公开(公告)号：KR101434709B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020100107482

申请日：2010-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다께시 ,  다께우찌야스시 ,  가또오히또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46

Abstract: 회전 테이블을 회전시켜 웨이퍼(W) 상에 BTBAS 가스를 흡착시키고, 계속해서 웨이퍼(W)의 표면에 O
3 가스를 공급하여 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된 BTBAS 가스를 산화시켜 산화 실리콘막을 성막하는 데 있어서, 웨이퍼(W)를 가열하여 산화 실리콘막을 생성시키기 위한 가열부로서, 회전 테이블의 내주측으로부터 외주측에 걸쳐서 띠 형상으로 레이저광을 조사하는 레이저 조사부를 사용한다.

公开(公告)号：KR1020120023581A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020110088910

申请日：2011-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  혼마마나부 ,  구마가이다께시 ,  다께우찌야스시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to repeat a supply cycle which successively supplies two or more kinds of reaction gases which are interacting with each other to a substrate, thereby forming a thin film by laminating a plurality of layers of reaction products. CONSTITUTION: A spinning table(2) is installed on the center of a vacuum container(1). The vacuum container comprises a container main body(12) and a ceiling plate. A plurality of load parts(24) is installed on the outer circumference of the spinning table. A core part(21) is comprised of an upper hub and a lower hub. Two convex shape parts(4A,4B) which are separated from each other are installed on the upper side of the spinning table.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，以重复供给循环，该循环依次将两种或更多种彼此相互作用的反应气体提供给基板，从而通过层叠多层反应产物形成薄膜。 构成：旋转台（2）安装在真空容器（1）的中心。 真空容器包括容器主体（12）和顶板。 多个负载部件（24）安装在纺纱台的外周。 芯部（21）由上轮毂和下轮毂构成。 彼此分离的两个凸形部分（4A，4B）安装在纺纱台的上侧。

公开(公告)号：KR1020120021222A

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：KR1020110085751

申请日：2011-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자끼시게노리 ,  가또오히또시 ,  구마가이다께시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus, a film forming method, and a storage medium are provided to offer a good device structure by changing the intensity of plasma while forming a thin film. CONSTITUTION: A loading table(2) is installed within a vacuum container(1). The loading table comprises a substrate loading domain for loading a substrate. A vacuum exhaust device makes the inside of the vacuum container vacuous. A reacting gas providing part supplies various reaction gases too the substrate which is loaded on the substrate loading domain. A plasma generation part modifies a thin film. The plasma reacts comprises a material which reacts with second reacting gas which is adsorbed on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，成膜方法和存储介质，通过在形成薄膜的同时改变等离子体的强度来提供良好的装置结构。 构成：装载台（2）安装在真空容器（1）内。 装载台包括用于装载基板的基板装载区域。 真空排气装置使真空容器的内部真空。 反应气体提供部分也提供各种反应气体，其也加载在基板装载域上。 等离子体生成部件改变薄膜。 等离子体反应包括与吸附在基板上的第二反应气体反应的材料。

公开(公告)号：KR1020040081424A

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：KR1020047007468

申请日：2003-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다께시 ,  가또오히또시 ,  이진수 ,  마꾸싱고

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452

Abstract: CVD 장치(2)는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산질화막으로 이루어지는 군으로부터 선택된 막으로 이루어지는 절연막을 형성한다. CVD 장치는 피처리 기판(W)을 수납하기 위한 처리실(8)과, 처리실 내로 피처리 기판을 지지하기 위한 지지 부재(20)와, 지지 부재에 지지된 피처리 기판을 가열하는 히터(12)와, 처리실 내를 진공 배기하는 배기부(39)와, 처리실 내에 가스를 공급하는 공급부(40)를 포함한다. 공급부는 실란계 가스로부터 실질적이 되는 제1 가스를 공급하는 제1 공급계(42)와, 산화 가스, 질화 가스 및 산질화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스로부터 실질적이 되는 제2 가스를 공급하는 제2 공급계(44)와, 탄화수소 가스로부터 실질적이 되는 제3 가스를 공급하는 제3 공급계(46)를 포함하고, 제1, 제2 및 제3 가스는 동시에 공급 가능하다.

公开(公告)号：KR101512880B1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：KR1020120052468

申请日：2012-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  우시꾸보시게히로 ,  다무라다쯔야 ,  오자끼시게노리 ,  구마가이다께시 ,  기꾸찌히로유끼

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에 기판을 반입하고, 진공 용기 내에 회전 가능하도록 설치된 회전 테이블에 기판을 적재하는 스텝과, 회전 테이블을 회전하는 스텝과, 제1 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여 제1 반응 가스를 공급하고, 제1 반응 가스를 기판에 흡착시키는 흡착 스텝과, 제2 반응 가스 공급부로부터 기판에 대하여, 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스를 공급하고, 기판에 흡착되는 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 반응시켜서 기판에 반응 생성물을 형성하는 형성 스텝과, 제1 및 제2 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 원주 방향으로 이격해서 설치되는 플라즈마 발생부에 대하여 수소 함유 가스를 공급하고, 회전 테이블의 상방에 플라즈마를 생성하는 스텝을 포함하는 성막 방법을 제공한다.

Abstract translation: 本发明是第1反应气体相对于从气体供给该第一反应基板的工序，使在真空室中的基板，并且使旋转台的用于在旋转台将衬底装载的步骤是安装成能够在真空室中可旋转 并且与第一反应气体反应的第二反应气体从第二反应气体供应单元和吸附在基板和第二反应气体上的第一反应气体供应到基板， 由气体反应形成的第二反应以形成在基板步骤的反应产物，含氢气相对于所述第一和所述等离子体产生部的供给气体被从所述第二反应气体的旋转台的圆周方向上间隔开的供给部，旋转安装 还有一个在桌子上方产生等离子体的步骤。

公开(公告)号：KR1020110048466A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：KR1020100107482

申请日：2010-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다께시 ,  다께우찌야스시 ,  가또오히또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A film formation apparatus, a film formation method, and a storage medium are provided to supply at least two kinds of reaction gas to a substrate in order by relatively rotating a substrate and a gas supply unit. CONSTITUTION: In a film formation apparatus, a film formation method, and a storage medium, a vacuum container(1) separates the ceiling from a container body. The ceiling is mounted in the container body through an O-ring on the top of the container body. A rotary table(2) has a substrate mounting area for loading a substrate. A core of a cylindrical shape is arranged at the center of the rotary table. The core unit is fixed in the top of the rotary shaft which is extended in vertical direction.

Abstract translation: 目的：提供成膜装置，成膜方法和存储介质，以通过相对旋转基板和气体供给单元来依次向基板供应至少两种反应气体。 构成：在成膜装置，成膜方法和存储介质中，真空容器（1）将天花板与容器主体分开。 天花板通过容器主体顶部的O形环安装在容器主体中。 旋转台（2）具有用于装载基板的基板安装区域。 圆筒形的芯子设置在旋转台的中心。 芯单元固定在旋转轴的顶部，其在垂直方向上延伸。

公开(公告)号：KR100903484B1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020047007468

申请日：2003-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다께시 ,  가또오히또시 ,  이진수 ,  마꾸싱고

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452

Abstract: CVD 장치(2)는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산질화막으로 이루어지는 군으로부터 선택된 막으로 이루어지는 절연막을 형성한다. CVD 장치는 피처리 기판(W)을 수납하기 위한 처리실(8)과, 처리실 내로 피처리 기판을 지지하기 위한 지지 부재(20)와, 지지 부재에 지지된 피처리 기판을 가열하는 히터(12)와, 처리실 내를 진공 배기하는 배기부(39)와, 처리실 내에 가스를 공급하는 공급부(40)를 포함한다. 공급부는 실란계 가스로부터 실질적이 되는 제1 가스를 공급하는 제1 공급계(42)와, 산화 가스, 질화 가스 및 산질화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스로부터 실질적이 되는 제2 가스를 공급하는 제2 공급계(44)와, 탄화수소 가스로부터 실질적이 되는 제3 가스를 공급하는 제3 공급계(46)를 포함하고, 제1, 제2 및 제3 가스는 동시에 공급 가능하다.
처리실, 외통, 내통, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 덮개부, 노즐

公开(公告)号：KR1020130135220A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020130142912

申请日：2013-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다께시 ,  가또오히또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4554 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4584

Abstract: Film deposition-reforming step comprises film deposition processing of depositing a silicon oxide film by making a Si-containing gas be absorbed on a wafer (W) by rotating a rotation table (2) and then supplying an O3 gas to the surface of the wafer continuously so that the Si-containing gas absorbed on the surface of the wafer reacts with the O3 gas, and reforming processing of performing reforming of the silicon oxide film by using plasma. After the film deposition-reforming step is performed, the supply of the Si-containing gas is stopped and the reforming step of the silicon oxide film using plasma is performed. [Reference numerals] (100) Control unit;(101) Memory unit;(102) Medium;(AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 薄膜沉积重整步骤包括通过使旋转台（2）旋转，然后向晶片表面供给O 3气体，通过使含Si气体吸收在晶片（W）上而沉积氧化硅膜的薄膜沉积处理 吸附在晶片表面的含Si气体与O 3气体反应，以及通过使用等离子体进行氧化硅膜的重整的重整处理。 在进行膜沉积重整步骤之后，停止供应含Si气体，并且进行使用等离子体的氧化硅膜的重整步骤。 （附图标记）（100）控制单元;（101）存储单元;（102）介质;（AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR1020120129798A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020120052468

申请日：2012-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  우시꾸보시게히로 ,  다무라다쯔야 ,  오자끼시게노리 ,  구마가이다께시 ,  기꾸찌히로유끼

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for forming a film are provided to improve the quality of a thin film by exposing the film to gas activated by plasma generation source. CONSTITUTION: A substrate is put in a vacuum chamber(1). A rotation table(2) is installed in the vacuum chamber. A substrate is mounted in the rotation table. The rotation table rotates. A reaction gas is supplied to the substrate. A reaction gas is adsorbed on the substrate to form a reactant. A gas including hydrogen is supplied to a plasma generation unit to generate plasma. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Media; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的设备和方法，以通过将膜暴露于由等离子体产生源激活的气体来提高薄膜的质量。 构成：将基板放入真空室（1）中。 旋转台（2）安装在真空室中。 基板安装在旋转台中。 旋转台旋转。 将反应气体供给到基板。 反应气体被吸附在基底上以形成反应物。 包括氢的气体被供应到等离子体产生单元以产生等离子体。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）媒体; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR1020110074698A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：KR1020100134202

申请日：2010-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌 ,  기꾸찌히로유끼 ,  오따니무네유끼 ,  구마가이다께시 ,  나루시마겐사꾸 ,  니시모리다까시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: PURPOSE: A layer forming apparatus, a layer forming method, and a computer-readable storage medium are provided to obtain a titan nitride layer having a plain surface. CONSTITUTION: A table(2) is installed in an inside of a vacuum container. The table includes a substrate loading region on which a substrate is loaded. A second reaction gas includes a first reaction gas including Ti in the substrate on the table. The second reaction gas includes nitrogen(N). The first reaction gas supply unit and the second gas supply unit supply the second reaction gas, respectively.

Abstract translation: 目的：提供层形成装置，层形成方法和计算机可读存储介质，以获得具有平坦表面的氮化钛层。 构成：在真空容器的内部安装一个工作台（2）。 该工作台包括一个衬底装载区域，衬底装载区域。 第二反应气体包括在台面上的基板中包含Ti的第一反应气体。 第二反应气体包括氮（N）。 第一反应气体供给单元和第二气体供给单元分别供给第二反应气体。