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1.기판 세정 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템, 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
Title translation: 基板清洁方法,基板处理方法,基板处理系统以及半导体装置的制造方法公开(公告)号:KR1020170031193A
公开(公告)日:2017-03-20
申请号:KR1020177003804
申请日:2015-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B5/00 , B08B7/0035 , G03F7/42 , G03F7/427 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207
Abstract: 기판세정방법을개시한다. 기판세정방법은, 가공대상막의위쪽에있는제거대상막을패터닝하는공정(스텝 10)을행하고, 스텝 10 후, 패터닝된제거대상막을에칭마스크로이용하여, 가공대상막을이방성에칭하는공정(스텝 11)을행하고, 스텝 11 후, 가공대상막상에잔존하는제거대상막을가스케미컬에칭하는공정(스텝 12)을행하고, 스텝 12 후, 가공대상막의표면을포함하는피처리면에가스클러스터를조사하는것에의해, 가공대상막의표면에잔존하는비반응성또는비휘발성의잔사를제거하여세정하는공정(스텝 14)을행한다.
Abstract translation: 公开了一种基板清洁方法。 基板清洗方法执行用于构图,以除去在加工对象膜的上靶膜的工序(步骤10),步骤10之后,通过使用图案化的移除目标膜蚀刻掩模,对步骤(步骤11)中,称为处理对象膜各向异性 通过执行,询问在特征前的气体团簇表面和后表面的步骤包括一个步骤11中,然后,在执行处理(步骤12),步骤12以后,该膜的处理目标表面称为所述移除目标膜气体化学残留在处理对象膜, 执行除去待处理膜表面上残留的非反应性或非挥发性残余物并清洁(步骤14)的步骤。