公开(公告)号：KR1020060002756A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057014315

申请日：2004-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31645

Abstract: It is intended to increase the crystallization temperature of a hafnium compound film useful as a film of high dielectric constant such as a gate oxide film of MOSFET. In a heated vacuum atmosphere, a vapor of hafnium organic compound together with monosilane gas or disilane gas is introduced in a reaction vessel and reacted with each other to thereby form a hafnium silicate film on a substrate. The obtained film exhibits a high crystallization temperature due to the crystallization inhibiting effect of silicon. In another embodiment, an oxygen-containing hafnium compound film is annealed in a heated ammonia gas atmosphere. This annealing also increases the crystallization temperature of the oxygen-containing hafnium compound film.

Abstract translation: 旨在提高用作高介电常数的膜的铪化合物膜的结晶温度，例如MOSFET的栅极氧化膜。 在加热的真空气氛中，将铪有机化合物与甲硅烷气体或乙硅烷气体一起蒸气引入反应容器中并彼此反应，从而在基材上形成硅酸铪膜。 由于硅的结晶抑制作用，所得膜具有高的结晶温度。 在另一个实施方案中，将氧含铪化合物膜在加热的氨气气氛中退火。 该退火还增加含氧铪化合物膜的结晶温度。

公开(公告)号：KR100737056B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 용기 내에 산화제로서 수증기를 공급하여 각 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 수분을 흡착시키는 단계(P2-P3), 처리 용기(20) 내에 원료 가스인 PET 가스를 공급하여 200℃의 공정 온도에서 웨이퍼 위의 수분과 반응시켜 탄탈 산화물로 이루어진 계면층(50)을 형성하는 단계(P4-P5), 처리 용기 내에 PET 가스와 산소 가스를 동시에 공급하여 410℃의 공정 온도에서 두 가스를 반응시켜 계면층 상에 탄탈 산화물로 이루어진 본층(51)을 형성하는 단계(P6-P7)를 포함하는 탄탈 산화막을 형성하기 위한 금속 유기 화학적 증착(MOCVD) 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020050041930A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100861817B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：KR1020047000022

申请日：2002-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노즈다이스케 ,  최동균

IPC: C23C16/44

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: After semiconductor wafers are loaded into a reaction vessel, and ruthenium (Ru) film or ruthenium oxide film is formed, the interior of the reaction vessel is efficiently cleaned without contaminating the wafers. The interior of the reaction vessel is heated to a temperature of above 850°C while the pressure inside the reaction vessel is reduced to, e.g., 133 pa (1 Torr) - 13.3 Kpa (100 Torr), and oxygen gas is fed into the reaction vessel at a flow rate of, e.g., above 1.5 Lm, whereby the ruthenium film or the ruthenium oxide film formed inside the reaction vessel is cleaned off. In place of oxygen gas, active oxygen, such as O3, O* and OH*, etc. may be used.

公开(公告)号：KR1020040030784A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047000022

申请日：2002-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노즈다이스케 ,  최동균

IPC: C23C16/44

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: 반도체 웨이퍼를 반응용기내에 반입하여 루테늄(Ru)막 혹은 산화루테늄막을 성막한 후, 반응용기내를 효율적으로, 또한 웨이퍼에 대하여 오염시키지 않고 클리닝하는 것이다. 반응용기내를 850℃ 이상의 온도로 가열하는 동시에, 반응용기내의 압력을 예를 들면 133pa(1 Torr)∼13.3Kpa(100 Torr)의 감압분위기로 하고, 산소가스 예를 들면 1.5sLm 이상의 유량으로 반응용기내에 공급함으로써, 반응용기내에 성막된 상기의 막을 클리닝한다. 또한 산소가스를 사용하는 대신에, O
3 , O* 및 OH* 등의 활성산소를 사용하여도 좋다.

Abstract translation: 在将半导体晶片装载到反应容器中并且形成钌（Ru）膜或氧化钌膜之后，有效地清洁反应容器的内部而不污染晶片。 当反应容器内部的压力降低到例如133Pa（1Torr）-13.3Kpa（100Torr）时，将反应容器内部加热到高于850℃的温度，并将氧气供入 以例如1.5Lm以上的流速将反应容器内的钌膜或氧化钌膜清除掉。 代替氧气，可以使用活性氧如O3，O *和OH *等。

公开(公告)号：KR1020060047371A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033359

申请日：2005-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지와라도모노리 ,  모로즈미유우이찌로오 ,  하라다가쯔시게 ,  나까지마시게루 ,  최동균 ,  후루야하루히꼬 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR100944831B1

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.
플랫 밴드 전압, 하프늄 실리케이트막, 반도체 웨이퍼, 실리콘 산화막

公开(公告)号：KR1020010092714A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: PURPOSE: An MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method of tantalum oxide film is provided to allow a thin tantalum oxide film to be formed with high controllability in the film thickness, and to have excellent electric properties. CONSTITUTION: First(P2-P3), water vapor used as an oxidizing agent is supplied into a process container to cause moisture to be adsorbed on a surface of each semiconductor wafer(W). Then(P4-P5), PET gas used as a raw material gas is supplied into the process container and is caused to react with the moisture on the wafer at a process temperature of 200 DEG C, thereby forming an interface layer of tantalum oxide. Then(P6-P7), PET gas and oxygen gas are supplied into the process container at the same time, and are caused to react with each other at a process temperature of 410 DEG C, thereby forming a main layer of tantalum oxide on the interface layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化钽膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法，可以形成具有高的膜厚可控性的薄氧化钽膜，并且具有优异的电性能。 构成：首先（P2-P3）将作为氧化剂使用的水蒸汽供给到处理容器中，使得水分吸附在各半导体晶片（W）的表面上。 然后，将（P4-P5）作为原料气体使用的PET气体在200℃的加工温度下供给到处理容器中，与晶片上的水分反应，形成氧化钽的界面层。 然后，将（P6-P7），PET气体和氧气同时供给到处理容器中，在410℃的处理温度下进行反应，形成氧化钽主层 界面层