公开(公告)号：KR100509085B1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：KR1020027014011

申请日：2001-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  시게오카다카시 ,  리이쳉

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115

Abstract: 열 처리 시스템은 가열 램프 시스템에 의해 피처리체에 복사열을 가함으로써 대략 원형의 피처리체상에서 소정의 열 처리를 실행한다. 가열 램프 시스템은 피처리체에 대응하도록 동심으로 배치된 다수의 램프를 포함한다. 다수의 램프는 피처리체의 각 영역에 대해 개별적으로 제어된다.

公开(公告)号：KR1020020089504A

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：KR1020027014011

申请日：2001-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  시게오카다카시 ,  리이쳉

IPC: H01L21/324

Abstract: 열 처리 시스템은 가열 램프 시스템에 의해 피처리체에 복사열을 가함으로써 대략 원형의 피처리체상에서 소정의 열 처리를 실행한다. 가열 램프 시스템은 피처리체에 대응하도록 동심으로 배치된 다수의 램프를 포함한다. 다수의 램프는 피처리체의 각 영역에 대해 개별적으로 제어된다.

公开(公告)号：KR1020030086588A

公开(公告)日：2003-11-10

申请号：KR1020037008783

申请日：2002-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  고바야시히로카츠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 처리실(14)내에서 탑재대(24)상에 피처리 기판(W)을 탑재하고, 상기 탑재대(24)를 온도 조절 부재(50)에 의해 가열함으로써 상기 피처리 기판(W)을 가열하여 반도체 처리를 실시하는 복수의 처리 조작을 실행한다. 처리실(14) 내부의 반사율은 상기 피처리 기판(W)의 반도체 처리 중에 발생하는 부생성물이 상기 처리실(14)내에 퇴적하는 것에 의존하여 변화한다. 복수의 처리 조작의 제 1 번째와 최종번째의 사이에서, 처리실(14)내의 반사율을 대표하는 파라미터를 측정한다. 파라미터의 측정 후에 실행되는 처리 조작에 있어서, 반도체 처리로 사용되는 탑재대(24)의 설정 온도를 파라미터의 측정값에 기초하여 조절한다. 이로써, 반도체 처리의 재현성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR100692706B1

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020037008783

申请日：2002-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시 ,  고바야시히로카츠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 처리실(14)내에서 탑재대(24)상에 피처리 기판(W)을 탑재하고, 상기 탑재대(24)를 온도 조절 부재(50)에 의해 가열함으로써 상기 피처리 기판(W)을 가열하여 반도체 처리를 실시하는 복수의 처리 조작을 수행한다. 처리실(14) 내부의 반사율은 상기 피처리 기판(W)의 반도체 처리 중에 발생하는 부생성물이 상기 처리실(14)내에 퇴적하는 것에 의존하여 변화한다. 복수의 처리 조작의 제 1 번째와 최종번째 사이에서, 처리실(14)내의 반사율을 대표하는 파라미터를 측정한다. 파라미터의 측정 후에 수행되는 처리 조작에 있어서, 반도체 처리에서 사용되는 탑재대(24)의 설정 온도를 파라미터의 측정값에 기초하여 조절한다. 이로써, 반도체 처리의 재현성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020030091941A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020037006735

申请日：2001-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 처리실(2) 내를 클리닝하는 방법은, 먼저 처리실(2) 내에 할로겐화 가스를 포함하는 처리 가스를 공급함과 동시에 피처리 기판 지지 부재(3)를 가열하여 할로겐화 처리(S11)를 실행하고, 부생성물막 중의 금속 원소를 할로겐화한다. 다음에, 처리실(2) 내에 환원 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 환원 처리(S12)를 실행하고, 금속 원소의 할로겐화물을 환원하여 금속 원소를 유리시킨다. 다음에, 처리실(2) 내에 산화 가스를 포함하는 처리 가스를 공급함과 동시에 처리실(2)의 케이스 벽을 가열하여 산화 처리(S13)를 실행하고, 유리시킨 금속 원소를 산화하여 부동태화한다.

公开(公告)号：KR100781408B1

公开(公告)日：2007-12-03

申请号：KR1020037006735

申请日：2001-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다케시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 처리실(2) 내를 클리닝하는 방법은, 먼저 처리실(2) 내에 할로겐화 가스를 포함하는 처리 가스를 공급함과 동시에 피처리 기판 지지 부재(3)를 가열하여 할로겐화 처리(S11)를 실행하고, 부생성물막 중의 금속 원소를 할로겐화한다. 다음에, 처리실(2) 내에 환원 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 환원 처리(S12)를 실행하고, 금속 원소의 할로겐화물을 환원하여 금속 원소를 유리시킨다. 다음에, 처리실(2) 내에 산화 가스를 포함하는 처리 가스를 공급함과 동시에 처리실(2)의 케이스 벽을 가열하여 산화 처리(S13)를 실행하고, 유리시킨 금속 원소를 산화하여 부동태화한다.

公开(公告)号：KR100634326B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040089683A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.