公开(公告)号：KR100434790B1

公开(公告)日：2004-06-07

申请号：KR1019997010646

申请日：1998-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시가즈이치

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68721 ,  H01L21/68785

Abstract: A processing apparatus includes a susceptor provided in a processing chamber and having an upper surface with a support area on which a semiconductor wafer is placed, and an aligning ring member movably arranged on the upper surface of the susceptor to surround the support area, the ring member defining the shift of the wafer placed on the support area and formed of a material having a thermal expansion coefficient smaller than that of the susceptor. A plurality of projections are provided on the peripheral portion of the upper surface of the susceptor at intervals along the ring member. A plurality of slots are provided in the aligning ring member for receiving the corresponding projections. The slots permit relative movement of the projection received therein in a radial direction of the ring member, but prohibit relative movement of the projections received therein in a rotating direction of the ring member as a whole.

Abstract translation: 一种处理装置，其特征在于，具备：基座，其设置在处理容器内，在上表面具有载置半导体晶片的支承区域;以及对位环构件，其以能够移动的方式配置在该基座的上表面上并包围该支承区域， 其限定放置在支撑区域上的晶片的移动，并由热膨胀系数小于基座的材料形成。 在基座的上表面的周边部分上沿着环部件间隔地设有多个突起。 在对准环构件中设有多个槽，用于接收相应的突起。 狭槽允许容纳在其中的突起在环构件的径向方向上的相对运动，但是整体上阻止在其中接收的突起在环构件的旋转方向上的相对运动。

公开(公告)号：KR1019980087180A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100365842B1

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：KR1019980018335

申请日：1998-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로 ,  호리우치다카시

IPC: H01L21/33

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405

Abstract: A film forming apparatus includes a chamber in which a thin film is formed on a semiconductor wafer by supplying a process gas, the interior of which is then cleaned by a cleaning gas, while the gas in the chamber is exhausted by a vacuum system. The vacuum system includes a main vacuum line connected to a vacuum port of the chamber, a high-vacuum pump arranged on an upstream side of the main vacuum line, a coarse control vacuum pump arranged on a downstream side of the main vacuum line, a bypass line which is connected to the main vacuum line so as to bypass the high-vacuum pump and has a first connection portion connected between the vacuum port and the high-vacuum pump and a second connection portion connected between the high-vacuum pump and the coarse control vacuum pump, a trap arranged on the bypass line, heater arranged between the first connection portion and the trap for heating gas flowing from the first connection portion to the trap, and valves for selectively opening/closing the main vacuum line and the bypass line to allow the gas in the chamber to flow through one of the lines.

Abstract translation: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，具备：腔室，在利用真空系统对腔室内的气体进行排气的期间，通过供给处理气体而在半导体晶片上形成薄膜，其内部被清洁气体净化。 真空系统包括连接到腔室的真空端口的主真空管线，布置在主真空管线的上游侧的高真空泵，布置在主真空管线的下游侧的粗控制真空泵， 旁路管线，其连接到主真空管线以绕过高真空泵并具有连接在真空端口和高真空泵之间的第一连接部分和连接在高真空泵和高真空泵之间的第二连接部分 粗控制真空泵，布置在旁路管线上的捕集器，布置在第一连接部分和捕集器之间的加热器，用于加热从第一连接部分流向捕集器的气体，以及用于选择性地打开/关闭主真空管线和旁路 线以允许腔室中的气体流过其中一条管线。

公开(公告)号：KR1019980087255A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980018335

申请日：1998-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로 ,  호리우치다카시

IPC: H01L21/33

Abstract: 성막 장치는 챔버 내부에 프로세스 가스를 공급함으로써 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 챔버를 포함하되, 그 챔버의 내부는 세정 가스(cleaning gas)에 의해 세정되며, 챔버내의 가스는 배기계(vacuum system)에 의해 배출된다. 배기계는 챔버의 배기 포트에 접속된 주 배기 라인과, 주 배기 라인의 상류(upstream)측에 배치된 고 배기 펌프와, 주 배기 라인의 하류(downstream)측에 배치된 코어스 제어 배기 펌프(coarse control vacuum pump)와, 주 배기 라인에 접속되어 고 배기 펌프를 우회시키며, 배기 포트와 고배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및 고배기 펌프와 코어스 제어 배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 갖는 바이패스 라인과, 바이패스 라인상에 배치된 트랩(trap)과, 상기 제 1 접속부와 트랩 사이에 배치되어 제 1 접속부로부터 트랩으로 흐르는 가스를 가열하기 위한 히터와, 챔버내의 가스를 라인들중 한 라인에 흐르게 하도록 주 배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019980042373A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019970059648

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해서 소정의 성막처리를 실시하는 성막장치로부터의 배기가스속에 포함되는 반응부생성물을 포획하여 제거하는 트랩장치에 관한 것으로서,
피처리체에 대해서 성막처리를 실시하는 성막장치를 위한 배기가스계에 설치된 광주리체와, 광주리체에 설치되고, 배기가스계의 배기관로가 접속되어 배기관로를 통해서 흐르는 배기가스를 광주리체내에 도입하기 위한 가스도입구와, 광주리체에 설치되고, 배기가스계의 배기관로가 접속되어 광주리체의 내부공간을 통해서 흐른 배기가스를 배기관로에 배출하기 위한 가스배출구와, 광주리체내에 설치되어 가스도입구와 가스배출구의 사이에서 광주리체의 내부공간을 복수의 방으로 간막이하는 복수의 간막이판과, 가스도입구를 통해서 광주리체내에 도입된 배기가스가 간막이판에 의해서 간막이된 각 방을 차례로 흘러 가스배출구로부터 배출되도록 복수의 간막이판에 설치된 가스유통구와, 각 방내에 수용되어 가스도입구를 통해서 광주리체내� �� 도입된 배기가스속에 포함되는 반응부생성물을 포획하는 트랩기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100355321B1

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100344276B1

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：KR1019970059648

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해서 소정의 성막처리를 실시하는 성막장치로부터의 배기가스속에 포함되는 반응부생성물을 포획하여 제거하는 트랩장치에 관한 것으로서,
피처리체에 대해서 성막처리를 실시하는 성막장치를 위한 배기가스계에 설치된 광주리체와, 광주리체에 설치되고, 배기가스계의 배기관로가 접속되어 배기관로를 통해서 흐르는 배기가스를 광주리체내에 도입하기 위한 가스도입구와, 광주리체에 설치되고, 배기가스계의 배기관로가 접속되어 광주리체의 내부공간을 통해서 흐른 배기가스를 배기관로에 배출하기 위한 가스배출구와, 광주리체내에 설치되어 가스도입구와 가스배출구의 사이에서 광주리체의 내부공간을 복수의 방으로 간막이하는 복수의 간막이판과, 가스도입구를 통해서 광주리체내에 도입된 배기가스가 간막이판에 의해서 간막이된 각 방을 차례로 흘러 가스배출구로부터 배출되도록 복수의 간막이판에 설치된 가스유통구와, 각 방내에 수용되어 가스도입구를 통해서 광주리체내� �� 도입된 배기가스속에 포함되는 반응부생성물을 포획하는 트랩기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010012685A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1019997010646

申请日：1998-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시가즈이치

IPC: H01L21/00