公开(公告)号：KR1019980087180A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100355321B1

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.