公开(公告)号：KR100984634B1

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020080072362

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  이데하라겐지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 포토 레지스트 패턴을 소경화 하면서 에칭할 때에, 고 레이트로 소경화 할 수 있고, 그때의 포토 레지스트 막의 표면상태를 양호하게 하여, 균열을 수복할 수 있는 플라즈마 에칭방법을 제공하는 것이다.
에칭 대상막과 에칭 패턴으로서 개구가 형성된 포토 레지스트 막을 갖는 웨이퍼(W)를 챔버(10) 내의 서셉터(16)에 배치하고, 챔버(10) 내에 CF
4 가스, CH
2 F
2 가스, C
5 F
8 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하여, 상부 전극(34)에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 생성시킴과 동시에, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하고, 생성된 플라즈마에 의해, 포토 레지스트 막에 형성된 개구를 소경화시키면서 포토 레지스트 막에 형성된 개구를 거쳐서 에칭 대상막을 에칭한다.

公开(公告)号：KR100761563B1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：KR1020060002951

申请日：2006-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  사카모토유이치로 ,  츠노다다카시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 질화티탄막의 하지막 상에 SOG막과 TEOS막이 적층되어 있는 기판 W가 처리실 S 내에 수용되어 서셉터(13) 상에 지지된다. 처리실 S 내에는, 가압 분위기가 유지되어, 상부 전극(30)으로 부터, O
2 가스를 포함하지 않고 C
4 F
8 가스와 N
2 가스를 함유하는 에칭 가스가 처리실 S 내에 도입된다. 고주파 전원에 의해 서셉터(13)에 고주파가 인가되면 처리실 S 내의 가스가 플라즈마화되어 기판 W 상의 적층막이 에칭된다. 도포 실리콘계 절연막을 가지는 적층 절연막을 에칭하는 경우 하지막의 파손이나 열화를 억제한다.
플라즈마, 에칭 가스, 도포 절연막

公开(公告)号：KR1020060082799A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020060002951

申请日：2006-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  사카모토유이치로 ,  츠노다다카시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 질화티탄막의 하지막 상에 SOG막과 TEOS막이 적층되어 있는 기판 W가 처리실 S 내에 수용되어 서셉터(13) 상에 지지된다. 처리실 S 내에는, 가압 분위기가 유지되어, 상부 전극(30)으로 부터, O
2 가스를 포함하지 않고 C
4 F
8 가스와 N
2 가스를 함유하는 에칭 가스가 처리실 S 내에 도입된다. 고주파 전원에 의해 서셉터(13)에 고주파가 인가되면 처리실 S 내의 가스가 플라즈마화되어 기판 W 상의 적층막이 에칭된다. 도포 실리콘계 절연막을 가지는 적층 절연막을 에칭하는 경우 하지막의 파손이나 열화를 억제한다.
플라즈마, 에칭 가스, 도포 절연막

公开(公告)号：KR101895099B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020140085015

申请日：2014-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  도무라미츠히로

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: B08B9/00 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32862

Abstract: (과제) 가스유로, 가스공급구멍및 기판처리장치의처리용기에부착된반응생성물을효율적으로제거할수 있는클리닝방법을제공하는것. (해결수단) 처리용기와, 상기처리용기내에마련된, 기판을유지하는유지부와, 상기처리용기내에마련된, 상기유지부와대향하는전극판과, 처리가스를공급하는가스공급원과, 상기기판의제 1 면내 위치에대응하는제 1 영역과, 상기제 1 면내 위치와는상기기판의면 내위치가상이한제 2 면내 위치에대응하는제 2 영역으로구획된복수의가스유로가형성되고, 상기처리가스를, 상기가스공급원으로부터상기복수의가스유로를거쳐서상기유지부와상기전극판사이의공간에토출하는가스공급부와, 상기유지부또는상기전극판의적어도한쪽에고주파전력을공급하는것에의해, 상기공간내의상기처리가스를플라즈마화하는고주파전원을갖는기판처리장치의클리닝방법으로서, 상기제 1 영역에공급하는상기처리가스의제 1 유량을, 상기제 2 영역에공급하는상기처리가스의제 2 유량보다작게하여, 상기처리가스의플라즈마에의해, 상기복수의가스유로중 상기제 1 영역에대응하는제 1 가스유로를클리닝하는제 1 클리닝공정과, 상기제 1 영역에공급하는상기처리가스의제 3 유량을, 상기제 2 영역에공급하는상기처리가스의제 4 유량보다크게하여, 상기처리가스의플라즈마에의해, 상기복수의가스유로중 상기제 2 영역에대응하는제 2 가스유로를클리닝하는제 2 클리닝공정을갖는클리닝방법.

公开(公告)号：KR1020150006380A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020140085015

申请日：2014-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  도무라미츠히로

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: B08B9/00 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32862

Abstract: (과제) 가스 유로, 가스 공급 구멍 및 기판 처리 장치의 처리 용기에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 기판을 유지하는 유지부와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 상기 유지부와 대향하는 전극판과, 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 기판의 제 1 면 내 위치에 대응하는 제 1 영역과, 상기 제 1 면 내 위치와는 상기 기판의 면 내 위치가 상이한 제 2 면 내 위치에 대응하는 제 2 영역으로 구획된 복수의 가스 유로가 형성되고, 상기 처리 가스를, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 가스 유로를 거쳐서 상기 유지부와 상기 전극판 사이의 공간에 토출하는 가스 공급부와, 상기 유지부 또는 상기 전극판의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 상기 공간 내의 상기 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전원을 갖는 기판 처리 장치의 클리닝 방법으로서, 상기 제 1 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 1 유량을, 상기 제 2 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 2 유량보다 작게 하여, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해, 상기 복수의 가스 유로 중 상기 제 1 영역에 대응하는 제 1 가스 유로를 클리닝하는 제 1 클리닝 공정과, 상기 제 1 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 3 유량을, 상기 제 2 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 4 유량보다 크게 하여, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해, 상기 복수의 가스 유로 중 상기 제 2 영역에 대응하는 제 2 가스 유로를 클리닝하는 제 2 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能有效地除去附着在基板处理装置的气体通路，气体供给孔和处理容器上的反应物的清洗方法。 一种基板处理装置，包括：处理容器; 设置在处理容器中以支撑衬底的支撑部分; 设置在所述处理容器中以抵靠所述支撑部件的电极板; 用于提供工艺气体的气体供应源; 多个气体通道，其被分成对应于所述基板的第一面内位置的第一区域和对应于所述基板的与所述第一平面内位置不同的第二面内位置的第二区域; 气体供给部，经由来自气体供给源的多个气体通路将处理气体喷射到支撑部与电极板之间的空间内; 以及高频电源，通过向支撑部或电极板的至少一侧供给高频电力，将空间中的处理气体转换成等离子体。 清洗基板处理装置的方法包括：通过使供给第一区域的第一量的处理气体降低，来清除与处理气体的等离子体对应的第一区域的多个气体通道的第一气体通道 比第二量的处理气体供应到第二区域; 以及通过使供给到第一区域的第三量的处理气体高于所供给的处理气体的第四量来清洁与处理气体的等离子体对应的与第二区域对应的多个气体通道的第二气体通道 到第二个地区。

公开(公告)号：KR1020090012135A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080072362

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  이데하라겐지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching apparatus and storage media are provided to prevent the crack and to lightweighting the surface state the photoresist pattern. The wafer (W) is located on the susceptor(16) within the chamber(10). Process gas including the CF4 gas, the CH2F2 gas, and the C5F8 gas are injected into the chamber. The high frequency power is applied in the upper electrode(34) and then the plasma is generated. The direct current voltage is applied at the upper electrode. The opening formed in the photoresist film is lightweighted by the generated plasma. The object film on wafer is etched.

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻装置和存储介质以防止裂纹并使光致抗蚀剂图案的表面状态变轻。 晶片（W）位于腔室（10）内的基座（16）上。 将包括CF 4气体，CH 2 F 2气体和C 5 F 8气体的处理气体注入到室中。 在上部电极（34）中施加高频电力，然后产生等离子体。 在上电极施加直流电压。 通过所产生的等离子体，在光致抗蚀剂膜中形成的开口更轻。 晶片上的物体被蚀刻。

公开(公告)号：KR101139189B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020070031128

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  츠노다다카시 ,  사카모토유이치로

IPC: H01L21/3065

Abstract: A plasma etching method, a plasma processing apparatus, a control program, and a computer readable storage medium are provided to secure a sufficient etching rate and to perform a silicon etching process by using a resist as a mask. A supporting table(2) for supporting horizontally a semiconductor wafer(W) is formed in an inside of a chamber(1). The supporting plate is supported by an insulating plate(3) and a conductor supporter(4). A focus ring(5) is formed at an outer circumference of an upper side of the supporting table. The supporting table and the conductor supporter are elevated by using a ball screw mechanism including a ball screw(7). A bellows cover(9) is formed at an outside of a bellows(8). A baffle plate(10) is formed at the outside of the focus ring. An exhaust port(11) is formed at a sidewall of a lower part of the chamber. An exhaust system(12) is connected to the exhaust port. A gate valve(13) is formed over the sidewall of the lower part of the chamber. An RF power source(15) is connected to the supporting table through a matching device(14). A shower head(20) is opposite to the supporting table. An electrostatic chuck(6) is formed on a surface of the supporting table. A refrigerant chamber(17) is formed in the inside of the supporting table. A process gas supply system(25) is connected to a gas supply tube(24).

公开(公告)号：KR1020080088295A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：KR1020070031128

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  츠노다다카시 ,  사카모토유이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching method, a plasma processing apparatus, a control program, and a computer readable storage medium are provided to secure a sufficient etching rate and to perform a silicon etching process by using a resist as a mask. A supporting table(2) for supporting horizontally a semiconductor wafer(W) is formed in an inside of a chamber(1). The supporting plate is supported by an insulating plate(3) and a conductor supporter(4). A focus ring(5) is formed at an outer circumference of an upper side of the supporting table. The supporting table and the conductor supporter are elevated by using a ball screw mechanism including a ball screw(7). A bellows cover(9) is formed at an outside of a bellows(8). A baffle plate(10) is formed at the outside of the focus ring. An exhaust port(11) is formed at a sidewall of a lower part of the chamber. An exhaust system(12) is connected to the exhaust port. A gate valve(13) is formed over the sidewall of the lower part of the chamber. An RF power source(15) is connected to the supporting table through a matching device(14). A shower head(20) is opposite to the supporting table. An electrostatic chuck(6) is formed on a surface of the supporting table. A refrigerant chamber(17) is formed in the inside of the supporting table. A process gas supply system(25) is connected to a gas supply tube(24).

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法，等离子体处理装置，控制程序和计算机可读存储介质以确保足够的蚀刻速率，并且通过使用抗蚀剂作为掩模来执行硅蚀刻工艺。 在室（1）的内部形成有用于水平地支撑半导体晶片（W）的支撑台（2）。 支撑板由绝缘板（3）和导体支撑件（4）支承。 聚焦环（5）形成在支撑台的上侧的外周。 通过使用包括滚珠丝杠（7）的滚珠丝杠机构来升高支撑台和导体支撑件。 波纹管罩（9）形成在波纹管（8）的外侧。 挡板（10）形成在聚焦环的外侧。 排气口（11）形成在室的下部的侧壁处。 排气系统（12）连接到排气口。 闸门（13）形成在室的下部的侧壁上。 RF电源（15）通过匹配装置（14）连接到支撑台。 淋浴头（20）与支撑台相对。 静电吸盘（6）形成在支撑台的表面上。 制冷剂室（17）形成在支撑台的内部。 工艺气体供给系统（25）连接到气体供给管（24）。