公开(公告)号：KR1020070058672A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077009622

申请日：2005-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시히로카츠 ,  나카노데츠야 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31637

Abstract: Disclosed is a film-forming method using a film-forming gas composed of a metal alkoxide wherein clean film formation suppressed in contamination of an object substrate to be processed is achieved by restraining aluminum or an aluminum alloy in the process chamber from dissolving. Specifically disclosed is a method for forming a thin film on an object substrate to be processed which is held in a process chamber, and this method comprises a step for heating the object substrate and a step for supplying a film-forming gas into the process chamber. This method is characterized in that the film-forming gas is composed of a metal alkoxide, the process chamber is made of aluminum or an aluminum alloy, and a protective film composed of a poreless anodic oxide coating is formed on the inner wall surface of the process chamber.

Abstract translation: 公开了使用由金属醇盐构成的成膜气体的成膜方法，其中通过抑制处理室中的铝或铝合金溶解来实现抑制被处理物体基板污染的清洁膜形成。 具体公开了一种在待处理对象基板上形成薄膜的方法，该方法保持在处理室中，该方法包括加热对象基板的步骤和将成膜气体供给到处理室 。 该方法的特征在于，成膜气体由金属醇盐构成，处理室由铝或铝合金构成，并且在无孔阳极氧化覆膜上形成保护膜， 处理室。

公开(公告)号：KR100692706B1

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020037008783

申请日：2002-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  고바야시히로카츠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 처리실(14)내에서 탑재대(24)상에 피처리 기판(W)을 탑재하고, 상기 탑재대(24)를 온도 조절 부재(50)에 의해 가열함으로써 상기 피처리 기판(W)을 가열하여 반도체 처리를 실시하는 복수의 처리 조작을 수행한다. 처리실(14) 내부의 반사율은 상기 피처리 기판(W)의 반도체 처리 중에 발생하는 부생성물이 상기 처리실(14)내에 퇴적하는 것에 의존하여 변화한다. 복수의 처리 조작의 제 1 번째와 최종번째 사이에서, 처리실(14)내의 반사율을 대표하는 파라미터를 측정한다. 파라미터의 측정 후에 수행되는 처리 조작에 있어서, 반도체 처리에서 사용되는 탑재대(24)의 설정 온도를 파라미터의 측정값에 기초하여 조절한다. 이로써, 반도체 처리의 재현성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR100926379B1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020077009622

申请日：2005-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시히로카츠 ,  나카노데츠야 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31637

Abstract: 본 발명은, 금속 알콕시드로 이루어지는 성막 가스를 이용한 성막 방법에 있어서, 처리 용기 내의 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 용출을 억제하고, 피처리 기판의 오염을 억제한 청정한 성막을 실시 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명은, 처리 용기 내에 유지된 피처리 기판상에 박막을 성막하는 성막 방법으로서, 상기 피처리 기판을 가열하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 성막 가스를 공급하는 공정을 갖고, 상기 성막 가스는, 금속 알콕시드로 이루어지고, 상기 처리 용기는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어져, 해당 처리 용기의 내벽면에는 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막이 형성되고, 상기 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막은, 처리용기의 내벽면 등의 보호막을 형성하는 소재 표면의 전처리를 실행하는 전처리 공정과, 해당 전처리가 실시된 소재를 전해질 용액 속에서 전해하는 양극 산화 처리를 실행함으로써 소재 표면에 상기 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막을 형성하는 공정을 포함하는 형성 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 이용한다.

公开(公告)号：KR1020030086588A

公开(公告)日：2003-11-10

申请号：KR1020037008783

申请日：2002-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  고바야시히로카츠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 처리실(14)내에서 탑재대(24)상에 피처리 기판(W)을 탑재하고, 상기 탑재대(24)를 온도 조절 부재(50)에 의해 가열함으로써 상기 피처리 기판(W)을 가열하여 반도체 처리를 실시하는 복수의 처리 조작을 실행한다. 처리실(14) 내부의 반사율은 상기 피처리 기판(W)의 반도체 처리 중에 발생하는 부생성물이 상기 처리실(14)내에 퇴적하는 것에 의존하여 변화한다. 복수의 처리 조작의 제 1 번째와 최종번째의 사이에서, 처리실(14)내의 반사율을 대표하는 파라미터를 측정한다. 파라미터의 측정 후에 실행되는 처리 조작에 있어서, 반도체 처리로 사용되는 탑재대(24)의 설정 온도를 파라미터의 측정값에 기초하여 조절한다. 이로써, 반도체 처리의 재현성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR101211897B1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020097012799

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 개시되는성막장치는내부에감압공간이유지되는처리용기와, 탄소를주성분으로하는재료에의해구성되고, 처리용기내에기판을유지하는기판유지부와, 처리용기의외측에배치되어, 기판유지부를유도가열하는코일과, 기판유지부를덮고, 처리용기로부터이격되도록배치되는단열재를구비한다. 상기의감압공간은성막가스가공급되는성막가스공급공간과, 기판유지부와처리용기사이에구획형성되는단열공간으로분리되고, 단열공간에냉각매체가공급된다.

Abstract translation: 公开了设置在处理容器的外侧，所述真空空间保持在其中的成膜装置中，通过碳材料构成作为主要成分，用于在处理容器单元，该处理容器中，将基板保持部保持的基板的支撑基板 感应加热用线圈;以及覆盖基板保持部并与处理容器分离配置的绝热材料。 减压空间由其中成膜气体供给空间，其中所述沉积气体供给的隔热空间隔开，所述基板保持部与所述处理容器之间形成的隔室中，冷却介质被供给到隔热空间。

公开(公告)号：KR1020090089876A

公开(公告)日：2009-08-24

申请号：KR1020097012799

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: A film forming apparatus comprising a treating vessel in which a vacuum space is maintained; a substrate holding member for holding a substrate within the treating vessel, fabricated from a material composed mainly of carbon; a coil for induction heating of the substrate holding member, disposed outside the treating vessel; and a heat insulation material disposed so as to cover the substrate holding member and to be apart from the treating vessel. The vacuum space is divided into a film forming gas supply space in which a film forming gas is fed and a heat insulation space defined between the substrate holding member and the treating vessel. A refrigerant is fed into the heat insulation space. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种成膜设备，包括：其中维持真空空间的处理容器; 用于将基材保持在处理容器内的基板保持构件，由主要由碳组成的材料制成; 设置在处理容器外部的基板保持部件的感应加热用线圈; 以及隔热材料，其设置成覆盖基板保持构件并与处理容器分开。 真空空间被分成成膜气体供给空间，其中成膜气体被供给，隔热空间被限定在基板保持构件和处理容器之间。 制冷剂被供给到绝热空间。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR101172948B1

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：KR1020097013110

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  하라시마마사유키

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/32 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/66068

Abstract: 개시되는 성막 장치는 내부에 감압 공간이 유지되고 성막 가스가 공급되는 처리용기와, 처리용기의 내부에 설치되고 기판을 유지하는 기판 유지부와, 고융점 금속과 탄소를 포함하는 화합물에 의해 구성되고, 처리용기의 내부에 설치되며, 기판을 가열하는 히터를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120023854A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020127001102

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 개시되는 성막 장치는 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와, 탄소를 주성분으로 하는 재료에 의해 구성되고, 처리 용기 내에 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리 용기의 외측에 배치되어, 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과, 기판 유지부를 덮고, 처리 용기로부터 이격되도록 배치되는 단열재를 구비한다. 상기의 감압 공간은 성막 가스가 공급되는 성막 가스 공급 공간과, 기판 유지부와 처리 용기 사이에 구획 형성되는 단열 공간으로 분리되고, 단열 공간에 냉각 매체가 공급된다.

公开(公告)号：KR1020090086608A

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：KR1020097013110

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  하라시마마사유키

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/32 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/66068

Abstract: a treatment vessel inside which a vacuum space is maintained and to which a film-depositing gas is supplied; a substrate-holding part which is disposed inside the treatment vessel and holds a substrate; and a heater which is constituted of a compound comprising a high-melting metal and carbon, is disposed inside the treatment vessel, and heats the substrate. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 其中保持真空空间并且供应有成膜气体的处理容器; 基板保持部，其设置在处理容器的内部并保持基板; 并且由处理容器内部设置由包含高熔点金属和碳的化合物构成的加热器，并加热基板。 ®KIPO＆WIPO 2009