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公开(公告)号：KR1020210008550A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：KR1020210004431
申请日：2021-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명의과제는타겟으로부터의입자의기판에대한입사각도를소망의각도로설정하는것이가능한성막시스템을제공한다. 해결수단으로서, 일실시형태의성막시스템에서는, 챔버, 스테이지, 홀더, 캐소드마그넷, 실드, 제 1 이동기구, 및제 2 이동기구를구비한다. 스테이지는, 챔버의처리공간내에서, 기판을지지하도록구성되어있다. 홀더는, 타겟을보지하도록구성되어있다. 캐소드마그넷은, 타겟에대하여챔버의외측에마련되어있다. 실드는, 슬릿을제공한다. 제 1 이동기구는, 스테이지와타겟사이에서, 주사방향을따라서실드를이동시키도록구성되어있다. 제 2 이동기구는, 캐소드마그넷을주사방향을따라서이동시키도록구성되어있다.
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公开(公告)号：KR20180037621A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR20187008876
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
Abstract translation: 一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。
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公开(公告)号：KR1020110023792A
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020100083122
申请日：2010-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/203
CPC classification number: C23C16/52 , H01L21/67276
Abstract: PURPOSE: A method for using a dummy substrate is provided to suppress the bending of the dummy substrate by making a transfer schedule of the corresponding dummy substrate with regard to a process chamber based on a process schedule. CONSTITUTION: A film formation history about a plurality of dummy substrates is made by a computer(6) based on a process recipe which is executed on a process chamber. The film formation history includes a kind of films and a film thickness. The curvature of the dummy substrate is obtained by the computer based on curvature data(66) and the film formation history of the dummy substrate. A transfer schedule about a process chamber is made based on the process schedule, the curvature data, and the curvature of the dummy substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用虚设基板的方法，通过基于处理进度，通过对处理室进行相应的虚设基板的转印调度来抑制虚设基板的弯曲。 构成：基于在处理室中执行的处理配方，由计算机（6）制作关于多个虚拟基板的成膜历史。 成膜历史包括一种薄膜和一种薄膜厚度。 通过基于曲率数据（66）的计算机和虚拟衬底的成膜历史来获得虚拟衬底的曲率。 基于处理时间表，曲率数据和虚拟基板的曲率来进行关于处理室的传送调度。
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公开(公告)号：KR101336420B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020110069572
申请日：2011-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67736
Abstract: 본 발명은 복수의 처리 영역에 있어서 각각 기판에 대해 진공 처리를 실행함에 있어서, 장치 전체의 풋프린트를 억제하면서, 기판의 이송 탑재에 요하는 시간을 짧게 억제할 수 있는 진공 처리 장치를 제공한다. 제 1 및 제 2 로드록실(2a, 2b)간에, 상류측에서 하류측을 향해 일렬로 3개의 처리 유닛(11) 및 반송 모듈(12)을 순차적으로 기밀하게 배열한다. 또한, 각각의 처리 유닛(11)내에 상류측으로부터 웨이퍼(W)를 이송 탑재하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 배치하는 동시에, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 실행하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 반송 모듈(12)내에 마련한다. 그리고, 제 1 로드록실(2a)로부터 상류단의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 상류측의 처리 유닛(11a)으로부터 하류측의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 동시에 실행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130035924A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120107787
申请日：2012-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering system and a method thereof are provided to uniformly form high density plasma by linearly arranging magnets formed in the outermost part. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target. A magnet arrangement body(5) arranges a magnet group(52) in a basic body. A rotation tool rotates the arrangement body around a substrate. A magnet positioned in the outermost part of the magnet group is linearly arranged. The distance between the substrate and the target is 30 mm or less.
Abstract translation: 目的：提供磁控溅射系统及其方法，通过直线排列形成在最外部的磁体来均匀地形成高密度等离子体。 构成：电源单元向目标电压施加电压。 磁体排列体（5）将磁体组（52）布置在基体内。 旋转工具使布置体围绕衬底旋转。 位于磁体组的最外部的磁体线性排列。 基板与靶之间的距离为30mm以下。
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公开(公告)号：KR101167788B1
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：KR1020100083122
申请日：2010-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은 더미 기판의 휘어짐을 억제할 수 있는 기판 처리 장치에 있어서의 더미 기판의 사용 방법을 제공한다. 더미 기판 격납부에 격납되어 있는 복수의 더미 기판의 각각에 대해서, 프로세스 챔버에서 실행되는 프로세스 레시피에 근거하여, 성막된 막의 종별과 막 두께를 포함하는 성막 이력을 컴퓨터에 의해 작성하는 공정과; 막의 종별마다 막 두께와 성막에 의한 기판의 곡률 변화를 대응시킨 곡률 데이터를 이용하고, 이 곡률 데이터와 더미 기판의 상기 성막 이력에 근거하여, 해당 더미 기판의 곡률을 컴퓨터에 의해 구하는 공정과; 구해진 더미 기판의 곡률과, 곡률 데이터와, 성막 처리의 막의 종별 및 막 두께를 포함하는 프로세스 스케줄에 근거하여, 더미 기판의 휘어짐이 억제되도록 프로세스 챔버에 대한 반송 스케줄을 작성하는 공정을 실행한다.
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公开(公告)号：KR100723079B1
公开(公告)日：2007-05-29
申请号：KR1020057021540
申请日：2004-05-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/4412 , H01L21/28556 , H01L21/28562
Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.
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公开(公告)号：KR1020140036978A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020130110920
申请日：2013-09-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67703 , H01L21/6719 , H01L21/67196
Abstract: A processing system is provided. A transfer device for transferring a substrate and is maintained in a vacuum state, and a process unit (1-4) which is connected to the transfer room (5) and performs a preset process on the substrate are formed. The process unit (1-4) has a first chamber (51) which performs a preset process on the substrate and a second chamber (81) which can be separated from the first chamber (51) and performs a preset process on the substrate in a mounting process. The wall part of the first chamber (51) and the second chamber (81) is maintained in a different temperate condition.
Abstract translation: 提供处理系统。 一种用于传送基板并保持在真空状态的转印装置，并且形成一个连接到转印室（5）并在基板上执行预设处理的处理单元（1-4）。 处理单元（1-4）具有在基板上执行预设处理的第一室（51）和可与第一室（51）分离的第二室（81），并对基板进行预设处理 一个安装过程。 第一室（51）和第二室（81）的壁部分保持在不同的温度条件下。
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