公开(公告)号：KR101933331B1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：KR1020177012323

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케야고지 ,  니시무라가즈아키 ,  다카하시노부히로 ,  마츠나가준이치로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 에칭 방법은, 실리콘과 실리콘 게르마늄을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하는 것과, 챔버 내에 H
2 가스와 Ar 가스로 이루어지는 처리 가스를 여기된 상태로 공급하는 것과, 여기된 상태의 처리 가스에 의해 실리콘을 실리콘 게르마늄에 대하여 선택적으로 에칭하는 것을 포함한다. 이것에 의해, 실리콘 게르마늄에 대하여 실리콘을 고 선택비로 에칭할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130133672A

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: Provided are a method for forming a silicon film and a device thereof capable of preventing the generation of void generation or seam generation. The method for forming the silicon film comprises a first evaporation process, an etching process, a doping process, and a second evaporation process. The first evaporation process evaporates a silicon film which an impurity including boron is doped to fill a groove of a processed object. The etching process etches the silicon film which is evaporated in the first evaporation process. The doping process dopes the silicon film which is etched in the etching process with the impurity including the boron. The second evaporation process evaporates the silicon film which the impurity is doped in order to fill the silicon film which is doped in the doping process. [Reference numerals] (AA) Temperature (°C);(BB) Pressure (Pa);(CC) Load process;(DD) Stabilization process;(EE) First evaporation process;(FF,II) Purge/stabilization process;(GG) Etching process;(HH) Doping process;(JJ) Second evaporation process;(KK) Purge process;(LL) Unload process

Abstract translation: 提供一种形成硅膜的方法及其能够防止产生空隙产生或缝合产生的装置。 形成硅膜的方法包括第一蒸发工艺，蚀刻工艺，掺杂工艺和第二蒸发工艺。 第一蒸发过程蒸发掺杂包括硼的杂质以填充被处理物体的凹槽的硅膜。 蚀刻工艺蚀刻在第一蒸发过程中蒸发的硅膜。 掺杂工艺将包含硼的杂质在蚀刻工艺中被蚀刻的硅膜掺杂。 第二蒸发过程蒸发掺杂杂质的硅膜，以填充在掺杂过程中掺杂的硅膜。 （AA）温度（℃）;（BB）压力（Pa）;（CC）负载过程;（DD）稳定过程;（EE）第一蒸发过程;（FF，II）清洗/稳定过程; （GG）蚀刻过程;（HH）掺杂过程;（JJ）第二次蒸发过程;（KK）吹扫过程;（LL）卸载过程

公开(公告)号：KR1020170069248A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：KR1020177012323

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케야고지 ,  니시무라가즈아키 ,  다카하시노부히로 ,  마츠나가준이치로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C23C16/45557 ,  G05B19/04 ,  G05B2219/45212 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324

Abstract: 에칭방법은, 실리콘과실리콘게르마늄을갖는피처리기판을챔버내에배치하는것과, 챔버내에 H가스와 Ar 가스로이루어지는처리가스를여기된상태로공급하는것과, 여기된상태의처리가스에의해실리콘을실리콘게르마늄에대하여선택적으로에칭하는것을포함한다. 이것에의해, 실리콘게르마늄에대하여실리콘을고 선택비로에칭할수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法，通过分批haneungeot和供给硅硅haneungeotħ气体和Ar气体构成到腔室中的工艺气体被设定为励磁状态和在激发态到基片具有硅和硅锗到腔室中的工艺气体 锗和锗的混合物。 结果，硅可以以高选择性对硅锗进行蚀刻。

公开(公告)号：KR101594933B1

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: (과제) 보이드나심의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 도프공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피처리체의홈을매입하도록붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정에서성막된실리콘막을에칭한다. 도프공정에서는, 에칭공정에서에칭된실리콘막을붕소를포함하는불순물로도프한다. 제2 성막공정에서는, 도프공정에서도프된실리콘막을매입하도록, 붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다.