公开(公告)号：KR1019980071647A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다-결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다-결정 규소 층을 형성하는 단계, 다-결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하기위해 막 형성 기구에 가공 대상을 유지시키는 단계, 및 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 산화막이 형성되지않은 다-결정 규소 층에 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100926379B1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020077009622

申请日：2005-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시히로카츠 ,  나카노데츠야 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31637

Abstract: 본 발명은, 금속 알콕시드로 이루어지는 성막 가스를 이용한 성막 방법에 있어서, 처리 용기 내의 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 용출을 억제하고, 피처리 기판의 오염을 억제한 청정한 성막을 실시 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명은, 처리 용기 내에 유지된 피처리 기판상에 박막을 성막하는 성막 방법으로서, 상기 피처리 기판을 가열하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 성막 가스를 공급하는 공정을 갖고, 상기 성막 가스는, 금속 알콕시드로 이루어지고, 상기 처리 용기는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어져, 해당 처리 용기의 내벽면에는 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막이 형성되고, 상기 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막은, 처리용기의 내벽면 등의 보호막을 형성하는 소재 표면의 전처리를 실행하는 전처리 공정과, 해당 전처리가 실시된 소재를 전해질 용액 속에서 전해하는 양극 산화 처리를 실행함으로써 소재 표면에 상기 무공질 양극 산화 피막으로 이루어지는 보호막을 형성하는 공정을 포함하는 형성 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 이용한다.

公开(公告)号：KR1020090026186A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020097000522

申请日：2007-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  고이즈미마사키 ,  아시자와히로아키 ,  고이즈미마사토

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/08 ,  C23C16/4405

Abstract: A treatment gas is supplied to form a Ti-based film on a predetermined number of wafers (W) while setting a temperature of a susceptor (2) in a chamber (1) to a predetermined temperature. After this, the interior of the chamber (1) containing no wafers (W) is cleaned by discharging Cl2 gas as a cleaning gas from a shower head (10) into the chamber (1). During this cleaning, the temperature of each of the susceptor (2), the shower head (10), and the wall portion of the chamber (1) is independently controlled so that the temperature of the susceptor (2) is not lower than the decomposition start temperature of Cl2 gas and the temperature of the shower head (10) and the wall portion of the chamber (1) is not higher than the decomposition start temperature.

Abstract translation: 供给处理气体以在将室（1）中的基座（2）的温度设定在预定温度的同时在预定数量的晶片（W）上形成Ti基膜。 之后，通过将作为清洗气体的Cl 2气体从淋浴喷头（10）排出到室（1）中来清洁不含晶片（W）的室（1）的内部。 在这种清洁过程中，独立地控制基座（2），淋浴头（10）和室（1）的壁部分的温度，使得基座（2）的温度不低于 Cl 2气体的分解开始温度和喷淋头（10）的温度和室（1）的壁部分的温度不高于分解开始温度。

公开(公告)号：KR100980533B1

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020080015698

申请日：2008-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타미츠마사 ,  다나카마사유키 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 처리 용기 내에 금속 불화물로 이루어지는 부생성물이 형성된 경우라 하더라도 HF 등의 유독한 가스를 거의 발생시키지 않고 처리 용기를 대기 개방할 수 있는 처리 용기의 대기 개방 방법을 제공하는 것.
그 속에서 소정의 처리를 행하여 금속 불화물이 부착된 처리 용기를 대기 개방하는 처리 용기의 대기 개방 방법으로서, 상기 처리 용기 내에 대기를 도입하고, 금속 불화물과 대기중의 수분을 반응시키기에 충분한 시간 유지하고나서 배기하는 제1 조작을 복수회 반복하고, 그 후, 상기 처리 용기 내에 대기를 도입하고 배기하여, 주로 상기 제1 조작에 의해 생성한 반응 생성물을 배출하는 제2 조작을 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020080078570A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020080015698

申请日：2008-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타미츠마사 ,  다나카마사유키 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4407 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: An atmosphere opening method of a processing chamber and a recording medium are provided to prevent the emission of poisonous gas such as HF in atmosphere opening of the processing chamber by causing fluoride to react with moisture completely. An atmosphere opening method of a processing chamber includes the steps of: introducing atmosphere in the processing chamber; waiting for some time for fluoride to react with moisture completely, and discharging HF; repeating the former step.

Abstract translation: 提供处理室和记录介质的气氛打开方法，以通过使氟化物完全与水分反应来防止处理室的大气开放中的HF等有毒气体的排放。 处理室的气氛打开方法包括以下步骤：在处理室中引入气氛; 等待一段时间，氟化物与水分完全反应，放出HF; 重复前一步。

公开(公告)号：KR1020070058672A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077009622

申请日：2005-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시히로카츠 ,  나카노데츠야 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31637

Abstract: Disclosed is a film-forming method using a film-forming gas composed of a metal alkoxide wherein clean film formation suppressed in contamination of an object substrate to be processed is achieved by restraining aluminum or an aluminum alloy in the process chamber from dissolving. Specifically disclosed is a method for forming a thin film on an object substrate to be processed which is held in a process chamber, and this method comprises a step for heating the object substrate and a step for supplying a film-forming gas into the process chamber. This method is characterized in that the film-forming gas is composed of a metal alkoxide, the process chamber is made of aluminum or an aluminum alloy, and a protective film composed of a poreless anodic oxide coating is formed on the inner wall surface of the process chamber.

Abstract translation: 公开了使用由金属醇盐构成的成膜气体的成膜方法，其中通过抑制处理室中的铝或铝合金溶解来实现抑制被处理物体基板污染的清洁膜形成。 具体公开了一种在待处理对象基板上形成薄膜的方法，该方法保持在处理室中，该方法包括加热对象基板的步骤和将成膜气体供给到处理室 。 该方法的特征在于，成膜气体由金属醇盐构成，处理室由铝或铝合金构成，并且在无孔阳极氧化覆膜上形成保护膜， 处理室。

公开(公告)号：KR100466152B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 장치에 공급하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다결정 규소 층을 형성시키는 단계, 상기 막 형성 장치에 가공 표적을 유지시켜 다결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하는 단계, 및 상기 막 형성 장치에 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 공급하여 산화막이 형성되지 않은 다결정 규소 층에 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100263202B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019920019084

申请日：1992-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이고우조 ,  아키야마다카시 ,  나카다쓰요시 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

Abstract: 진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리체 유지부상에 유지되는 피처리체의 표면에 반응성 가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체 표면에서의 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체 표면에 형성하는 성막처리방법에 있어서, 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 진공처리실내에 반응가스를 노즐로부터 공급하여 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 진공처리실내에 상기 반응성 가스를 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체를 진공처리실내에서 반출하는 공정으로 이루어지는 성막처리방법에 관한 것이다. 또, 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성 가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 공급노즐을 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에 공급노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고, 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반응성 가스의 흐름을 차페하는 가스 흐름 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019930008956A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019920019084

申请日：1992-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이고우조 ,  아키야마다카시 ,  나카다쓰요시 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/285

Abstract: 진공처리실내의 소정온도까지 가열된 피처리제 유지부상에 유지되는 피처리체의 포면에 반응성가스를 노즐로부터 공급하고, 피처리체 표면에서 화학반응에 의해 소망하는 박막을 피처리체 표면에 형성하는 성막처리 방법에 있어서, 진공처리실내에 최초의 피처리체를 반입하기 전에 진공처리실내에 반응가스를 노즐로부터 공급하여 진공처리실내의 분위기를 피처리체의 박막처리 분위기와 미리 동등하게 되도록 하는 공정과, 진공처리실내에 피처리체를 반입하는 공정과, 진공처리실내에 상시 반응성가스를 노즐로부터 공급하여 피처리체 표면에 소망하는 박막을 형성하는 공정과, 성막처리가 끝난 피처리체를 진공처리실에서 반출하는 공정과, 로 이루어지는 성막처리 방법에 관한 것이다. 또, 진공처리실내에서 피처리체를 소정온도까지 가열한 상태에서 유지하는 피처리체 유지부와, 진공처리실내에 반응성가스를 공급하는 노즐과를 구비하는 성막처리장치에 있어서, 공급노즐을 피처리체 유지부와 대응하는 위치에 배열설치함과 동시에 공급노즐에 냉각수단을 붙여 설치하고, 피처리체 유지부와 노즐과의 사이에 반응성가스의 흐름을 차폐하는 가스흐름제어부와, 를 설치한 것을 특징으로 하는 성막처리장치에 관한 것이다.