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公开(公告)号：KR100284236B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019960014202
申请日：1996-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은, 진공펌프에 의해 처리장치로부터 배기가스를 흡수 및 방출하는 진공배기시스템에 매설되어 배기가스에 함유된 혼입물을 트래하는 트랩장치에 있어서, 상기 진공펌프의 상류측에서 배기통로에 매설된 트랩용 통로용기와, 이 트랩용 통로용기내에 수용되어 상기 배기가스를 소정의 온도로 가열하는 동시에 흐르는 배기가스와 접촉하여 상기 배기가스중의 혼입물을 열분해시키는 가열트랩수단을 구비한 트랩장치를 제공한다. 따라서, 배기통로를 흐르고 있는 미반응 처리가스는 가열트랩수단과 접촉하여 열분해되고, 석출된 금속은 트랩되도록 가열트랩수단에 부착된다. 가열트랩수단은 코일선 사이의 갭을 제한하기 위해 나선형으로 형성된 전열코일로 이루어짐으로써, 전열코일은 배기가스와 충분히 접촉될 수 있고, 배기가스는 코일선 사이의 갭을 통하여 흐를 수 있게 된다. 따라서, 배기가스가 전열코일선과 접촉되는 면적이 커져서, 유로 콘덕턴스를 확보하기 위해 갭을 통해 흐를 수 있게 된다. 그 결과, 접촉면적과 유로 콘덕턴스와의 균형이 유지된다.
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公开(公告)号：KR1019990006902A
公开(公告)日：1999-01-25
申请号：KR1019980021816
申请日：1998-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본 발명의 목적은 Al/Cu 다층막을 형성하는데 사용하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 장치 및 방법을 제공하는데 있다. Al/Cu 다층막은, 반도체 웨이퍼 W를 수용하기 위한 챔버와, 반도체 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터와, 기화된 Al 원료를 챔버로 도입하기 위한 Al 원료 공급 시스템과, 기화된 Cu 원료를 챔버로 도입하기 위한 Cu 원료 공급 시스템을 포함하는 CVD 장치에 의해 형성된다. Al/Cu 다층막은, Al 원료 가스를 챔버로 도입하는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Al 막을 증착하는 단계와, 그 후 Cu 원료 가스가 도입되는 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Cu 막을 증착하는 단계로 구성되는 일련의 단계를 반복함으로써 형성된다. 따라서, 획득된 Al/Cu 다층막은 가열 처리(어닐링)되어, 원하는 Al/Cu 다층막을 형성하게 된다.
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公开(公告)号：KR100371724B1
公开(公告)日：2003-03-17
申请号：KR1019980021816
申请日：1998-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/18 , C23C16/20 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574
Abstract: The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.
Abstract translation: 本发明提供用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的腔室，用于在其上安装半导体晶片W的基座，用于将气化的Al原材料引入到腔室中的Al原材料供应系统和用于放置半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 通过重复一系列步骤来形成Al / Cu多层膜，该一系列步骤包括：将Al原料气体引入腔室中，通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Al膜，随后在腔室中产生等离子体 引入Cu原料气体并通过CVD方法在半导体晶片W上沉积Cu膜。 对如此获得的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），从而形成所需的Al / Cu多层膜。
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公开(公告)号：KR1020110120339A
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020117022133
申请日：2010-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 피처리체를 냉각하는 냉각 방법을 개시한다. 이 냉각 방법은 가열 상태에 있는 피처리체를 스테이지 상에 탑재하는 공정과, 스테이지 상에 탑재된 피처리체 중심을 포함하는 중심 근방의 영역에 냉각 가스를 분사하고, 피처리체를 냉각하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019970060379A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019970001902
申请日：1997-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명의 배기 시스템은 유기금속 화합물의 기화가스를 이용하여 대상물에 성막(成膜)을 실시하는 성막처리 장치의 배기구에 접속된 배기관로와; 배기관로에 설치되어, 성막처리장치내의 가스를 배기 가스로써 배기관로를 통하여 압송하는 압송장치와; 압송장치에 설치되어, 유기금속 화합물의 열분해 온도보다 더 낮은 온도로 압송장치를 냉각함으로써 압송장치로 도입되는 배기가스중에 함유된 유기금속 화합물의 석출을 억제하는 냉각기구와; 압송장치보다 하류측의 배기관로의 부위에 설치되어, 배기관로를 통하여 도입되는 배기가스중에 함유된 유기금속 화합물을 제해(除害)하는 제해장치를 구비하고 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101274897B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110003785
申请日：2011-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/6875
Abstract: 본발명은반도체웨이퍼등의피처리체를지지할때에, 이이면(하면)에스크래치나흠집등이생기는것을방지하는것이가능한유지체구조를제공한다. 피처리체(W)를유지하기위한유지체구조에있어서, 피처리체의하중을받기위한유지체본체(104)와, 유지체본체의상면에형성된복수의오목부형상의지지체수용부(106)와, 각지지체수용부내에수용되고상단이유지체본체의상면보다도위쪽으로돌출되어상단에서피처리체의하면과맞닿아지지하면서지지체수용부내에서회전가능하게이루어진지지체(108)를구비한다. 이것에의해, 반도체웨이퍼등의피처리체를지지할때에, 이이면(하면)에스크래치나흠집등이생기는것을방지한다.
Abstract translation: 用于支撑处理目标物体的支撑结构包括支撑主体，其支撑加工对象物的重量和形成在支撑主体的顶表面上的凹形支撑体容纳部。 支撑结构还包括容纳在相应的支撑体容纳部分中的支撑体，以在支撑主体的顶表面上方突出。 支撑体可在相应的支撑体容纳部分中滚动，同时支撑底表面与支撑体的上峰部分接触的处理对象物体。
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公开(公告)号：KR1020110083557A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020110003785
申请日：2011-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/6875
Abstract: PURPOSE: A support structure, a load lock device, a processing device and a transferring device are provided to suppress a scratch or crack on the rear of an object by using a spherical support which absorbs the thermal contraction quantity of a semiconductor wafer. CONSTITUTION: A support body(104) receives the load of an object. A plurality of concave support receivers(106) are formed on the upper side of the support body. A support(108) is received at each support receiving unit. The upper side of the support unit is upwardly protruded than the upper side of the support body. The support is contacted with the lower side of the object and rolls in the support receiver.
Abstract translation: 目的：提供支撑结构，负载锁定装置，处理装置和转移装置，通过使用吸收半导体晶片的热收缩量的球形支撑体来抑制物体后部的划痕或裂纹。 构成：支撑体（104）接收物体的载荷。 多个凹形支撑接收器（106）形成在支撑体的上侧。 在每个支撑接收单元处接收支撑件（108）。 支撑单元的上侧比支撑体的上侧向上突出。 支撑件与物体的下侧接触并在支撑接收器中滚动。
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公开(公告)号：KR100365842B1
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：KR1019980018335
申请日：1998-05-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/33
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405
Abstract: A film forming apparatus includes a chamber in which a thin film is formed on a semiconductor wafer by supplying a process gas, the interior of which is then cleaned by a cleaning gas, while the gas in the chamber is exhausted by a vacuum system. The vacuum system includes a main vacuum line connected to a vacuum port of the chamber, a high-vacuum pump arranged on an upstream side of the main vacuum line, a coarse control vacuum pump arranged on a downstream side of the main vacuum line, a bypass line which is connected to the main vacuum line so as to bypass the high-vacuum pump and has a first connection portion connected between the vacuum port and the high-vacuum pump and a second connection portion connected between the high-vacuum pump and the coarse control vacuum pump, a trap arranged on the bypass line, heater arranged between the first connection portion and the trap for heating gas flowing from the first connection portion to the trap, and valves for selectively opening/closing the main vacuum line and the bypass line to allow the gas in the chamber to flow through one of the lines.
Abstract translation: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，具备：腔室，在利用真空系统对腔室内的气体进行排气的期间，通过供给处理气体而在半导体晶片上形成薄膜，其内部被清洁气体净化。 真空系统包括连接到腔室的真空端口的主真空管线，布置在主真空管线的上游侧的高真空泵，布置在主真空管线的下游侧的粗控制真空泵， 旁路管线，其连接到主真空管线以绕过高真空泵并具有连接在真空端口和高真空泵之间的第一连接部分和连接在高真空泵和高真空泵之间的第二连接部分 粗控制真空泵，布置在旁路管线上的捕集器，布置在第一连接部分和捕集器之间的加热器，用于加热从第一连接部分流向捕集器的气体，以及用于选择性地打开/关闭主真空管线和旁路 线以允许腔室中的气体流过其中一条管线。
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公开(公告)号：KR100352379B1
公开(公告)日：2002-11-16
申请号：KR1019970001902
申请日：1997-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명의 배기 시스템은 유기 금속 화합물의 기화가스를 이용하여 대상물에 성막(成膜)을 실시하는 성막처리장치의 배기구에 접속된 배기관로와; 배기관로에 설치되어, 성막처리장치내의 가스를 배기 가스로써 배기관로를 통하여 압송하는 압송장치와; 압송장치에 설치되어, 유기 금속 화합물의 열분해 온도보다 더 낮은 온도로 압송장치를 냉각함으로써 압송장치로 도입되는 배기 가스중에 함유된 유기 금속 화합물의 석출을 억제하는 냉각기구와; 압송장치보다 하류측의 배기관로의 부위에 설치되어, 배기관로를 통하여 도입되는 배기 가스중에 함유된 유기 금속 화합물을 제거하는 유해물질제거 장치를 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1019980087255A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019980018335
申请日：1998-05-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/33
Abstract: 성막 장치는 챔버 내부에 프로세스 가스를 공급함으로써 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 챔버를 포함하되, 그 챔버의 내부는 세정 가스(cleaning gas)에 의해 세정되며, 챔버내의 가스는 배기계(vacuum system)에 의해 배출된다. 배기계는 챔버의 배기 포트에 접속된 주 배기 라인과, 주 배기 라인의 상류(upstream)측에 배치된 고 배기 펌프와, 주 배기 라인의 하류(downstream)측에 배치된 코어스 제어 배기 펌프(coarse control vacuum pump)와, 주 배기 라인에 접속되어 고 배기 펌프를 우회시키며, 배기 포트와 고배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및 고배기 펌프와 코어스 제어 배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 갖는 바이패스 라인과, 바이패스 라인상에 배치된 트랩(trap)과, 상기 제 1 접속부와 트랩 사이에 배치되어 제 1 접속부로부터 트랩으로 흐르는 가스를 가열하기 위한 히터와, 챔버내의 가스를 라인들중 한 라인에 흐르게 하도록 주 배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 포함한다.
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