公开(公告)号：KR101423019B1

公开(公告)日：2014-07-28

申请号：KR1020140008361

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이찌 ,  야마우찌쇼오헤이 ,  나까지마시게루 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명의 과제는 측벽부의 형성의 기초가 되는 패턴을 레지스트에 의해 형성하는 경우라도, 측벽부의 기울어짐을 억제할 수 있는 미세 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
기판 상에 형성된 에칭 대상층 상에 유기막을 형성하는 유기막 형성 스텝과, 유기막 상에 레지스트막을 형성하여, 이 레지스트막을 패터닝하는 패터닝 스텝과, 패터닝된 레지스트막으로부터 노출되는 유기막과, 패터닝된 레지스트막을 덮도록 산화실리콘막을 상온에서 퇴적하는 퇴적 스텝과, 기판을 가열하여 산화실리콘막에 인장 응력을 발생시키는 가열 스텝과, 처리 스텝 후에, 패터닝된 레지스트막의 측벽에 산화실리콘막이 남도록 당해 산화실리콘막을 에칭하는 제1 에칭 스텝과, 패터닝된 레지스트막을 제거하는 제거 스텝을 포함하는 미세 패턴의 형성 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100234661B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019930024796

申请日：1993-11-19

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도꾜일렉트론야마나시 가부시끼가이샤

Inventor： 고지마마사유끼 ,  이또요시가즈 ,  도미다가즈시 ,  도자와시게끼 ,  이이무로순이찌 ,  아라사와마사사 ,  니시무라에이이찌

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3345

Abstract: 본 발명은 에칭의 이방성의 정도에 관한 피처리기판의 면내균일성을 향상시키고, 이방성 에칭에 의해 형성되는 피에칭측면을 직각으로 접근시키기 위한 것으로, 평행평판형의 플라스마 에칭장치는 처리실(1)내에 배치된 서셉터전극과 샤워전극을 구비하며, 서셉터전극상에 반도체 웨이퍼가 설치되고, 샤워전극에는 복수의 처리가스공급구멍에 의해 규정되는 샤워영역(SR)이 형성된다. 샤워전극은 냉각블록에 의해 냉각되고, 이에 의해 샤워전극의 유효전극부는 그 주변이 그 중심보다 온도가 낮은 온도균배를 갖는다. 사워영역(SR)의 직경은 웨이퍼의 직경보다 5~25% 작고, 유효전극부의 온도균배에 기인하여 발생하는 에칭의 이방성의 정도에 관한 웨이퍼의 면내균일성의 저하를 보상하도록 선택된다. 또, 유효전극부의 직경은 웨이퍼(W)의 치수보다도 5~35% 크고, 에칭에 의해 형성되는 피에칭측벽의 테이퍼각이 85도~90도가 되도록 선택된다.

公开(公告)号：KR1020120021253A

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：KR1020110086939

申请日：2011-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이찌 ,  야마우찌쇼오헤이 ,  나까지마시게루 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F1/80 ,  H01L21/32139

Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro-pattern is provided to control the inclination of a sidewall part by heating a wafer which forms a silicon oxide layer in the high temperatures. CONSTITUTION: A resist film(104) formed on an organic film(103) is patterned. A silicon dioxide film(105) is piled on a substrate in the room temperature in order to cover the organic film and the patterned resist film. Tensile stress is created on the silicon dioxide film by heating the substrate in which the silicon dioxide film is piled. A silicon nitride film is piled on the heated silicon dioxide film. A sidewall part(105a) is formed by etching the silicon dioxide film. The patterned resist film is eliminated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成微图案的方法，以通过在高温下加热形成氧化硅层的晶片来控制侧壁部分的倾斜。 构成：形成在有机膜（103）上的抗蚀剂膜（104）被图案化。 在室温下将二氧化硅膜（105）堆叠在基板上，以覆盖有机膜和图案化的抗蚀剂膜。 通过加热二氧化硅膜堆叠的基板，在二氧化硅膜上产生拉伸应力。 将氮化硅膜堆叠在加热的二氧化硅膜上。 通过蚀刻二氧化硅膜形成侧壁部（105a）。 去除图案化的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR1020140029501A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020140008361

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이찌 ,  야마우찌쇼오헤이 ,  나까지마시게루 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273

Abstract: The object of the present invention provides a method for forming a micro pattern capable of preventing a sidewall part from being tilted even when a pattern which is a base of forming the sidewall is formed by resist. The method for forming a micro pattern includes an organic formation step of forming an organic layer on an etch object layer formed on a substrate, a patterning step of patterning a resist layer by forming the resist layer on the organic layer, a deposition step of depositing an oxide silicon layer at room temperature to cover the patterned resist layer and the organic layer exposed from the patterned resist layer, a heating step of generating tensile strength in the oxide silicon layer by heating the substrate, a first etching step of etching the oxide silicon layer to leave the oxide silicon layer in the sidewall of the patterned resist layer after a process step, and a removal step of removing the patterned resist layer. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S101) Deposit a thin layer(102) on a wafer(W); (S102) Deposit an organic layer(103) on the thin layer(102); (S103) Form a resist layer(104) on the organic layer(103); (S104) Form a resist pattern(104a) by patterning the resist layer(104); (S105) Form a resist pattern(104b) by trimming the resist pattern(104a); (S106) Deposit an oxide silicon layer(105) to cover the resist pattern(104b) at room temperature; (S107) Thermally process the oxide silicon layer(105); (S108) Obtain a sidewall part(105a) by etching the oxide silicon layer(105); (S109) Remove the remaining resist pattern(104b) and form an etching mask(107) by the sidewall part(105a); (S110) Etch the thin layer(102) using the etching mask(107)

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成能够防止侧壁部分倾斜的微型图案的方法，即使通过抗蚀剂形成作为形成侧壁的基底的图案。 形成微图案的方法包括在形成在基板上的蚀刻对象层上形成有机层的有机形成步骤，通过在有机层上形成抗蚀剂层图案化抗蚀剂层的图案化步骤，沉积步骤 在室温下覆盖氧化硅层以覆盖图案化的抗蚀剂层和从图案化的抗蚀剂层暴露的有机层，通过加热衬底在氧化物硅层中产生拉伸强度的加热步骤，蚀刻氧化物硅的第一蚀​​刻步骤 在工艺步骤之后，在图案化的抗蚀剂层的侧壁中留下氧化物硅层，以及去除图案化的抗蚀剂层的去除步骤。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S101）在薄片（W）上沉积薄层（102）; （S102）在薄层（102）上沉积有机层（103）; （S103）在有机层（103）上形成抗蚀剂层（104）。 （S104）通过图案化抗蚀剂层（104）形成抗蚀剂图案（104a）。 （S105）通过修整抗蚀剂图案（104a）形成抗蚀剂图案（104b）。 （S106）在室温下沉积氧化硅层（105）以覆盖抗蚀剂图案（104b）; （S107）对氧化硅层（105）进行热处理; （S108）通过蚀刻氧化硅层（105）获得侧壁部（105a）。 （S109）去除剩余的抗蚀剂图案（104b），并通过侧壁部分（105a）形成蚀刻掩模（107）; （S110）使用蚀刻掩模（107）蚀刻薄层（102）

公开(公告)号：KR1019940011662A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：KR1019930024796

申请日：1993-11-19

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도꾜일렉트론야마나시 가부시끼가이샤

Inventor： 고지마마사유끼 ,  이또요시가즈 ,  도미다가즈시 ,  도자와시게끼 ,  이이무로순이찌 ,  아라사와마사사 ,  니시무라에이이찌

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명은 에칭의 이방성의 정도에 관한 피처리기판의 면내균일성을 향상시키고, 이방성 에칭에 의해 형성되는 피에칭측면을 직각으로 접근시키기 위한 것으로, 평행평판형의 플라스마 에칭장치는 처리실(1)내에 배치된 서셉터전극과 샤워전극을 구비하며, 서셉터전극상에 반도체 웨이러가 설치되고, 샤워전극에는 복수의 처리가스공급구멍에 의해 규정되는 샤워영역(SR)이 형성된다. 샤워전극은 냉각블록에 의해 냉각되고, 이에 의해 샤워전극의 유효전극부는 그 주변이 그 중심보다 온도가 낮은 온도균배를 갖는다. 샤워영역(SR)의 직경은 웨이퍼의 직경보다도 5∼25%작고, 유효전극부의 온도균배에 기인하여 발생하는 에칭의 이방성의 정도에 관한 웨이퍼의 면내균일성의 저하를 보상하도록 선택된다. 또, 유효전극부의 직경은 웨이퍼(W)의 치수보다도 5∼35%크고, 에칭에 의해 형성되는 피에칭측벽의 테이퍼각이 85도∼90도가 되도록 선택된다.