公开(公告)号：KR1020120040746A

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.

公开(公告)号：KR101334946B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.

公开(公告)号：KR101393898B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020120096087

申请日：2012-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유아사히데키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/56

Abstract: 본 발명은 CVD에 의해 불순물이 적은 니켈막을 높은 생산성으로 성막할 수 있는 니켈막의 성막 방법을 제공한다. 기판상에, 분자 구조중에 질소-탄소 결합을 갖는 배위자를 갖고 배위자중의 질소가 니켈에 배위한 구조를 갖는 니켈함유 화합물을 성막 원료로서 이용하고, 암모니아, 히드라진, 및 이들 유도체에서 선택된 1종 이상을 환원 가스로서 이용하여 CVD에 의해 초기 니켈막을 성막하는 제 1 공정과, 초기 니켈막의 위에, 분자 구조중에 질소-탄소 결합을 갖는 배위자를 갖고 배위자중의 질소가 니켈에 배위한 구조를 갖는 니켈함유 화합물을 성막 원료로서 이용하고, 수소 가스를 환원 가스로서 이용하여 CVD에 의해 주 니켈막을 성막하는 제 2 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020130025832A

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020120096087

申请日：2012-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유아사히데키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nickel film is provided to improve productivity by using H2 gas as reducing gas. CONSTITUTION: An initial Ni film is formed on a substrate by using CVD. In a first process, a Ni composite is used as a raw material. Reducing gas is used as ammonia, hydrazine, and their derivatives. In a second process, reducing gas is used as hydrogen. [Reference numerals] (AA) Nickel amidinate; (BB) Step 1; (CC) Step 2; (DD) Step 3

Abstract translation: 目的：提供一种形成镍膜的方法，以通过使用H 2气作为还原气体来提高生产率。 构成：通过使用CVD在基板上形成初始的Ni膜。 在第一种方法中，使用Ni复合材料作为原料。 使用还原气体作为氨，肼及其衍生物。 在第二种方法中，还原气体用作氢气。 （标号）（AA）脒脒; （BB）步骤1; （CC）步骤2; （DD）步骤3

公开(公告)号：KR1020120062915A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127010860

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리다카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 성막 원료로서 니켈아미디네이트를 이용하고, 환원 가스로서 암모니아, 히드라진, 및 이러한 유도체에서 선택된 적어도 1종을 이용한 CVD에 의해 기판 상에 질소를 포함한 Ni막을 성막하는 공정과, 성막된 질소를 포함하는 Ni막에 수소 가스를 공급하여, Ni를 촉매로서 원자형상 수소를 생성시키고, 생성한 원자형상 수소에 의해 상기 질소를 포함하는 Ni막으로부터 질소를 이탈시키는 공정을 포함하는 사이클을, 1회 또는 복수회 실행한다.