公开(公告)号：KR1020050010021A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：KR1020047019644

申请日：2003-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  오힌 ,  다나카히데키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 본 발명에서는, 예를 들면 기준으로 하는 플라즈마 처리 장치(100A)와 이것과 동종의 플라즈마 처리 장치(100B)에 대해서 제 1 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 각각의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 각각 다변량 해석하여 각각의 다변량 해석 모델식을 작성한 후, 새로운 제 2 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 플라즈마 처리 장치(100A)의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 이용하여 그 다변량 해석 모델식을 작성하고, 이 새로운 제 2 설정 데이터의 플라즈마 처리 장치(100A)의 다변량 해석 모델식과 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 이용하여 새로운 제 2 설정 데이터에 대응하는 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 작성한다. 이에 의하면, 예를 들면 처리 장치마다 프로세스 특성에 차가 있는 경우이더라도, 하나의 처리 장치에 대해서 작성한 모델식을 동종의 다른 처리 장치에 그대로 적용할 수 있어, 처리 장치마다 여러 가지의 측정 데이터를 취해서 그 때마다 모델식을 작성하지 않더라도 완료된다. 이에 의해, 모델식 작성시의 수고와 시간을 경감할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080042717A

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：KR1020070113701

申请日：2007-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데키 ,  사이토스스무

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

Abstract: An apparatus for processing a substrate and a method for analyzing the same are provided to improve detection accuracy of a status in a receiving room by reflecting a status only in a receiving room on a gas analysis result. A substrate processing apparatus is provided with a receiving room for receiving a substrate and a gas inducing unit for inducing gas into the receiving room. A before-inducing gas analysis instrument(35) analyzes gas before being induced into the receiving room. An after-passing gas analysis instrument(34) analyzes gas after passing a process space prepared in the receiving room. A status detecting instrument(36) detects a status in the receiving room based on the results from the before-inducing gas analysis instrument and the after-passing gas analysis instrument. The status detecting instrument calculates the variation of the analysis result of the after-passing gas analysis instrument between before and after of a maintenance operation of the receiving room and reflects the calculated variation to correct the analysis result.

Abstract translation: 提供了一种用于处理基板的装置及其分析方法，以通过在气体分析结果中仅在接收室中反映状态来提高接收室中的状态的检测精度。 基板处理装置设置有用于接收基板的接收室和用于将气体引入接收室的气体诱导单元。 诱导前气体分析仪（35）在诱导到接收室之前分析气体。 经过气体分析仪器（34）在通过接收室中准备的处理空间之后分析气体。 状态检测装置（36）基于来自前导气分析仪和先导气体分析仪的结果检测接收室内的状态。 状态检测仪器计算接收室维护操作前后的先导气体分析仪的分析结果的变化，并反映计算出的变化，以校正分析结果。

公开(公告)号：KR100628392B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020047019644

申请日：2003-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  오힌 ,  다나카히데키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 본 발명에서는, 예를 들면 기준으로 하는 플라즈마 처리 장치(100A)와 이것과 동종의 플라즈마 처리 장치(100B)에 대해서 제 1 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 각각의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 각각 다변량 해석하여 각각의 다변량 해석 모델식을 작성한 후, 새로운 제 2 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 플라즈마 처리 장치(100A)의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 이용하여 그 다변량 해석 모델식을 작성하고, 이 새로운 제 2 설정 데이터의 플라즈마 처리 장치(100A)의 다변량 해석 모델식과 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 이용하여 새로운 제 2 설정 데이터에 대응하는 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 작성한다. 이에 의하면, 예를 들면 처리 장치마다 프로세스 특성에 차가 있는 경우이더라도, 하나의 처리 장치에 대해서 작성한 모델식을 동종의 다른 처리 장치에 그대로 적용할 수 있어, 처리 장치마다 여러 가지의 측정 데이터를 취해서 그 때마다 모델식을 작성하지 않더라도 완료된다. 이에 의해, 모델식 작성시의 수고와 시간을 경감할 수 있다.

公开(公告)号：KR100938012B1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：KR1020070113701

申请日：2007-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데키 ,  사이토스스무

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

Abstract: 수용실 내의 상태를 정확히 검지할 수 있는 기판 처리 장치의 분석 방법을 제공한다.
프로세스 모듈(2)에 있어서, 챔버 내 부품의 교환 직전에 챔버 도입 전의 처리 가스의 발광 강도(42) 및 챔버 내 통과 후의 처리 가스의 발광 강도(43)를 측정하여, 챔버 내 부품 교환 직후, 챔버 도입 전의 처리 가스의 발광 강도(44)가 발광 강도(42)와 일치하는 경우, 챔버 내 통과 후의 처리 가스의 발광 강도(45)를 측정하고, 해당 발광 강도(45) 및 발광 강도(43)의 변동량(47)을 산출하고, 웨이퍼(W)로의 플라즈마 처리의 개시 후, 챔버 내 통과 후의 처리 가스의 발광 강도(48)를 측정하고, 해당 발광 강도(48)로부터 상기 발광 강도의 변동량(47)을 제거하여 챔버(10) 내의 상태를 실제로 반영한 발광 강도(49)를 산출하고, 해당 발광 강도(49)로부터 플라즈마 처리의 종점을 검지한다.