公开(公告)号：KR101383942B1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：KR1020100125335

申请日：2010-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  혼마마나부 ,  오리또고오이찌 ,  다께우찌야스시 ,  기꾸찌히로유끼

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45578

Abstract: 개시의 성막 장치는, 용기 내에 회전 가능하게 설치되며, 기판이 재치되는 기판 재치 영역을 제1 면에 포함하는 회전 테이블과, 회전 테이블의 제1 면에 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급부와, 제1 반응 가스 공급부로부터 회전 테이블의 회전 방향을 따라서 이격하고, 회전 테이블의 제1 면에 제2 반응 가스를 공급하는 제2 반응 가스 공급부와, 제1 및 제2 반응 가스 공급부 사이에 설치되며, 제1 및 제2 반응 가스를 분리하는 분리 가스를 공급하는 분리 가스 공급부와, 용기 내를 배기하기 위한 배기구와, 제1 및 제2 반응 가스 공급부 중 적어도 한쪽에 대하여 설치되며, 그 반응 가스 공급부와 회전 테이블의 제1 면 사이의 공간을 포함하는 제1 공간과, 제1 공간의 가스보다도 분리 가스가 흐르기 쉬운 제2 공간을 구획하는 공간 구획 부재를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110066096A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：KR1020100125335

申请日：2010-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  혼마마나부 ,  오리또고오이찌 ,  다께우찌야스시 ,  기꾸찌히로유끼

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45578

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to prevent the degradation of a deposition rate by reducing the dilution of a first gas and a second gas. CONSTITUTION: A spinning table(2) having rotation center is arranged at the center of a vacuum container(1). The vacuum container separates a top plate from a container. The top plate is attached to the container. A rotary shaft(22) and a driving part(23) are accepted within a cylindrical case(20). A first reaction gas providing unit supplies a first reaction gas to a first side. A second reaction gas providing unit supplies a second reaction gas to a first side of the spinning table.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过减少第一气体和第二气体的稀释度来防止沉积速率的降低。 构成：在真空容器（1）的中心配置有旋转中心的纺纱台（2）。 真空容器将顶板与容器分开。 顶板附着在容器上。 旋转轴（22）和驱动部（23）被接纳在圆筒形壳体（20）内。 第一反应气体供给单元向第一侧供给第一反应气体。 第二反应气体提供单元将第二反应气体提供给纺丝台的第一侧。

公开(公告)号：KR1020090124961A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020090046779

申请日：2009-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오리또고오이찌 ,  지바다까시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/324

CPC classification number: C03C23/0075

Abstract: PURPOSE: A method and a system for removing metal contaminant attached to a quartz member of a vertical annealing apparatus are provided to remove the metal contaminant attached to the quartz member by dipping the quartz member into a cleaning bath accommodating a cleaning solution. CONSTITUTION: A quartz member not installed in a vertical annealing apparatus is comprised. A diluted hydrofluoric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member using a diluted hydrofluoric acid. A first deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member using deionized water. A hydrochloric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member with hydrochloric acid. A second deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member with deionized water. An exhaust pipe(44) is arranged on the bottom of a cleaning bath(41) of a deionized water cleaning apparatus(4). A pump(45), a filter(46) and a valve(47) are installed in the exhaust pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种用于去除垂直退火装置的石英构件附着的金属污染物的方法和系统，以通过将石英构件浸入容纳清洁溶液的清洁浴中来除去附着在石英构件上的金属污染物。 构成：未安装在垂直退火装置中的石英部件。 通过使用稀释的氢氟酸清洗石英构件来进行稀释的氢氟酸清洗。 首先通过使用去离子水清洗石英部件来进行去离子水清洗。 用盐酸清洗石英部件进行盐酸清洗。 通过用去离子水清洗石英构件进行第二次去离子水清洗。 排气管（44）布置在去离子水清洗装置（4）的清洗槽（41）的底部。 泵（45），过滤器（46）和阀（47）安装在排气管中。

公开(公告)号：KR100771800B1

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：KR1020047018896

申请日：2004-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌 ,  기꾸찌히로유끼 ,  마꾸싱고

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3185

Abstract: 이 CVD 방법으로는 피처리 기판(W) 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 이 방법은 기판(W)을 처리 용기(8) 내에 수납하여 처리 온도로 가열하는 공정과, 처리 온도로 가열된 기판(W)에 대해 헥사에틸아미노디실란 가스와 암모니아 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 기판(W) 상에 실리콘 질화막을 퇴적하는 공정을 포함한다.
기판, 처리 용기, 노즐, 승강 기구, 매니폴드

公开(公告)号：KR101407112B1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020100084692

申请日：2010-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 제1 및 제2 반응 가스를 사용하여 피처리체 상에 박막을 형성하는 반도체처리용 성막 장치는, 진공 용기와, 배기계와, 피처리체를 적재하기 위한 회전 테이블과, 회전 테이블을 회전시키기 위한 회전 기구와, 피처리체를 제1 반응 가스를 응축시키는 온도로 설정하기 위한 온도 조정 기구를 포함한다. 진공 용기 내에, 피처리체 상에 제1 반응 가스의 응축물을 흡착시키는 제1 반응 가스 공급부, 응축물의 일부를 기화시키는 기화부, 및 제2 반응 가스를 응축물과 반응시키는 제2 반응 가스 공급부가, 회전 테이블의 회전 방향을 따라 이 순서대로 배치된다.

公开(公告)号：KR101184880B1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020090046779

申请日：2009-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오리또고오이찌 ,  지바다까시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/324

CPC classification number: C03C23/0075

Abstract: 본 발명은, 반도체 처리용 종형 열처리 장치의 반응관, 웨이퍼 보트, 보온통으로 이루어지는 군으로부터 선택된 석영 부재에 부착된 금속 오염 물질을 제거하는 것이다. 이 방법은, 상기 종형 열처리 장치에 설치되어 있지 않은 상태의 상기 석영 부재를 얻는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 희불산에 의해 세정하는 희불산 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 순수에 의해 세정하는 제1 순수 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 염산에 의해 세정하는 염산 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 순수에 의해 세정하는 제2 순수 세정을 행하는 공정을 구비한다.
세정조, DHF 세정 장치, 순수 세정 장치, HCl 세정 장치, 석영 부재

公开(公告)号：KR1020110074698A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：KR1020100134202

申请日：2010-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌 ,  기꾸찌히로유끼 ,  오따니무네유끼 ,  구마가이다께시 ,  나루시마겐사꾸 ,  니시모리다까시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: PURPOSE: A layer forming apparatus, a layer forming method, and a computer-readable storage medium are provided to obtain a titan nitride layer having a plain surface. CONSTITUTION: A table(2) is installed in an inside of a vacuum container. The table includes a substrate loading region on which a substrate is loaded. A second reaction gas includes a first reaction gas including Ti in the substrate on the table. The second reaction gas includes nitrogen(N). The first reaction gas supply unit and the second gas supply unit supply the second reaction gas, respectively.

Abstract translation: 目的：提供层形成装置，层形成方法和计算机可读存储介质，以获得具有平坦表面的氮化钛层。 构成：在真空容器的内部安装一个工作台（2）。 该工作台包括一个衬底装载区域，衬底装载区域。 第二反应气体包括在台面上的基板中包含Ti的第一反应气体。 第二反应气体包括氮（N）。 第一反应气体供给单元和第二气体供给单元分别供给第二反应气体。

公开(公告)号：KR1020100027036A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020090080137

申请日：2009-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  혼마마나부 ,  오리또고오이찌

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

Abstract: PURPOSE: A film deposition apparatus, a substrate processing apparatus, a film deposition method and a storage medium for the film deposition method are provided to form a thin film by successively applying at least two reactive gases on the surface of a substrate in order to stack a plurality of reaction product layers. CONSTITUTION: A rotating tabe(2) is fixed on a core unit(21) of a cylindrical shape. The core unit is fixed to the upper end part of a rotary shaft(22) which is expanded toward a vertical direction. A concave part(23) is formed on the surface of the rotating table in order to load a substrate. Reaction gas nozzles are installed in a vacuum container. The reaction gas nozzles are connected to gas sources by gas supply pipes in which a valve and a flux control part are interposed. The valve and the flux control part compose a gas supply system.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，基板处理装置，薄膜​​沉积方法和用于薄膜沉积方法的存储介质，以通过在基板的表面上依次施加至少两种反应性气体来形成薄膜，以便堆叠 多个反应产物层。 构成：旋转片（2）固定在圆柱形的芯单元（21）上。 芯单元固定在向垂直方向扩展的旋转轴（22）的上端部。 为了加载基板，在旋转台的表面上形成凹部（23）。 反应气体喷嘴安装在真空容器中。 反应气体喷嘴通过插入有阀和通量控制部的气体供给管连接到气体源。 阀门和通量控制部分组成供气系统。

公开(公告)号：KR1020110049710A

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020100108491

申请日：2010-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리또고오이찌 ,  혼마마나부 ,  다무라다쯔야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  Y10T137/8376

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to perform vacuum process of a substrate by discharging the air inside a vacuum container from a plurality of discharge pipes. CONSTITUTION: In a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium, a vacuum container(1) separates a ceiling plate(11) from the whole of a container body(12). A rotary table(2) is fixed to the core of a cylindrical shape. A groove is formed on the surface of the rotary table to mount a wafer. A core unit is fixed to the upper part of a rotary shaft(22) extended in vertical direction. A first discharge duct(63a) and a second discharge duct(63b) discharge the vacuum of the vacuum container.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过从多个排出管排出真空容器内的空气来进行基板的真空处理。 构成：在基板处理装置，基板处理方法和存储介质中，真空容器（1）将顶板（11）与容器主体（12）的整体分开。 旋转台（2）固定在圆筒形的芯上。 在旋转工作台的表面上形成一个槽以安装晶片。 芯单元固定在沿垂直方向延伸的旋转轴（22）的上部。 第一排出管道（63a）和第二排出管道（63b）排出真空容器的真空。

公开(公告)号：KR1020110025114A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020100084692

申请日：2010-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오리또고오이찌

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A film forming device for processing a semiconductor is provided to improve a filling property of a film by selectively forming a lot of films on the lower side of a concave unit. CONSTITUTION: A film forming device for processing a semiconductor includes a vacuum container(1), an exhaust system, a rotary table(2), a rotating device, and a temperature control device. The temperature control device sets an object at a temperature for condensing the first reaction gas. A first reactive gas supply unit absorbs the condensed material of the first reaction gas on the object. A second reaction gas supply unit reacts the second reaction gas with the condensed materials. A first reaction gas supply unit, an evaporating unit, and a second reaction gas supply unit are successively arranged in the vacuum container along the rotation direction of a rotation table.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置，通过在凹形单元的下侧选择性地形成大量的膜来提高膜的填充性能。 构成：用于处理半导体的成膜装置包括真空容器（1），排气系统，旋转台（2），旋转装置和温度控制装置。 温度控制装置在用于冷凝第一反应气体的温度下设定物体。 第一反应气体供给单元吸收物体上的第一反应气体的冷凝材料。 第二反应气体供给单元使第二反应气体与冷凝材料反应。 第一反应气体供给单元，蒸发单元和第二反应气体供给单元沿旋转台的旋转方向依次配置在真空容器内。