公开(公告)号：KR1020170069248A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：KR1020177012323

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케야고지 ,  니시무라가즈아키 ,  다카하시노부히로 ,  마츠나가준이치로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C23C16/45557 ,  G05B19/04 ,  G05B2219/45212 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324

Abstract: 에칭방법은, 실리콘과실리콘게르마늄을갖는피처리기판을챔버내에배치하는것과, 챔버내에 H가스와 Ar 가스로이루어지는처리가스를여기된상태로공급하는것과, 여기된상태의처리가스에의해실리콘을실리콘게르마늄에대하여선택적으로에칭하는것을포함한다. 이것에의해, 실리콘게르마늄에대하여실리콘을고 선택비로에칭할수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法，通过分批haneungeot和供给硅硅haneungeotħ气体和Ar气体构成到腔室中的工艺气体被设定为励磁状态和在激发态到基片具有硅和硅锗到腔室中的工艺气体 锗和锗的混合物。 结果，硅可以以高选择性对硅锗进行蚀刻。

公开(公告)号：KR1020170013169A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法包括通过向目标物体供给含有β-二酮的蚀刻气体和氧化钴膜的氧化气体来蚀刻在目标物体的表面上形成的钴膜的工序。 执行蚀刻气体和氧化气体的供给，使得氧化气体与蚀刻气体的流量比在0.5％至50％的范围内，同时将目标物体加热到低于或等于250°的温度 C。

公开(公告)号：KR101933331B1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：KR1020177012323

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케야고지 ,  니시무라가즈아키 ,  다카하시노부히로 ,  마츠나가준이치로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 에칭 방법은, 실리콘과 실리콘 게르마늄을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하는 것과, 챔버 내에 H
2 가스와 Ar 가스로 이루어지는 처리 가스를 여기된 상태로 공급하는 것과, 여기된 상태의 처리 가스에 의해 실리콘을 실리콘 게르마늄에 대하여 선택적으로 에칭하는 것을 포함한다. 이것에 의해, 실리콘 게르마늄에 대하여 실리콘을 고 선택비로 에칭할 수 있다.

公开(公告)号：KR101898329B1

公开(公告)日：2018-09-12

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.