公开(公告)号：KR1020120040746A

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.

公开(公告)号：KR101334946B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.