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公开(公告)号：KR100882969B1
公开(公告)日：2009-02-13
申请号：KR1020070031091
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 복수의 슬롯(37)에 통과시킨 마이크로파를, 대들보(26)로 지지된 복수매의 유전체 파트(31)에 투과시키고, 투과시킨 마이크로파에 의해 가스를 플라즈마화하여 기판 G를 플라즈마 처리한다. 유전체 파트(31)를 지지하는 대들보(26)는, 그 단부 주변에서의 플라즈마 전자 밀도 N
e 가 컷오프의 플라즈마 전자 밀도 N
c 이상으로 되도록 기판측으로 돌출하여 마련된다. 이 대들보(26)의 돌출에 의하여, 이웃하는 유전체 파트(31)를 투과한 마이크로파의 전계 에너지에 의해 발생한 표면파에 의한 간섭이나, 이웃하는 유전체 파트(31) 아래쪽의 플라즈마가 확산될 때에 플라즈마 내를 전파하여 이웃하는 플라즈마에 도달하는 전자나 이온에 의한 간섭이 억제된다.Abstract translation: 微波等离子体处理装置100中，其中微波穿过所述多个狭槽37的，并透过光束（26）由多个，等离子气体的支撑的电介质部31的由微波发射 衬底G被等离子体处理。 支撑介电部分31的梁26具有等离子体电子密度N.
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公开(公告)号：KR100791153B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020010034975
申请日：2001-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체(W)위의 막을 분해하기 위하여 불필요한 막은 처리용기(8) 내를 통과하는 세정가스에 의해 제거된다. 이 경우에, 세정가스는 가스가열 기구(52)에 의해 가열되고 활성화되며, 세정가스는 이러한 상태에서 처리용기(8)를 통과한다. 이와 같이 함으로써, 석영제 처리용기 내의 처리용기를 손상시키지 않고 불필요한 막은 효과적으로 제거된다.
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公开(公告)号：KR1020070117005A
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：KR1020077027864
申请日：2002-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: A thermal treatment apparatus cleaning method includes a heating step to heat a reaction chamber up to 300 °C and a cleaning step to remove silicon nitride from an inner portion of the thermal treatment apparatus. In the cleaning step, a reaction tube heated up to 300°C is filled with a cleaning gas containing fluorine gas, chlorine gas, and nitrogen gas and silicon nitride is removed, thereby cleaning the inner portion of the thermal treatment apparatus.
Abstract translation: 热处理装置的清洗方法包括：将反应室加热至300℃的加热工序，以及从热处理装置的内部除去氮化硅的清洗工序。 在清洗工序中，将加热至300℃的反应管填充有含氟气体，氯气，氮气的清洗气体，除去氮化硅，清洗热处理装置的内部。
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公开(公告)号：KR1020010114169A
公开(公告)日：2001-12-29
申请号：KR1020010034975
申请日：2001-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체(W)위의 막을 분해하기 위하여 불필요한 막은 처리용기(8) 내를 통과하는 세정가스에 의해 제거된다. 이 경우에, 세정가스는 가스가열 기구(52)에 의해 가열되고 활성화되며, 세정가스는 이러한 상태에서 처리용기(8)를 통과한다. 이와 같이 함으로써, 석영제 처리용기 내의 처리용기를 손상시키지 않고 불필요한 막은 효과적으로 제거된다.
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公开(公告)号：KR1020170069248A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020177012323
申请日：2015-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02381 , C23C16/45557 , G05B19/04 , G05B2219/45212 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L29/165 , H01L21/32136 , H01L21/324
Abstract: 에칭방법은, 실리콘과실리콘게르마늄을갖는피처리기판을챔버내에배치하는것과, 챔버내에 H가스와 Ar 가스로이루어지는처리가스를여기된상태로공급하는것과, 여기된상태의처리가스에의해실리콘을실리콘게르마늄에대하여선택적으로에칭하는것을포함한다. 이것에의해, 실리콘게르마늄에대하여실리콘을고 선택비로에칭할수 있다.
Abstract translation: 蚀刻方法，通过分批haneungeot和供给硅硅haneungeotħ气体和Ar气体构成到腔室中的工艺气体被设定为励磁状态和在激发态到基片具有硅和硅锗到腔室中的工艺气体 锗和锗的混合物。 结果，硅可以以高选择性对硅锗进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070098686A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070031091
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to prevent plasma mode jump by preparing a projecting beam protrusively toward a substrate. A plasma processing apparatus includes a processing vessel and a cover. Projecting beams(26) separating individual dielectric parts(31) from one another form protective walls for protecting plasma generated under the dielectric parts(31) from external interference. When surface waves generated with the electrical field energy of microwaves transmitted through the dielectric parts(31) are propagated toward the adjacent dielectric parts(31) while being reflected between the surfaces of the dielectric parts(31) and the beams(26) and the plasma, part of the electrical field energy in surface waves is used as evanescent waves for plasma generation. As long as no energy is supplied from the outside, the electrical field energy in the surface waves absorbed and used in the plasma increases in direct proportion to a propagation distance of the surface waves.
Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过向基板突出地制备突出的光束来防止等离子体模式跳跃。 等离子体处理装置包括处理容器和盖。 将各个介电部件（31）彼此分离的投射梁（26）形成保护壁，用于保护在介电部件（31）下产生的等离子体免受外部干扰。 当通过电介质部分（31）传播的微波的电场能产生的表面波在介电部分（31）和光束（26）的表面之间被反射时朝向相邻的电介质部分（31）传播，并且 等离子体，表面波中的电场能量的一部分被用作等离子体产生的ev逝波。 只要没有从外部供应能量，在等离子体中吸收和使用的表面波中的电场能量与表面波的传播距离成正比地增加。
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公开(公告)号：KR1020040008212A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：KR1020037015945
申请日：2002-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.
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公开(公告)号：KR101933331B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020177012323
申请日：2015-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 에칭 방법은, 실리콘과 실리콘 게르마늄을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하는 것과, 챔버 내에 H
2 가스와 Ar 가스로 이루어지는 처리 가스를 여기된 상태로 공급하는 것과, 여기된 상태의 처리 가스에 의해 실리콘을 실리콘 게르마늄에 대하여 선택적으로 에칭하는 것을 포함한다. 이것에 의해, 실리콘 게르마늄에 대하여 실리콘을 고 선택비로 에칭할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100825135B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020037015945
申请日：2002-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.
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公开(公告)号：KR1020010107744A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020010028833
申请日：2001-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 복수종류, 예컨대 Ba, Sr, Ti 등의 금속원소를 포함하는 복합금속산화물막을 에칭하는 방법에 관한 것이다. Cl
2 가스를 이용하여 복합금속산화물막에서 알카리토류금속(Ba, Sr)을 제거하는 제 1 크리닝공정이 행하여지고, 그 후, ClF
3 가스를 사용하여 복합금속산화물막으로부터 알카리토류금속 이외의 금속(Ti)을 제거하는 제 2 크리닝공정이 이루어진다. 이 에칭방법, 반도체장치의 제조뿐만 아니라, 성막용의 처리용기의 크리닝에도 응용할 수가 있다.
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