公开(公告)号：KR101628593B1

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020147020737

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라레이안젤리크데니스 ,  모리다쿠야 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서에칭공정을수행하는방법에대하여설명한다. 이방법은기판상의게이트구조위에스페이서물질을등각적으로도포하는단계, 및게이트구조의측벽을따라위치한스페이서측벽을유지하면서, 게이트구조의캡핑영역및 게이트구조의베이스에인접한기판상의기판영역으로부터스페이서물질을부분적으로제거하기위해스페이서에칭공정순서(sequence)를수행하는단계를포함한다. 이스페이서에칭공정순서는, 스페이서산화층을형성하기위해스페이서물질의노출면을산화시키는단계, 기판상의기판영역에서의스페이서물질및 게이트구조의캡핑영역에서의스페이서물질로부터스페이서산화층을이방적으로제거하기위해제 1 에칭공정을수행하는단계, 및게이트구조의측벽에스페이서측벽을남겨두기위해기판상의기판영역및 게이트구조의캡핑영역으로부터스페이서물질을선택적으로제거하도록제 2 에칭공정을수행하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020140107603A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020147020737

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라레이안젤리크데니스 ,  모리다쿠야 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서 에칭 공정을 수행하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법은 기판 상의 게이트 구조 위에 스페이서 물질을 등각적으로 도포하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽을 따라 위치한 스페이서 측벽을 유지하면서, 게이트 구조의 캡핑 영역 및 게이트 구조의 베이스에 인접한 기판 상의 기판 영역으로부터 스페이서 물질을 부분적으로 제거하기 위해 스페이서 에칭 공정 순서(sequence)를 수행하는 단계를 포함한다. 이 스페이서 에칭 공정 순서는, 스페이서 산화층을 형성하기 위해 스페이서 물질의 노출면을 산화시키는 단계, 기판 상의 기판 영역에서의 스페이서 물질 및 게이트 구조의 캡핑 영역에서의 스페이서 물질로부터 스페이서 산화층을 이방적으로 제거하기 위해 제 1 에칭 공정을 수행하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽에 스페이서 측벽을 남겨 두기 위해 기판 상의 기판 영역 및 게이트 구조의 캡핑 영역으로부터 스페이서 물질을 선택적으로 제거하도록 제 2 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.