公开(公告)号：KR101204640B1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：KR1020097026362

申请日：2008-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  다다노리토모

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: 진공 처리 시스템(1)은, 웨이퍼(W)에 대하여 진공 하에서 CVD 처리를 수행하는 CVD 처리 챔버(12~15)와, 웨이퍼(W)를 반입/반출하는 반입/반출구(31)를 가지며, 반입/반출구(31)를 개폐할 수 있는 게이트 밸브(G)를 통해 CVD 처리 챔버(12~15)가 접속되고, 웨이퍼(W)를, 반입/반출구(31)를 통해 CVD 처리 챔버(12~15)에 대하여 반입/반출하는 반송 기구(16)를 포함하며, 그 내부가 진공 상태로 유지되는 반송실(11)과, 반입/반출구(31) 근방에 설치되며, 게이트 밸브(G)를 개방하여 반송실(11)과 어느 하나의 CVD 처리 챔버가 연통된 상태에서 반입/반출구(31)를 경유해 그 CVD 처리 챔버로 퍼지 가스를 토출하는 퍼지 가스 토출 부재(51)를 포함한다.

Abstract translation: 真空处理系统1具有用于在真空下对晶片W进行CVD处理的CVD处理室12至15以及用于装载/卸载晶片W的装载/卸载端口31， CVD处理室12至15经由能够打开和关闭装载/卸载端口31的闸阀G连接，并且晶片W被传送至CVD处理室 传送室11，其中传送室11的内部保持在真空状态;以及设置在装载/卸载端口31附近的门阀G（未示出） 并且，净化气体排出部件51在一个CVD处理室与运送室11连通的状态下经由运入搬出口31向CVD处理室排出净化气体 的。

公开(公告)号：KR1020110120339A

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020117022133

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다노리토모 ,  호리우치다카시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 피처리체를 냉각하는 냉각 방법을 개시한다. 이 냉각 방법은 가열 상태에 있는 피처리체를 스테이지 상에 탑재하는 공정과, 스테이지 상에 탑재된 피처리체 중심을 포함하는 중심 근방의 영역에 냉각 가스를 분사하고, 피처리체를 냉각하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100055358A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020097026362

申请日：2008-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  다다노리토모

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: A vacuum processing system is provided with CVD processing chambers (12-15), a transfer chamber (11) and a purge gas discharging member (51). In each of the CVD processing chambers, CVD processing is performed to a wafer (W) under a vacuum state. The transfer chamber has a carry in/out port (31) for carrying in/out the wafer (W), and the CVD processing chambers (12-15) are connected to the transfer chamber through a gate valve (G) which can open/close the carry in/out port (31). The transfer chamber is provided with a transfer mechanism (16) for carrying in/out the wafer (W) to/from the CVD processing chambers (12-15) through the carry in/out port (31), and inside of the transfer chamber is kept in a vacuum state. The purge gas discharging member is arranged at the vicinity of the carry in/out port (31) for discharging a purge gas into the CVD processing chamber through the carry in/out port (31), in a state where the gate valve (G) is opened and the transfer chamber (11) is communicated with one of the CVD processing chambers.

Abstract translation: 真空处理系统设置有CVD处理室（12-15），传送室（11）和吹扫气体排出构件（51）。 在每个CVD处理室中，在真空状态下对晶片（W）进行CVD处理。 传送室具有用于进出晶片（W）的输入/输出端口（31），并且CVD处理室（12-15）通过可以打开的闸阀（G）连接到传送室 /关闭进/出口（31）。 传送室设置有传送机构（16），用于通过进/出端口（31）将晶圆（W）送入/离开CVD处理室（12-15），并且传送内部 室保持在真空状态。 吹扫气体排出构件设置在进出口（31）附近，用于通过输入/输出口（31）将清洗气体排放到CVD处理室中，其中闸阀（G ）打开，并且传送室（11）与CVD处理室中的一个连通。