公开(公告)号：KR1020170060093A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020177010914

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치유우키 ,  나가이히로유키 ,  히로타요시히로 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 피처리체에존재하는에칭대상막(102)을에칭하기위한메탈하드마스크(103)는박막형성기술로형성된아몰퍼스합금막으로이뤄진다. 박막형성기술로서물리증착법을이용하는것이바람직하고, 그중에스퍼터링을매우적합하게이용할수 있다. 메탈하드마스크(103)는, 에칭대상막(102)의위에박막형성기술에의해아몰퍼스합금막을성막하고, 아몰퍼스합금막을패턴화하는것으로얻을수 있다.

Abstract translation: 用于蚀刻存在于待处理对象中的蚀刻目标膜102的金属硬掩模103由通过薄膜形成技术形成的非晶合金膜形成。 作为薄膜形成技术，优选使用物理气相沉积，并且可以适当地使用溅射。 金属硬掩模103可以通过薄膜形成技术在被蚀刻膜102的表面上形成非晶质合金膜并对该非晶质合金膜进行图案化而得到。

公开(公告)号：KR100743299B1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：KR1020057000125

申请日：2003-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  도바시가즈야 ,  스즈키미키오 ,  마가라다카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.

公开(公告)号：KR1020050013668A

公开(公告)日：2005-02-04

申请号：KR1020057000125

申请日：2003-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  도바시가즈야 ,  스즈키미키오 ,  마가라다카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.

公开(公告)号：KR102084691B1

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：KR1020180046752

申请日：2018-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와코지 ,  사메시마타카시 ,  아오야마신타로 ,  스즈키미키오 ,  아리마스스무 ,  마츠모토아츠시 ,  시바타나오키

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101334946B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.

公开(公告)号：KR101923841B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020177010914

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기쿠치유우키 ,  나가이히로유키 ,  히로타요시히로 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 피처리체에존재하는에칭대상막(102)을에칭하기위한메탈하드마스크(103)는박막형성기술로형성된아몰퍼스합금막으로이뤄진다. 박막형성기술로서물리증착법을이용하는것이바람직하고, 그중에스퍼터링을매우적합하게이용할수 있다. 메탈하드마스크(103)는, 에칭대상막(102)의위에박막형성기술에의해아몰퍼스합금막을성막하고, 아몰퍼스합금막을패턴화하는것으로얻을수 있다.

公开(公告)号：KR1020120106566A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120023318

申请日：2012-03-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홋타타카노부 ,  노로나오타카 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for treating a substrate is provided to control the coherence of a nickel film by heating a wafer under the hydrogen atmosphere. CONSTITUTION: A nickel film(304) is formed on a substrate to be processed. The substrate to be processed is heated to predetermined temperature under the hydrogen atmosphere. The predetermined temperature is higher than or equal to 300degrees. A cap membrane(306) covering the surface of the nickel film is formed on the substrate to be processed. The cap membrane is formed with gas including one among tungsten, titanium, titanium nitride, tantalum, or tantalum nitride by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.

Abstract translation: 目的：提供一种处理基板的方法，以通过在氢气氛下加热晶片来控制镍膜的相干性。 构成：在被处理基板上形成镍膜（304）。 将待处理的基板在氢气氛下加热至预定温度。 预定温度高于或等于300度。 在被处理基板上形成覆盖镍膜表面的盖膜（306）。 通过CVD（化学气相沉积）方法，通过钨，钛，氮化钛，钽或氮化钽中的一种形成盖膜。

公开(公告)号：KR1020120040746A

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020127006625

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리타카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속 실리사이드막의 형성 방법은 표면에 실리콘 부분을 가지는 기판을 준비하는 공정(단계 1)과, 질소를 함유하는 금속 화합물을 성막 원료로서 이용한 CVD에 의해 실리콘 부분의 표면에 금속막을 성막하는 공정(단계 2)과, 그 후, 기판에 수소 가스 분위기에서 어닐링을 실시하여 금속막과 실리콘 부분과의 반응에 의해 금속 실리사이드를 형성하는 공정(단계 3)을 가진다.

公开(公告)号：KR1020120062915A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127010860

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리다카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 성막 원료로서 니켈아미디네이트를 이용하고, 환원 가스로서 암모니아, 히드라진, 및 이러한 유도체에서 선택된 적어도 1종을 이용한 CVD에 의해 기판 상에 질소를 포함한 Ni막을 성막하는 공정과, 성막된 질소를 포함하는 Ni막에 수소 가스를 공급하여, Ni를 촉매로서 원자형상 수소를 생성시키고, 생성한 원자형상 수소에 의해 상기 질소를 포함하는 Ni막으로부터 질소를 이탈시키는 공정을 포함하는 사이클을, 1회 또는 복수회 실행한다.

公开(公告)号：KR1020080045652A

公开(公告)日：2008-05-23

申请号：KR1020070118450

申请日：2007-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  야마사키히데아키 ,  사코다도모유키 ,  스즈키미키오 ,  나카무라겐지 ,  레우싱크게리트제이

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: A method of integrating metal-containing films into a semiconductor device is provided to deposit and integrate a tungsten-containing film and another metal-containing film of the low pollution level into the semiconductor device. A substrate is provided into a process chamber(210). A tungsten-containing film is deposited on the substrate at a first substrate temperature by exposing the substrate in a deposition gas containing tungsten carbonyl precursor(220). The tungsten-containing film is annealed at a second substrate temperature higher than the first substrate temperature, so as to eliminate CO gas(230). A barrier layer is formed on the annealed tungsten containing film(240).

Abstract translation: 提供了将含金属膜整合到半导体器件中的方法，以将含钨薄膜和低污染等级的含金属膜沉积并整合到半导体器件中。 衬底被提供到处理室（210）中。 通过在含有羰基钨前体（220）的沉积气体中暴露衬底，在第一衬底温度下在衬底上沉积含钨膜。 含钨膜在高于第一基板温度的第二基板温度下退火，以便消除CO气体（230）。 在退火的含钨膜（240）上形成阻挡层。