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公开(公告)号：KR1020120112141A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120031747
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4405
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a thin film forming apparatus, a thin film forming method, and a thin film forming apparatus are provided to increase an etching rate of an attachment attached within the apparatus by supplying fluorine gas and hydrogen fluoride gas within a heated reaction tube. CONSTITUTION: A reaction tube(2) forms a reaction chamber. A top portion(3) formed in a cone shape is installed on a top end portion of the reaction tube. An exhaust pipe(4) for exhausting gas within the reaction tube is installed in the center of the top portion. A spinning table(10) loads a wafer boat(11) which receives a wafer(W). A rotary support(12) is connected to a rotating mechanism(13) passing through the center of a heater(8). [Reference numerals] (100) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种清洗薄膜形成装置，薄膜形成方法和薄膜形成装置的方法，以通过在加热反应中供应氟气和氟化氢气体来提高附着在装置内的附着物的蚀刻速率 管。 构成：反应管（2）形成反应室。 形成为锥形的顶部（3）安装在反应管的顶端部分上。 用于排出反应管内的气体的排气管（4）安装在顶部的中心。 旋转台（10）装载接收晶片（W）的晶片舟（11）。 旋转支撑件（12）连接到通过加热器（8）的中心的旋转机构（13）。 （附图标记）（100）控制单元
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公开(公告)号：KR101174953B1
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020090021395
申请日：2009-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: 반도체처리용성막장치의사용방법은메탈오염을저감시키기위해, 처리용기내의내벽및 제품용피처리체를유지하지않는유지부재의표면에대해, 클리닝가스를사용하여클리닝처리를행하는공정과, 다음에실리콘소스가스및 질화가스를교대로공급함으로써실리콘질화막의피복처리를행하여, 처리용기의내벽및 제품용피처리체를유지하지않는유지부재의표면을실리콘질화막에의해피복하는공정을구비한다.
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公开(公告)号：KR100980126B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020060072425
申请日：2006-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구-
公开(公告)号：KR100967238B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020060022476
申请日：2006-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블-
公开(公告)号：KR100893252B1
公开(公告)日：2009-04-17
申请号：KR1020040067670
申请日：2004-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: 본 발명의 과제는 장치 내부에 부착된 부착물을 제거하는 동시에, 장치 내부를 평탄화할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 장치 내부에 부착물이 부착되면 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다. 계속해서, 반응관(2) 내를 실온으로 유지하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 불화수소를 포함하는 가스를 공급한다.
열처리 장치, 가스 도입관, 클리닝 가스, 반응관, 반도체 웨이퍼-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080100784A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：KR1020080043927
申请日：2008-05-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: B08B5/00 , C23C16/345 , C23C16/4405 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3185 , Y02C20/30 , Y02P70/605 , Y10S438/905
Abstract: The film forming apparatus for processing the semiconductor and the method of using the same are provided to prevent the contamination of the film. The method of use of the film forming apparatus for the semiconductor processing is provided. A process is for setting up the reaction chamber of the film forming apparatus as the idle state which does not receive the processed substrate for product. A process is for performing the fuzzy treatment to remove the contaminant existing in the inner surface of the reaction chamber. The radicals are obtained by activating the fuzzy treatment gas including the oxygen and hydrogen. The radicals are activated in the inner surface of the reaction chamber.
Abstract translation: 提供了用于处理半导体的成膜装置及其使用方法，以防止膜的污染。 提供了用于半导体处理的成膜装置的使用方法。 一种方法是将成膜装置的反应室设置为不接收用于产品的处理衬底的空闲状态。 一个过程是进行模糊处理以去除存在于反应室内表面中的污染物。 通过激活包括氧和氢的模糊处理气体获得自由基。 自由基在反应室的内表面被活化。
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公开(公告)号：KR1020050053713A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020057005461
申请日：2003-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67253 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: A heat treating system comprising a holding unit for holding a plurality of substrates, a reaction container into which the holding unit is carried, a treating gas supply mechanism for supplying a treating gas into the reaction container, and a heating mechanism for heating the reaction container when the treating gas is supplied to perform a film-forming processing on the substrates. Flow- rate parameter table data in which data on the number of substrates scheduled for treating in one batch is allowed to correspond to the target value data of the treating gas flow-rate parameters is stored in a flow-rate parameter table data storing unit. A control means obtains the target value data of the treating gas flow-rate parameters according to an actual number of substrates scheduled for treating in one batch and based on flow-rate parameter table data stored in the flow-rate parameter table data storing unit, and controls the treating gas supply mechanism according to the target value data. The target value data of the flow- rate parameters is so determined as to provide a uniform film-forming speed to treating batches in which the number of substrate scheduled for treating differs from one another.
Abstract translation: 一种热处理系统，包括用于保持多个基板的保持单元，承载保持单元的反应容器，用于将处理气体供应到反应容器中的处理气体供给机构，以及用于加热反应容器的加热机构 当处理气体被供给以在基板上进行成膜处理时。 将流量参数表数据存储在流量参数表数据存储部中，流量参数表数据被存储在流量参数表数据存储单元中，其中计划用于一批处理的基板数量被允许对应于处理气体流量参数的目标值数据。 控制装置根据预定一批处理的基板的实际数量，根据存储在流量参数表数据存储部中的流量参数表数据，求出处理气体流量参数的目标值数据， 并根据目标值数据控制处理气体供给机构。 流量参数的目标值数据被确定为提供均匀的成膜速度以处理其中预定处理的基板的数量彼此不同的批次。
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公开(公告)号：KR1020120066617A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020120057537
申请日：2012-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus for processing a semiconductor, and a method for using the same, and a computer readable medium are provided to easily deal with the narrowness of a scattering amount tolerance range by controlling the scattering of metal components within a treatment container. CONSTITUTION: A manifold(3) supports a bottom portion of a treatment container(1). A wafer boat(5) is loaded on a table(8) by interposing a heat insulating tube(7) made of quartz. A magnetic fluid seal(11) is installed in a through part of a rotary shaft(10). A seal member(12) is interposed between a peripheral portion of a cover part(9) and a bottom portion of the manifold. A fuzzy gas supply tool(16a) includes a fuzzy gas supply source(25a) and a nozzle.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置及其使用方法以及计算机可读介质，通过控制处理容器内的金属成分的散射，容易地处理散射量容差范围的狭窄。 构成：歧管（3）支撑治疗容器（1）的底部。 通过插入由石英制成的绝热管（7）将晶片舟（5）装载在工作台（8）上。 磁性流体密封件（11）安装在旋转轴（10）的贯通部分中。 密封构件（12）插入在盖部分（9）的周边部分和歧管的底部之间。 模糊气体供给工具（16a）包括模糊气体供应源（25a）和喷嘴。
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公开(公告)号：KR101018493B1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：KR1020060116244
申请日：2006-11-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/4405 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/3145 , H01L21/3185
Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실의 내면에 부착하는 부생성물막을 클리닝 가스에 의해 제거하는 공정과, 다음에 상기 반응실의 상기 내면을 평탄화 가스에 의해 화학적으로 평탄화하는 공정을 포함한다. 상기 반응실의 상기 내면은 석영, 탄화규소로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료를 주성분으로 한다. 제거하는 공정은 상기 반응실 내에 상기 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 평탄화하는 공정은 상기 반응실 내에 상기 평탄화 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 평탄화 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 평탄화 가스는 불소 가스와 수소 가스를 포함한다.
히터, 회전 테이블, 웨이퍼 보트, 회전 지지 기둥, 회전 기구-
公开(公告)号：KR100921259B1
公开(公告)日：2009-10-09
申请号：KR1020050119270
申请日：2005-12-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4408
Abstract: 예를 들어 질화실리콘막을 형성할 때, 성막 처리 후에 상기 성막 처리에 대응한 퍼지 레시피에 의해 반응 용기 내의 퍼지 처리를 행하여 반응 용기 내에 부착된 가스나 파티클의 원인이 되는 막의 표층부를 제거하여 가스나 파티클의 발생을 저감시키는 것이다.
다수매의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(25)에 보유 지지시켜 반응 용기(2) 내에 반입하고, 예를 들어 Si
2 Cl
2 가스와 NH
3 가스를 성막 가스로서 이용한 성막 레시피(1)의 성막 처리를 행한다. 계속해서 이 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피(1)를 자동적으로 선택하고, 상기 퍼지 레시피(1)에 따라서 반응 용기(2)의 퍼지 처리를 행한다. 성막 처리의 종별마다 퍼지 레시피를 준비하여 각 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피를 자동적으로 선택하여 퍼지 처리를 행함으로써 불필요한 퍼지 시간의 발생을 억제한 상태에서 각 성막 처리에 대응한 적절한 퍼지 처리를 행할 수 있다.
성막 레시피, 퍼지 레시피, 반응 용기, 웨이퍼 보트, 플랜지, 인젝터
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