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公开(公告)号：KR100458424B1
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020017013151
申请日：2000-04-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 엔지케이 인슐레이터 엘티디
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J2237/2001
Abstract: 플라즈마 처리장치에 있어서, 피처리 기판(W)의 온도 제어가 개선된다. 대략 원통 형상을 가지고 세라믹 재료로 이루어지는 지지부재(26)가 처리실(10)에 설치된다. 지지부재(26)의 상단부는 재치대(24)의 이면(24b)에 고체상태 접합에 의해 밀폐되어 접합된다. 지지부재(26)의 하단부는 하부 냉각 재킷(jacket)(90) 및 O링(92, 96)을 개재하여 처리실(10)의 저부(10b)에 밀폐되어 접속된다. 지지부재(26)의 안쪽에 형성된 대기실(38)에, 원판형의 알루미늄 블록에 의해 형성된 냉각 재킷(40)이 설치된다. 냉각 재킷(40)은 열전도성 시트(sheet) 부재(42)를 개재하여 재치대(24)의 이면(24a)에 부착된다.
Abstract translation: 在等离子体处理装置中，提高了待处理基板W的温度控制。 在处理室10中设置具有大致圆筒形状的陶瓷制的支撑构件26.支撑构件26的上端通过固态键合气密地连接到放置台24的后表面24b。 支撑构件26的下端经由下部冷却套90和O形环92,96气密地连接到处理室10的底部。在大气中设置由盘状铝块制成的冷却套40 腔38形成在支撑构件26内部。冷却套40通过导热片构件42安装到放置台24的后表面24b。
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公开(公告)号：KR100291108B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019940005320
申请日：1994-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 기체밀폐적인 챔버내에서 고주파전력에 의하여 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 가스에 의하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리시스템은, 감압하에서 기판에 플라즈마를 작용시켜서 기판을 플라즈마 처리하는 프로세스실과, 상기 프로세스실에 인접하여 설치된 로드록실과, 상기 로드록실과 상기 프로세스실과의 사이에 설치되고, 양실간의 기판 반송통로를 연이어 통하거나 차단하는 게이트 밸브수단과, 상기 게이트 밸브 수단을 통해 상기 로드록실과의 사이에서 기판을 주고받는 반송수단과, 상기 로드록실내를 배기하는 배기수단과, 상기 로드록크실내에 가스를 공급하는 가스 공급수단을 구비하고, 상기 가스 공급 수단은, 상기 로드록실내의 상부에 설치되어, 선단부분에 가스 분출 구멍이 형성되고, 기판 부분이 가스 공급원에 연이어 통� �는 가스 배관과, 이 가스 배관의 선단 부분을 감싸도록 싸고, 상기 가스 분출구멍을 통해서 공급되는 가스의 통과는 허용하지만, 파티클의 통과는 허용하지 않는 다공질부재를 갖는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019940020497A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002805
申请日：1994-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 플라즈마 생성용 대향전극의 한 쪽 서셉터에, 정전척 및 피처리체의 상부 돌출용 핀이 설치되어 있다. 상부 돌출용 핀과 서셉터가 전기적으로 접속되어 있다. 서셉터에의 RF 전력 공급회로와 병렬로 서셉터에 대전할 가능성이 있는 전하를 방전하는 접지회로가 설치되어 있다. 따라서, 서셉터에의 전력 공급회로에 잔류하는 전하를 방전할 수 있음과 동시에, 상부 돌출용 핀과 서셉터 사이의 이상방전을 방지한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101915833B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020150021684
申请日：2015-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45536 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32779
Abstract: [과제] 기판상의위치마다의, 플라즈마의영역을통과하는시간의변동을낮게억제하는동시에, 생성되는플라즈마의균일성을높인다. [해결수단] 개시하는기판처리장치(10)는, 축선(X)을중심으로회전가능하게설치된배치대(14)와, 배치대(14)의회전에의해기판(W)이순차통과하는영역에가스를공급하는가스공급부와, 공급된가스의플라즈마를생성하는플라즈마생성부(22)를구비하고, 플라즈마생성부(22)는, 마이크로파를방사하는안테나(22a)와, 안테나(22a)에마이크로파를공급하는동축도파관(22b)을지니고, 안테나(22a)를축선(X)을따른방향에서본 경우의단면형상을구성하는선분에는, 축선(X)으로부터떨어짐에따라서서로멀어지는 2개의선분이포함되고, 동축도파관(22b)은, 안테나(22a)의무게중심으로부터안테나(22a)에마이크로파를공급한다.
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公开(公告)号：KR1020150098199A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020150021684
申请日：2015-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45536 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02274 , H01L21/02315
Abstract: [과제] 기판 상의 위치마다의, 플라즈마의 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제하는 동시에, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높인다.
[해결수단] 개시하는 기판 처리 장치(10)는, 축선(X)을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대(14)와, 배치대(14)의 회전에 의해 기판(W)이 순차 통과하는 영역에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(22)를 구비하고, 플라즈마 생성부(22)는, 마이크로파를 방사하는 안테나(22a)와, 안테나(22a)에 마이크로파를 공급하는 동축 도파관(22b)을 지니고, 안테나(22a)를 축선(X)을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상을 구성하는 선분에는, 축선(X)으로부터 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고, 동축 도파관(22b)은, 안테나(22a)의 무게 중심으로부터 안테나(22a)에 마이크로파를 공급한다.Abstract translation: 本发明涉及一种能够抑制通过等离子体区域的时间变化低的衬底处理装置，同时提高了衬底上每个位置产生的等离子体的均匀性。 根据本发明，基板处理装置（10）包括：围绕轴线（X）可旋转地安装的放置台（14）; 气体供给单元，其通过所述放置台（14）的旋转而将基板（W）顺序地通过的区域供给气体; 以及用于产生供应气体的等离子体的等离子体产生单元（22）。 等离子体产生单元（22）包括用于发射微波的天线（22a） 以及用于将微波提供给天线（22a）的同轴波导（22b）。 构成从该轴线（X）的方向观察的天线（22a）的截面形状的部分，具有与轴（X）分离的两个彼此远离的部分，同轴波导 （22b）从天线（22a）的重心将微波提供给天线（22a）。
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公开(公告)号：KR101316768B1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020097005532
申请日：2007-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H02N13/00 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67709 , C23C14/12 , C23C14/568 , F16C32/0434 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67721 , H01L21/6776 , H02N15/00
Abstract: (과제) 감압된 처리 용기의 내부에 있어서, 비교적 간단한 구조로, 오염을 일으키지 않고 기판을 반송시키는 기구를 제공한다.
(해결 수단) 기판(G)을 처리하는 처리 장치(13)로서, 내부에 있어서 기판(G)을 처리하는 처리 용기(30)와, 처리 용기(30)의 내부를 감압시키는 감압 기구(36)와, 처리 용기(30)의 내부에 배치된, 기판(G)을 반송하는 반송 기구(40)를 구비하고, 반송 기구(40)는, 가이드 부재(41)와, 기판(G)을 지지하는 스테이지(42)와, 스테이지(42)를 이동시키는 구동 부재(50)와, 스테이지(42)를 지지하고, 가이드 부재(41)를 따라 이동 가능한 이동 부재(43)를 구비하고, 가이드 부재(41)와 이동 부재(43)는, 자석(47, 48)의 반발력에 의해 서로 접촉하지 않도록 유지된다.
기판, 처리 용기, 감압 기구, 반송 기구-
公开(公告)号：KR100430641B1
公开(公告)日：2004-05-10
申请号：KR1020017004089
申请日：1999-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/09 , H01J37/32192 , H01J37/32678
Abstract: The present invention aims to decrease reflected waves in a vacuum chamber to suppress standing waves, thereby easily controlling a plasma density so that uniform treatment can be performed. An electromagnetic wave absorber 6 composed of a resistor such as carbon, a dielectric having a large dielectric loss, such as water, or a magnetic material such as ferrite-based ceramic, or a combination of these, is provided on an inner wall surface of a first vacuum chamber 21. Microwaves introduced from a waveguide 25 into the first vacuum chamber 21 via a transmissive window 23 are absorbed to the electromagnetic wave absorber 6 to suppress reflected waves, whereby a plasma density distribution with a nearly planned pattern is easily formed at an ECR point.
Abstract translation: 本发明旨在减少真空室中的反射波以抑制驻波，从而容易地控制等离子体密度，从而可以执行均匀的处理。 由碳等电阻，水等介电损耗大的电介质或铁氧体系陶瓷等磁性材料或它们的组合构成的电磁波吸收体6设置在内壁面 第一真空室21.通过透射窗23将从波导25引入第一真空室21中的微波吸收到电磁波吸收器6中以抑制反射波，由此容易形成具有接近规划图案的等离子体密度分布 一个ECR点。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020010079817A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：KR1020017003260
申请日：1999-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 적재대(4) 주위에, 예를 들어 질화알루미늄으로 제조된 링체(5)를 적재대(4)의 지지면과 동일한 높이가 되도록 설치한다. 이 링체(5)의 표면부에 전극(52)을 매설한다. 또한, 적재대(4)의 상부 영역을 둘러싸도록 링형의 성막 가스 공급부(6)를 설치한다. 이 성막 가스 공급부(6)의 내주벽에, 진공 용기(2)내로 노출되도록 전극(63)을 설치한다. 플라스마의 발생을 정지하기 직전에 파티클 인입용 전극(52, 63)에 정전압을 인가한다. 이것에 의해, 플라스마가 소실되었을 때에, 그 속에 갇혀 있던 파티클을 전극(52,63)으로 인입한다.
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