公开(公告)号：KR1020050021338A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067670

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  고쯔가이히로미찌

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning an apparatus for forming a thin film is provided to remove an adhesion material in a thin film forming apparatus while planarizing the inside of the thin film forming apparatus by performing a cleaning process and a planarization process. CONSTITUTION: Cleaning gas is supplied to the inside of a reaction chamber heated to a predetermined temperature so as to be activated. The adhesion material is eliminated by the activated cleaning gas to clean the inside of a thin film forming apparatus. The inside of the reaction chamber cleaned by the cleaning process is maintained at a predetermined temperature. Gas including hydrogen fluoride gas is supplied to the inside of the reaction chamber maintained at the predetermined temperature to planarize the inside of the thin film forming apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁用于形成薄膜的装置的方法，以通过执行清洁处理和平坦化处理来平坦化薄膜形成装置的内部，从而去除薄膜形成装置中的粘附材料。 构成：将清洁气体供给到加热到预定温度的反应室内部以便被激活。 通过活化的清洁气体去除粘合材料以清洁薄膜形成装置的内部。 通过清洁处理清洁的反应室内部保持在预定温度。 将包含氟化氢气体的气体供给到保持在规定温度的反应室内部，使薄膜形成装置的内部平坦化。

公开(公告)号：KR100893252B1

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：KR1020040067670

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  고쯔가이히로미찌

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: 본 발명의 과제는 장치 내부에 부착된 부착물을 제거하는 동시에, 장치 내부를 평탄화할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 장치 내부에 부착물이 부착되면 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다. 계속해서, 반응관(2) 내를 실온으로 유지하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 불화수소를 포함하는 가스를 공급한다.
열처리 장치, 가스 도입관, 클리닝 가스, 반응관, 반도체 웨이퍼