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公开(公告)号：KR100155569B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019910012351
申请日：1991-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H05H1/02
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J37/3455
Abstract: 본 발명은 플라즈마광의 강도 변화에 따라서 플라즈마 처리의 종점을 정확히 검출하는 플라즈마 장치에 대한 것이다. 플라즈마 처리부는 플라즈마 발생부에 의해 발생된 플라즈마를 이동시켜 피처리 물질에 대한 플라즈마 처리를 실행한다. 센서부(30)는 플라즈마 처리부에 의해 플라즈마 처리가 실행될 때 플라즈마 중의 예정된 파장을 갖는 플라즈마 강도에 대응한 전기신호를 출력한다.
평활화부(40)는 수광센서로 부터의 전기신호를 평활화한다. 종점 검출부(50)는 상기 평활화부에서 평활화된 신호에 따라서 상기 플라즈마 처리의 종점을 검출한다.-
公开(公告)号：KR100260587B1
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：KR1019940012311
申请日：1994-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: G03F7/707 , G03F7/70708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 본 발명의 정전척은 도전막과, 이 도전막을 피복하고, 서셉터상에 부착된 절연피복과, 이 절연피복에 정전인력을 발생시키기 위하여, 상기 도전막에 전압을 인가하는 급전회로를 구비하고, 상기 급전회로는 상기 절연피복의 일부와 치환되고, 상기 도전막에 도통하는 도체와, 서셉터의 표면쪽으로부터 배면쪽까지 관통하여 설치되고, 그 한쪽끝단부가 상기 도체에 도통하는 제1급전핀과, 이 제1급전핀을 서셉터로부터 절연하는 절연부재와, 그 한쪽끝단부가 상기 제1급전핀의 다른끝단부에 눌러붙여져 제1급전핀에 도통하는 제2급전핀과, 이 제2급전핀에 도통하는 전원을 가진다.
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公开(公告)号：KR1019950001928A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940012311
申请日：1994-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명의 정전척은 도전막과, 이 도전막을 피복하고, 서셉터상에 부착된 절연피복과, 이 절연피복에 정전인력을 발생시키기 위하여, 상기 도전막에 전압을 인가하는 급전회로를 구비하고, 상기 급전회로는 상기 절연피복의 일부와 치환되고, 상기 도전막에 도통하는 도체와, 서셉터의 표면쪽으로부터 배면쪽까지 관통하여 설치되고, 그 한쪽끝단부가 상기 도체에 도통하는 제1급전핀과, 이 제1급전핀을 서셉터로부터 절연하는 절연부재와, 그 한쪽끝단부가 상기 제1급전핀의 다른끝단부에 눌러붙여져 제1급전핀에 도통하는 제2급전핀과, 이 제2급전핀에 도통하는 전원을 가진다.
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公开(公告)号：KR100167475B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019910020979
申请日：1991-11-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고야마시로
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 마그네트 플라즈마 에칭장치는, 챔버와 기판 재치대를 구비한다.
상기 재치대는 RF전원에 접속되는 고전위전극이 상기 챔버에 접지되는 저전위전극이 각각 배치된다. 상기 챔버 밖의 윗쪽의 회전마그네트가 배치되고, 상기 양전극에서 형성되는 전계와 직교하는 회전자계가 형성된다. 상기 챔버의 측부에는, 상기 기판의 에칭의 종점을 검출하는 종점검출부재가 배설된다. 상기 종점검출부내는, 상기 자계의 회전중심근방부분의 빛을 주로 집광한다.
상기 집광광의 속에서 상기 에칭의 진행에 따라 강도변화가 큰 스펙트럼이 분광되고, 그 발광강도가 제1전기신호로 변환된다. 또, 상기 집광광의 발광강도가 제2전기신호로 변환된다.
상기 종점검출수단은, 상기 제1 및 제2전기신호의 비를 연산하고, 상기 비에 따라서 상기 에칭의 종점을 검출한다.-
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公开(公告)号：KR1019940020497A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002805
申请日：1994-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 플라즈마 생성용 대향전극의 한 쪽 서셉터에, 정전척 및 피처리체의 상부 돌출용 핀이 설치되어 있다. 상부 돌출용 핀과 서셉터가 전기적으로 접속되어 있다. 서셉터에의 RF 전력 공급회로와 병렬로 서셉터에 대전할 가능성이 있는 전하를 방전하는 접지회로가 설치되어 있다. 따라서, 서셉터에의 전력 공급회로에 잔류하는 전하를 방전할 수 있음과 동시에, 상부 돌출용 핀과 서셉터 사이의 이상방전을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1019920010773A
公开(公告)日：1992-06-27
申请号：KR1019910020979
申请日：1991-11-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고야마시로
IPC: H01L21/30
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR100270398B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019940002805
申请日：1994-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C14/50 , C23C16/4586 , H01J2237/0044 , H01L21/6833
Abstract: 플라즈마 생성용 대향전극의 한 쪽 서셉터에, 정전척 및 피처리체의 상부 돌출용 핀이 설치되어 있다. 상부 돌출용 핀과 서셉터가 전기적으로 접속되어 있다. 서셉터에의 RF전력 공급회로와 병렬로 서셉터에 대전할 가능성이 있는 전하를 방전하는 접지회로가 설치되어 있다. 따라서, 서셉터에의 전력 공급회로에 잔류하는 전하를 방전할 수 있음과 동시에, 상부 돌출용 핀과 서셉터 사이의 이상방전을 방지한다.
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公开(公告)号：KR100155566B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019910012431
申请日：1991-07-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/16
Abstract: 본 발명은 프로세스실내에서 불필요한 방전을 억제할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것으로 이 플라즈마 처리장치는 피처리체를 수납하는 프로세스 챔버와, 주벽의 일부를 구성하고 주벽의 표면과 거의 동일한 굴곡률로 단차이 없이 연속하는 내면을 갖고 있는 수단과, 프로세스 챔버내에 전계를 형성하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1019920003817A
公开(公告)日：1992-02-29
申请号：KR1019910012351
申请日：1991-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H05H1/02
Abstract: 내용 없음
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