公开(公告)号：KR102125103B1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020150016498A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/32136

Abstract: 다층막을 에칭할 때에 이용하는 마스크를 양호하게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 플라즈마 에칭 방법은, 붕소가 도핑된 비정질 카본을 에칭하는 방법으로서, 염소 가스와 산소 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 사용하고, 배치대(3)의 온도를 100℃ 이상으로 한다.

公开(公告)号：KR101895099B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020140085015

申请日：2014-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  도무라미츠히로

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: B08B9/00 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32862

Abstract: (과제) 가스유로, 가스공급구멍및 기판처리장치의처리용기에부착된반응생성물을효율적으로제거할수 있는클리닝방법을제공하는것. (해결수단) 처리용기와, 상기처리용기내에마련된, 기판을유지하는유지부와, 상기처리용기내에마련된, 상기유지부와대향하는전극판과, 처리가스를공급하는가스공급원과, 상기기판의제 1 면내 위치에대응하는제 1 영역과, 상기제 1 면내 위치와는상기기판의면 내위치가상이한제 2 면내 위치에대응하는제 2 영역으로구획된복수의가스유로가형성되고, 상기처리가스를, 상기가스공급원으로부터상기복수의가스유로를거쳐서상기유지부와상기전극판사이의공간에토출하는가스공급부와, 상기유지부또는상기전극판의적어도한쪽에고주파전력을공급하는것에의해, 상기공간내의상기처리가스를플라즈마화하는고주파전원을갖는기판처리장치의클리닝방법으로서, 상기제 1 영역에공급하는상기처리가스의제 1 유량을, 상기제 2 영역에공급하는상기처리가스의제 2 유량보다작게하여, 상기처리가스의플라즈마에의해, 상기복수의가스유로중 상기제 1 영역에대응하는제 1 가스유로를클리닝하는제 1 클리닝공정과, 상기제 1 영역에공급하는상기처리가스의제 3 유량을, 상기제 2 영역에공급하는상기처리가스의제 4 유량보다크게하여, 상기처리가스의플라즈마에의해, 상기복수의가스유로중 상기제 2 영역에대응하는제 2 가스유로를클리닝하는제 2 클리닝공정을갖는클리닝방법.

公开(公告)号：KR1020150006380A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020140085015

申请日：2014-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치아키히로 ,  도무라미츠히로

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: B08B9/00 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32862

Abstract: (과제) 가스 유로, 가스 공급 구멍 및 기판 처리 장치의 처리 용기에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 기판을 유지하는 유지부와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 상기 유지부와 대향하는 전극판과, 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 기판의 제 1 면 내 위치에 대응하는 제 1 영역과, 상기 제 1 면 내 위치와는 상기 기판의 면 내 위치가 상이한 제 2 면 내 위치에 대응하는 제 2 영역으로 구획된 복수의 가스 유로가 형성되고, 상기 처리 가스를, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 가스 유로를 거쳐서 상기 유지부와 상기 전극판 사이의 공간에 토출하는 가스 공급부와, 상기 유지부 또는 상기 전극판의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 상기 공간 내의 상기 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전원을 갖는 기판 처리 장치의 클리닝 방법으로서, 상기 제 1 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 1 유량을, 상기 제 2 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 2 유량보다 작게 하여, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해, 상기 복수의 가스 유로 중 상기 제 1 영역에 대응하는 제 1 가스 유로를 클리닝하는 제 1 클리닝 공정과, 상기 제 1 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 3 유량을, 상기 제 2 영역에 공급하는 상기 처리 가스의 제 4 유량보다 크게 하여, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해, 상기 복수의 가스 유로 중 상기 제 2 영역에 대응하는 제 2 가스 유로를 클리닝하는 제 2 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能有效地除去附着在基板处理装置的气体通路，气体供给孔和处理容器上的反应物的清洗方法。 一种基板处理装置，包括：处理容器; 设置在处理容器中以支撑衬底的支撑部分; 设置在所述处理容器中以抵靠所述支撑部件的电极板; 用于提供工艺气体的气体供应源; 多个气体通道，其被分成对应于所述基板的第一面内位置的第一区域和对应于所述基板的与所述第一平面内位置不同的第二面内位置的第二区域; 气体供给部，经由来自气体供给源的多个气体通路将处理气体喷射到支撑部与电极板之间的空间内; 以及高频电源，通过向支撑部或电极板的至少一侧供给高频电力，将空间中的处理气体转换成等离子体。 清洗基板处理装置的方法包括：通过使供给第一区域的第一量的处理气体降低，来清除与处理气体的等离子体对应的第一区域的多个气体通道的第一气体通道 比第二量的处理气体供应到第二区域; 以及通过使供给到第一区域的第三量的处理气体高于所供给的处理气体的第四量来清洁与处理气体的等离子体对应的与第二区域对应的多个气体通道的第二气体通道 到第二个地区。