되는단열부(52)를포함한다.

公开(公告)号：KR1020060064067A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020067004393

申请日：2004-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  기무라고이치로 ,  이케다교코 ,  사코다도모유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455

Abstract: A shower head (40) formed by stacking a shower base (41), a gas diffusion plate (42), and a shower plate (43) and supplying material gas and oxidizer gas to a wafer W on a loading table (5) through a first gas diffusion part (42a) and a second gas diffusion part (42b) formed in both faces of the gas diffusion plate (42), first gas outlets (43a) formed in the shower plate (43) and communicating with a first gas diffusion space (42c), and second gas outlets (43b) formed in the shower plate (43) and communicating with a second gas diffusion space (42d). A plurality of heat transfer columns (42e) fitted closely to the lower surface of the shower base (41) are installed in the first gas diffusion part (42a) so that portions therebetween can form the first gas diffusion space (42c), and radiant heat from the loading table (5) is transmitted by the heat transfer columns (42e) in the thickness direction of the shower head (40).

Abstract translation: 一种淋浴头（40），其通过层叠淋浴器基座（41），气体扩散板（42）和喷淋板（43）而形成，并将材料气体和氧化剂气体供应到装载台（5）上的晶片W 形成在气体扩散板（42）的两面的第一气体扩散部（42a）和第二气体扩散部（42b），形成在喷淋板（43）中的第一气体出口（43a），与第一气体 扩散空间（42c）和形成在喷淋板（43）中并与第二气体扩散空间（42d）连通的第二气体出口（43b）。 在第一气体扩散部（42a）中安装有与淋浴器基座（41）的下表面紧密配合的多个传热塔（42e），从而能够形成第一气体扩散空间（42c） 来自装载台（5）的热量通过传热塔（42e）在喷头（40）的厚度方向上传递。

公开(公告)号：KR100896833B1

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：KR1020077008705

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로아키라 ,  이이즈카하치시로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  G01F23/2962 ,  G01F23/2968 ,  Y10T137/2931

Abstract: 반도체 제조 장치는 액체 재료를 수용하는 용기(Xb, Ab, Bb, Cb)를 포함하고, 해당 용기로부터 상기 액체 재료를 공급하는 액체 재료 공급부와, 상기 액체 재료 공급부에 의해 공급된 상기 액체 재료를 기화시켜서 가스를 생성하는 액체 기화부와, 상기 액체 기화부로부터 공급되는 상기 가스를 이용하여 성막 처리를 실행하는 처리부와, 상기 처리부를 배기하는 배기부와, 상기 용기의 바닥부에 배치되고, 상기 액체 재료의 액위를 음파에 의해 검출하는 액위 검출기(Xs, As, Bs, Cs)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100868115B1

公开(公告)日：2008-11-10

申请号：KR1020077003361

申请日：2005-08-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  야스무로아키라 ,  기무라고이치로 ,  츠지노리히코

IPC: H01L21/203

Abstract: 액체 혹은 기액 혼합물로 구성되는 원료를 공급하는 원료 공급부와, 원료를 기화해서 원료 가스를 생성하는 원료 기화부와, 생성된 원료 가스를 이용하여 성막 처리를 실행하는 성막부를 갖는 성막 장치에 있어서, 원료 기화부에서 성막부의 도입 부분에 이르는 원료 가스의 수송 경로의 도중에 필터(153)가 배치된다. 필터(153)의 바깥가장자리(153a)는 가압 방향의 부하에 대해 상기 바깥가장자리(153a)보다도 잘 변형되지 않는 환상의 지지부재(158)에 의해, 그 전체 둘레에 걸쳐서 수송 경로의 내면에 대해 눌려지며, 수송 경로의 내면과 지지부재(158)의 사이에서 압축된 상태로 수송 경로의 내면에 고정된다.

公开(公告)号：KR1020070052354A

公开(公告)日：2007-05-21

申请号：KR1020077008705

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로아키라 ,  이이즈카하치시로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  G01F23/2962 ,  G01F23/2968 ,  Y10T137/2931

Abstract: 반도체 제조 장치는 액체 재료를 수용하는 용기(Xb, Ab, Bb, Cb)를 포함하고, 해당 용기로부터 상기 액체 재료를 공급하는 액체 재료 공급부와, 상기 액체 재료 공급부에 의해 공급된 상기 액체 재료를 기화시켜서 가스를 생성하는 액체 기화부와, 상기 액체 기화부로부터 공급되는 상기 가스를 이용하여 성막 처리를 실행하는 처리부와, 상기 처리부를 배기하는 배기부와, 상기 용기의 바닥부에 배치되고, 상기 액체 재료의 액위를 음파에 의해 검출하는 액위 검출기(Xs, As, Bs, Cs)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070031451A

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020077003361

申请日：2005-08-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  야스무로아키라 ,  기무라고이치로 ,  츠지노리히코

IPC: H01L21/203

Abstract: 액체 혹은 기액 혼합물로 구성되는 원료를 공급하는 원료 공급부와, 원료를 기화해서 원료 가스를 생성하는 원료 기화부와, 생성된 원료 가스를 이용하여 성막 처리를 실행하는 성막부를 갖는 성막 장치에 있어서, 원료 기화부에서 성막부의 도입 부분에 이르는 원료 가스의 수송 경로의 도중에 필터(153)가 배치된다. 필터(153)의 바깥가장자리(153a)는 가압 방향의 부하에 대해 상기 바깥가장자리(153a)보다도 잘 변형되지 않는 환상의 지지부재(158)에 의해, 그 전체 둘레에 걸쳐서 수송 경로의 내면에 대해 눌려지며, 수송 경로의 내면과 지지부재(158)의 사이에서 압축된 상태로 수송 경로의 내면에 고정된다.

公开(公告)号：KR1020120140629A

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020120066637

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시아츠시 ,  미우라카즈유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to improve the thermal efficiency of a chamber by preventing heat radiation using an insulation part. CONSTITUTION: A processing container(2) partitions a processing space and includes a top side(2a). A holder(3) is installed in the processing space. A top electrode is installed in an upper direction of the holder to face the holder. A heater(35) heats the top electrode and is installed around the top electrode and on the lower side of the top side. An insulation member(50) is mounted on the top side and includes a planar part and an insulation part installed on the main side of the planar part. [Reference numerals] (11) Exhaust device; (26) Process gas supply unit; (39) Preheat gas supply unit; (40) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置，以通过防止使用绝缘部件的散热来改善腔室的热效率。 构成：处理容器（2）分隔处理空间并包括顶侧（2a）。 支架（3）安装在处理空间中。 顶部电极安装在保持器的上方以面对支架。 加热器（35）加热顶部电极并且安装在顶部电极周围以及顶部侧的下侧。 绝缘构件（50）安装在顶侧，并且包括平面部分和安装在平面部分的主侧上的绝缘部分。 （附图标记）（11）排气装置; （26）工艺气体供应单元; （39）预热供气装置; （40）控制单元

公开(公告)号：KR100935484B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020097001486

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로아키라 ,  이이즈카하치시로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  G01F23/2962 ,  G01F23/2968 ,  Y10T137/2931

Abstract: 반도체 제조 장치는 액체 재료를 수용하는 용기(Xb, Ab, Bb, Cb)를 포함하고, 해당 용기로부터 상기 액체 재료를 공급하는 액체 재료 공급부와, 상기 액체 재료 공급부에 의해 공급된 상기 액체 재료를 기화시켜서 가스를 생성하는 액체 기화부와, 상기 액체 기화부로부터 공급되는 상기 가스를 이용하여 성막 처리를 실행하는 처리부와, 상기 처리부를 배기하는 배기부와, 상기 용기의 바닥부에 배치되고, 상기 액체 재료의 액위를 음파에 의해 검출하는 액위 검출기(Xs, As, Bs, Cs)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100901892B1

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：KR1020077029435

申请日：2004-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  기무라고이치로 ,  이케다교코 ,  사코다도모유키 ,  야스무로아키라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455

Abstract: 샤워 베이스(41), 가스 확산판(42), 샤워 플레이트(43)를 중첩하여 구성되고, 가스 확산판(42)의 양면에 형성된 제 1 가스 확산부(42a), 제 2 가스 확산부(42b) 및 샤워 플레이트(43)에 형성되고 제 1 가스 확산 공간(42c)에 연통하는 제 1 가스 토출구(43a), 제 2 가스 확산 공간(42d)에 연통하는 제 2 가스 토출구(43b)를 거쳐서 탑재대(5)상의 웨이퍼(W)에 원료 가스 및 산화제 가스를 공급하는 샤워 헤드(40)에 있어서, 제 1 가스 확산부(42a)내에 샤워 베이스(41)의 하면에 밀착하는 복수의 전열 기둥(42e)을 설치하여 그 동안의 부분이 제 1 가스 확산 공간(42c)이 되도록 하고, 이 전열 기둥(42e)에 의해 탑재대(5)로부터 받는 복사열을 샤워 헤드(40)의 두께 방향으로 전달한다.