公开(公告)号：KR1020110074698A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：KR1020100134202

申请日：2010-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌 ,  기꾸찌히로유끼 ,  오따니무네유끼 ,  구마가이다께시 ,  나루시마겐사꾸 ,  니시모리다까시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: PURPOSE: A layer forming apparatus, a layer forming method, and a computer-readable storage medium are provided to obtain a titan nitride layer having a plain surface. CONSTITUTION: A table(2) is installed in an inside of a vacuum container. The table includes a substrate loading region on which a substrate is loaded. A second reaction gas includes a first reaction gas including Ti in the substrate on the table. The second reaction gas includes nitrogen(N). The first reaction gas supply unit and the second gas supply unit supply the second reaction gas, respectively.

Abstract translation: 目的：提供层形成装置，层形成方法和计算机可读存储介质，以获得具有平坦表面的氮化钛层。 构成：在真空容器的内部安装一个工作台（2）。 该工作台包括一个衬底装载区域，衬底装载区域。 第二反应气体包括在台面上的基板中包含Ti的第一反应气体。 第二反应气体包括氮（N）。 第一反应气体供给单元和第二气体供给单元分别供给第二反应气体。

公开(公告)号：KR101425253B1

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：KR1020100134202

申请日：2010-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌 ,  기꾸찌히로유끼 ,  오따니무네유끼 ,  구마가이다께시 ,  나루시마겐사꾸 ,  니시모리다까시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 성막 장치는, 티탄나이트라이드막의 성막 처리를 행할 때에, 회전 테이블과 각 가스 노즐을 100rpm 이상으로 상대적으로 회전시킴으로써, 반응 가스의 공급 사이클 또는 반응 생성물의 성막 사이클을 고속화하여 박막을 형성한다. 기판의 표면에 생성된 반응 생성물의 결정화에 의한 입자 직경의 조대화가 진행되기 전에, 다음 반응 생성물의 층을 상층측에 적층하여 평활한 표면을 형성한다.