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公开(公告)号：KR100593256B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020027008049
申请日：2000-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.
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公开(公告)号：KR100349064B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019940040232
申请日：1994-12-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스케 , 다하라가즈히로 , 쓰치야히로시 , 도모야스마사유키 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 노나카료 , 히로세게이조 , 후카사와요시오 , 고시이시아키라 , 고바야시이사오
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。
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公开(公告)号：KR1020070117579A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020077020516
申请日：2005-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B2219/31356 , G05B2219/32179 , G05B2219/45031 , Y02P80/40 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
Abstract: A method for implementing FDC in an APC system including receiving an FDC model from memory; providing the FDC model to a process model calculation engine; computing a vector of predicted dependent process parameters using the process model calculation engine; receiving a process recipe comprising a set of recipe parameters, providing the process recipe to a process module; executing the process recipe to produce a vector of measured dependent process parameters; calculating a difference between the vector of predicted dependent process parameters and the vector of measured dependent process parameters; comparing the difference to a threshold value; and declaring a fault condition when the difference is greater than the threshold value.
Abstract translation: 一种用于在APC系统中实现FDC的方法，包括从存储器接收FDC模型; 将FDC模型提供给过程模型计算引擎; 使用过程模型计算引擎计算预测的依赖过程参数的向量; 接收包括一组配方参数的处理配方，向处理模块提供处理配方; 执行过程配方以产生测量的依赖过程参数的向量; 计算预测的依赖过程参数的向量与测量的依赖过程参数的向量之间的差; 将差值与阈值进行比较; 并且当差值大于阈值时声明故障状况。
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公开(公告)号：KR100158235B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SIC 막으로 구성된다. SIC 막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1019940006193A
公开(公告)日：1994-03-23
申请号：KR1019930011795
申请日：1993-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265
Abstract: 반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SiC 막으로 구성된다. SiC막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100612736B1
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：KR1020050001514
申请日：2005-01-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32935 , G05B2219/32201 , G05B2219/45031 , H01J37/32091 , H01L21/67069 , Y02P90/22
Abstract: 플라즈마 처리 장치에 의한 처리 결과의 예측 등의 정밀도를 높일 수 있음과 더불어, 모델 작성시의 부담을 경감시킨다. 기준이 되는 운전 조건 A, B에 따른 계측 데이터 Xa, Xb를 계측 데이터 기억부(202)에 기억하고, 다변량 해석에 의해서 작성된 모델 Ka, Kb를 해석 처리 결과 기억부(210)에 기억하고, 새로운 운전 조건P에 의한 계측 데이터 Xp를 계측 데이터 기억부(202)에 기억하고, 해석 처리부(208)에 의해서, 계측 데이터 Xp를 계측 데이터 Xa와 계측 데이터 Xb에 각각 가중 계수 Wa, Wb를 곱한 것을 더한 가중 부가 계측 데이터로 하는 것에 의해서 가중 계수 Wa, Wb를 구하고, 모델 Ka와 모델 Kb에 각각 가중 계수 Wa, Wb를 곱한 것을 더함으로써, 새로운 운전 조건 P에 근거한 모델 Kp를 구하도록 했다.
다변량 해석, 부가가중계수, 운전 조건-
公开(公告)号：KR1020050073414A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：KR1020050001514
申请日：2005-01-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32935 , G05B2219/32201 , G05B2219/45031 , H01J37/32091 , H01L21/67069 , Y02P90/22
Abstract: 플라즈마 처리 장치에 의한 처리 결과의 예측 등의 정밀도를 높일 수 있음과 더불어, 모델 작성시의 부담을 경감시킨다. 기준이 되는 운전 조건 A, B에 따른 계측 데이터 Xa, Xb를 계측 데이터 기억부(202)에 기억하고, 다변량 해석에 의해서 작성된 모델 Ka, Kb를 해석 처리 결과 기억부(210)에 기억하고, 새로운 운전 조건P에 의한 계측 데이터 Xp를 계측 데이터 기억부(202)에 기억하고, 해석 처리부(208)에 의해서, 계측 데이터 Xp를 계측 데이터 Xa와 계측 데이터 Xb에 각각 가중 계수 Wa, Wb를 곱한 것을 더한 가중 부가 계측 데이터로 하는 것에 의해서 가중 계수 Wa, Wb를 구하고, 모델 Ka와 모델 Kb에 각각 가중 계수 Wa, Wb를 곱한 것을 더함으로써, 새로운 운전 조건 P에 근거한 모델 Kp를 구하도록 했다.
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公开(公告)号：KR1020020063253A
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1020027008049
申请日：2000-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법과, 상기 배플 플레이트의 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.
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公开(公告)号：KR101108856B1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020077020516
申请日：2005-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B2219/31356 , G05B2219/32179 , G05B2219/45031 , Y02P80/40 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
Abstract: 본 발명은 APC 시스템에서 FDC를 구현하는 방법에 있어서, 메모리로부터 FDC 모델을 수신하는 단계와; FDC 모델을 프로세스 모델 계산 엔진에 제공하는 단계와; 프로세스 모델 계산 엔진을 이용하여 예측 의존 프로세스 매개변수의 벡터를 연산하는 단계와; 레시피 매개변수를 포함하는 프로세스 레시피를 수신하고 프로세스 레시피를 프로세스 모듈에 제공하는 단계와; 프로세스 레시피를 실행하여 측정 의존 프로세스 매개변수의 벡터를 생성하는 단계와; 예측 의존 프로세스 매개변수의 벡터와 측정 의존 프로세스 매개변수의 벡터 간의 차이를 계산하는 단계와; 상기 차이를 임계값과 비교하는 단계와; 상기 차이가 임계값보다 더 클 때 결함 상태를 선언하는 단계를 포함하는 FDC 구현 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100674625B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020027002155
申请日：2000-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은, 보다 미세화에 대응 가능한 고밀도 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리에 있어서, 전극 표면에서 전계분포의 불균일을 작게 하는 것이 가능하고, 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 것이 가능한 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법을 제공한다.
챔버내에 서로 대향하도록 설치된 제1 및 제2전극(21,5)을 배치하고, 급전면인 제1전극(21)의 상기 제2전극(5)에 대향하는 면과 반대측의 면으로부터 미소 이격해서 급전판(52)을 배치하고, 급전판(52)에서 제1전극(21)의 급전면의 중심에 대응하는 위치로부터 직경방향으로 벗어난 위치에 급전봉(51)을 접속하며, 급전판(52)을 회전시켜서 급전봉(51)의 급전위치를 상기 제1전극의 급전면상에서 회전시킨다. 이와 같이 해서 급전해서, 제1 및 제2전극(21,5) 사이에 고주파 전계를 형성하는 것에 의해 플라즈마를 형성하고, 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시한다.
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