公开(公告)号：KR100861817B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：KR1020047000022

申请日：2002-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노즈다이스케 ,  최동균

IPC: C23C16/44

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: After semiconductor wafers are loaded into a reaction vessel, and ruthenium (Ru) film or ruthenium oxide film is formed, the interior of the reaction vessel is efficiently cleaned without contaminating the wafers. The interior of the reaction vessel is heated to a temperature of above 850°C while the pressure inside the reaction vessel is reduced to, e.g., 133 pa (1 Torr) - 13.3 Kpa (100 Torr), and oxygen gas is fed into the reaction vessel at a flow rate of, e.g., above 1.5 Lm, whereby the ruthenium film or the ruthenium oxide film formed inside the reaction vessel is cleaned off. In place of oxygen gas, active oxygen, such as O3, O* and OH*, etc. may be used.

公开(公告)号：KR1020040030784A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047000022

申请日：2002-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노즈다이스케 ,  최동균

IPC: C23C16/44

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: 반도체 웨이퍼를 반응용기내에 반입하여 루테늄(Ru)막 혹은 산화루테늄막을 성막한 후, 반응용기내를 효율적으로, 또한 웨이퍼에 대하여 오염시키지 않고 클리닝하는 것이다. 반응용기내를 850℃ 이상의 온도로 가열하는 동시에, 반응용기내의 압력을 예를 들면 133pa(1 Torr)∼13.3Kpa(100 Torr)의 감압분위기로 하고, 산소가스 예를 들면 1.5sLm 이상의 유량으로 반응용기내에 공급함으로써, 반응용기내에 성막된 상기의 막을 클리닝한다. 또한 산소가스를 사용하는 대신에, O
3 , O* 및 OH* 등의 활성산소를 사용하여도 좋다.

Abstract translation: 在将半导体晶片装载到反应容器中并且形成钌（Ru）膜或氧化钌膜之后，有效地清洁反应容器的内部而不污染晶片。 当反应容器内部的压力降低到例如133Pa（1Torr）-13.3Kpa（100Torr）时，将反应容器内部加热到高于850℃的温度，并将氧气供入 以例如1.5Lm以上的流速将反应容器内的钌膜或氧化钌膜清除掉。 代替氧气，可以使用活性氧如O3，O *和OH *等。