公开(公告)号：KR102071817B1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：KR1020187023890

申请日：2016-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR101695110B1

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：KR1020157002885

申请日：2013-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나이겐스케 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01J37/3244 ,  B08B7/005 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32743 ,  H01L21/02046

Abstract: 진공으로유지된처리용기(1) 내에가스를분사하여단열팽창에의해가스클러스터를생성하고, 생성한가스클러스터를피처리기판(S)에조사하는가스클러스터조사기구(10)를개시한다. 가스클러스터조사기구(10)는, 복수의가스분사노즐(17)을가지는노즐유닛(11)과, 노즐유닛(11)에가스를공급하는가스공급부(12)를구비한다. 가스분사노즐(17)의개수는, 가스분사노즐(17)로부터가스가필요한유량으로공급되었을때에도달하는처리용기(1) 내의압력이, 가스클러스터를파괴하지않는정도의압력이되는개수로설정된다. 또한, 가스분사노즐(17)은, 인접하는것 끼리가, 이들로부터분사된가스중 가스클러스터의형성에기여하지않았던잔류가스가퍼지는범위가서로겹치지않도록배치된다.

Abstract translation: 气体簇照射机构包括具有多个气体喷射喷嘴的至少一个喷嘴单元和用于将气体供给到喷嘴单元的气体供给单元。 多个气体喷射喷嘴被设定为使得当气体以预定流量从气体喷射喷嘴供应时，处理室中的压力保持低于气体簇开始被破坏的极限。 此外，气体喷射喷嘴以相邻的气体喷射喷嘴之间的预设间隔布置，使得来自相邻气体喷射喷嘴的残留气体彼此不重叠的各个区域彼此不重叠，残留气体是从 气体注入喷嘴，并且不有助于气体簇的产生。

公开(公告)号：KR1020120030000A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110089085

申请日：2011-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시 ,  호시노사토히코 ,  세노오다케히코 ,  요시노유

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing device and method, and a fine processing device are provided to maintain a surface part with the high degree of cleanness by making a plurality of holes on the surface part of silicon based materials through a gas cluster under the vacuum atmosphere. CONSTITUTION: A film forming process part forms a film on silicon based materials which is porously formed in a second vacuum chamber(41) under the vacuum atmosphere. A vacuum return range comprises a delivering apparatus(22). The delivering apparatus returns the porous silicon based materials from a first vacuum chamber(31) to the second vacuum chamber without breaking up the vacuum atmosphere. The second vacuum chamber is connected with the first vacuum chamber through a dividing valve. A gas cluster is not ionized.

Abstract translation: 目的：提供真空处理装置和方法以及精细加工装置，通过在真空气氛下通过气体簇在硅基材料的表面部分上形成多个孔，来保持具有高清洁度的表面部分。 构成：成膜工艺部分在真空气氛下形成在第二真空室（41）中形成的硅基材料上的膜。 真空返回范围包括输送装置（22）。 输送装置将多孔硅基材料从第一真空室（31）返回到第二真空室，而不破坏真空气氛。 第二真空室通过分隔阀与第一真空室连接。 气体簇不离子化。

公开(公告)号：KR101792444B1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：KR1020167000393

申请日：2014-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  하기와라아키히토

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68764

Abstract: 산화티탄막(10)이존재하는실리콘기판(W)을스핀척(3)에보지시키고, 스핀척(3)과함께실리콘기판(W)을회전시키면서, 실리콘기판(W)에, 불화수소산과비산화성의산을포함한제 1 혼합수용액, 또는불화수소산과유기산을포함한제 2 혼합수용액을공급한다. 이것에의해산화티탄막(10)에제 1 또는제 2 혼합수용액이접촉하고, 제 1 또는제 2 혼합수용액과산화티탄막(10)과의화학반응에의해산화티탄막(10)이제거된다.

Abstract translation: 其上存在氧化钛膜10的硅基板W被支撑在旋转卡盘3上，并且硅基板W与旋转卡盘3一起旋转， 提供含有非氧化酸的第一混合水溶液或含有氢氟酸和有机酸的第二混合水溶液。 结果，氧化钛膜10与第一或第二混合水溶液接触，并且氧化钛膜10通过与第一或第二混合水溶液和过氧化钛膜10发生化学反应而形成。

公开(公告)号：KR1020170015195A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020160095223

申请日：2016-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토유다이 ,  도바시가즈야 ,  사이토미사코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B01D3/00 ,  B01D15/08 ,  B03D1/02 ,  B08B3/10 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6831

Abstract: 본발명은, 피처리체에액을공급하여액 처리할때에, 피처리체에대한미소한메탈함유불순물의부착을억제하는것을목적으로한다. 유지부에유지된피처리체의대전을제어함으로써, 전하를띤 미소한메탈함유불순물이피처리체에정전기력에의해부착되는것을억제한다. 또는, 유지부에유지된피처리체에액체가공급되는과정에서, 액체에포함되는전하를띤 미소한메탈함유불순물을제거한다. 또는, 그양쪽을실시한다.

Abstract translation: 公开了一种使用液体处理装置，通过含有含微量金属的杂质的液体对工件进行液体处理的方法，该液体处理装置包括：保持单元，其构造成保持工件; 以及液体供给机构，其构造成将液体供给到由所述保持单元保持的工件。 该方法包括：在将液体供给到由保持单元保持的工件上时，去除包含在液体中的含金属杂质; 和/或控制由保持单元保持的工件的充电，以通过静电力来抑制含金属杂质附着在工件上。

公开(公告)号：KR1020160004203A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020150092221

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: B08B5/02 ,  H01L21/67028

Abstract: 본발명의과제는가스클러스터를이용하여, 기판에대한파티클의재부착을억제하면서, 피처리기판에부착된파티클을높은제거율로제거하는것이다. 해결수단으로서, 처리용기내에피처리기판을배치하고그 내부를배기하여진공으로보지하고, 처리용기내의피처리기판을향하여, 하전가스클러스터를포함하는가스클러스터를조사하고, 하전가스클러스터를, 피처리기판에도달하기전에가속시키며, 가속된하전가스클러스터를포함하는가스클러스터를피처리기판에충돌시켜서피처리기판상의파티클을제거하고, 그때 대전된피처리기판및 파티클을제전하며, 피처리기판으로부터제거되고, 제전된파티클을배기류와함께처리용기로부터배출시킨다.

Abstract translation: 本发明是通过使用气体簇来除去附着在待处理基板上的颗粒，同时重新附着到基板上。 作为解决方案，将待处理的基板设置在处理容器中，其内部通过排出内部而保持为真空; 将包含带电气体簇的气体簇在处理容器内朝向被处理基板照射; 带电气体簇在到达要处理的基板之前被加速; 通过将包含加速的带电气体簇的气体簇与待处理的基板相撞来除去待处理的基板上的颗粒; 要处理的带电衬底和颗粒被中和; 从被处理和中和的基板上除去的颗粒从排出流体的处理容器排出。

公开(公告)号：KR100962728B1

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：KR1020077030797

申请日：2007-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  하야시데루유키 ,  츠기타고헤이 ,  사이토미사코

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/73 ,  G01N33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N21/3103 ,  G01N33/38

Abstract: 개시되는 석영부재의 분석방법은, 석영부재에 오목상으로 형성된 에칭액 유지부에 에칭액을 공급하여 상기 석영부재를 에칭하는 공급공정과, 상기 공급공정에서 이용된 상기 에칭액을 분석하는 분석공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020080025093A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020077030797

申请日：2007-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  하야시데루유키 ,  츠기타고헤이 ,  사이토미사코

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/73 ,  G01N33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N21/3103 ,  G01N33/38

Abstract: Disclosed is a method for analyzing a quartz member, which comprises a supply step for supplying an etching liquid into an etching liquid-holding portion, which is formed as a recess in a quartz member, for etching the quartz member, and an analysis step for analyzing the etching liquid used in the supply step. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 本发明公开了一种石英部件的分析方法，其特征在于，包括：向蚀刻液体保持部供给蚀刻液的供给工序，所述蚀刻液保持部形成为石英部件的凹部，用于蚀刻所述石英部件;以及分析步骤， 分析在供给步骤中使用的蚀刻液。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020070091000A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020077015352

申请日：2006-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아키타케 ,  도바시가즈야 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45561 ,  Y10T428/265

Abstract: Disclosed is a constitutional member (10) used for semiconductor processing apparatuses which comprises a base (10a) defining the shape of the constitutional member, and a protective film (10c) covering a predetermined part of the base surface. The protective film (10c) is composed of an amorphous oxide of a first element selected from the group consisting of aluminum, silicon, hafnium, zirconium and yttrium, and has a porosity of less than 1% and a thickness of from 1 nm to 10 Vm.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体处理装置的结构构件（10），其包括限定构成构件的形状的基部（10a）和覆盖基部表面的预定部分的保护膜（10c）。 保护膜（10c）由选自铝，硅，铪，锆和钇的第一元素的无定形氧化物构成，并且具有小于1％的孔隙率和1nm至10nm的厚度 VM。

公开(公告)号：KR101671555B1

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020120033295

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  이나이겐스케 ,  시미즈아키타카 ,  야스다겐타 ,  요시노유 ,  아이다도시히로 ,  세노오다케히코

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

Abstract: 기판세정장치로서, 배기구를갖는처리실내에마련되고, 기판을유지하기위한유지부와, 상기유지부에유지된기판의주연부의불필요부위를제거하기위해, 가스클러스터를해당주연부에조사하기위한노즐부와, 상기가스클러스터의조사시에상기유지부와상기노즐부를상대적으로이동시키기위한이동기구를구비하고, 상기노즐부는상기처리실내의압력보다도높은압력의세정가스를토출하는것에의해단열팽창시켜세정가스의원자및/또는분자의집합체인가스클러스터를형성한다.