公开(公告)号：KR102060223B1

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：KR1020170065580

申请日：2017-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토

IPC: H01J37/32

公开(公告)号：KR102125103B1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020160140388A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160060282

申请日：2016-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아이타미치타카 ,  오타케히로토 ,  고야마고지

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은반경이상이한동심원형으로배치된복수의슬롯으로부터방사되는마이크로파의분포를원하는분포로조정하는것을과제로한다. 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리용기의내부에플라즈마여기용의마이크로파를방사하는복수의슬롯이반경이상이한동심원형으로배치되어형성된복수의슬롯군을갖는슬롯판과, 슬롯판위에설치되어, 복수의슬롯군에마이크로파를전파시키는유전체와, 유전체위에설치된도전체로서, 유전체와대향하는하면에있어서, 복수의슬롯군중 적어도하나의슬롯군과, 다른슬롯군사이에끼인영역에대응하는영역에홈이형성된도전체와, 도전체의홈으로이동가능하게삽입되는스터브를가지며, 스터브의삽입량에따라서, 유전체로부터적어도하나의슬롯군및 다른슬롯군에각각전파되는마이크로파의파워비를변경하는파워비변경기구를구비한다.

Abstract translation: 发明内容本发明克服了将从具有期望半径的同心圆布置的多个槽辐射的微波分布调整到期望的分布的需要。 该等离子体处理装置包括处理容器，具有多个由同心圆形成的多个槽组的多个槽板，多个槽径向地辐射用于处理容器内的等离子体激发的微波， 一种用于将微波传播到多个槽组的电介质构件;以及设置在电介质体上的导体，其中，多个槽组中的至少一个和与另一个槽组相对应的区域 从介质传播到至少一个槽组和其他槽组的微波的功率比根据短截线的插入量而变化， 和一个功率比改变机制。

公开(公告)号：KR101628593B1

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020147020737

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라레이안젤리크데니스 ,  모리다쿠야 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서에칭공정을수행하는방법에대하여설명한다. 이방법은기판상의게이트구조위에스페이서물질을등각적으로도포하는단계, 및게이트구조의측벽을따라위치한스페이서측벽을유지하면서, 게이트구조의캡핑영역및 게이트구조의베이스에인접한기판상의기판영역으로부터스페이서물질을부분적으로제거하기위해스페이서에칭공정순서(sequence)를수행하는단계를포함한다. 이스페이서에칭공정순서는, 스페이서산화층을형성하기위해스페이서물질의노출면을산화시키는단계, 기판상의기판영역에서의스페이서물질및 게이트구조의캡핑영역에서의스페이서물질로부터스페이서산화층을이방적으로제거하기위해제 1 에칭공정을수행하는단계, 및게이트구조의측벽에스페이서측벽을남겨두기위해기판상의기판영역및 게이트구조의캡핑영역으로부터스페이서물질을선택적으로제거하도록제 2 에칭공정을수행하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150038637A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157006156

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라쇼타 ,  스즈키에이지 ,  가마다도미코 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3065

Abstract: 일실시예에서는, 제 1 유전율을갖는제 1 막과제 2 유전율을갖는제 2 막이교대로적층됨으로써형성된다층막을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 처리용기내에에천트가스를공급하고, 처리용기내에마이크로파를공급함으로써해당에천트가스의플라즈마를여기해서, 다층막을에칭하는공정과, (b) 처리용기내에산소함유가스및 플루오로카본계가스를공급하고, 마이크로파를공급함으로써산소함유가스및 플루오로카본계가스의플라즈마를여기해서, 레지스트마스크를축소시키는공정을포함한다. 본방법에서는공정 (a)과공정 (b)가교대로반복된다.

公开(公告)号：KR1020130028873A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：KR1020120100351

申请日：2012-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자와유스케 ,  오타케히로토 ,  스즈키에이지 ,  쿠마르카우식 ,  메츠앤드류더블유.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247

Abstract: PURPOSE: A dry metal etching method is provided to etch aluminum, aluminum alloy, and aluminum oxide which are formed on a substrate. CONSTITUTION: A substrate including an aluminum layer is placed in a plasma processing system(210). Plasma is generated from process composition containing halogen(220). The aluminum layer is etched by plasma(230). The surface of the aluminum layer is oxidized under an oxygen atmosphere(240). The etching rate of the aluminum layer is controlled by an oxidation process. [Reference numerals] (210) Step of arranging a substrate including an aluminum layer in a plasma processing system; (220) Step of generating plasma from a process composition containing halogen; (230) Step of etching the aluminum layer by exposing the substrate to the plasma; (240) Step of exposing the substrate to an Oxygen-containing environment

Abstract translation: 目的：提供一种干法蚀刻方法来蚀刻形成在基底上的铝，铝合金和氧化铝。 构成：将包括铝层的基板放置在等离子体处理系统（210）中。 等离子体由含有卤素（220）的工艺组合物产生。 通过等离子体（230）蚀刻铝层。 铝层的表面在氧气氛（240）下被氧化。 通过氧化工艺控制铝层的蚀刻速率。 （附图标记）（210）在等离子体处理系统中配置包括铝层的基板的工序; （220）从含有卤素的工艺组合物产生等离子体的步骤; （230）通过将衬底暴露于等离子体来蚀刻铝层的步骤; （240）将基板暴露于含氧环境的步骤

公开(公告)号：KR102054017B1

公开(公告)日：2019-12-09

申请号：KR1020120100351

申请日：2012-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자와유스케 ,  오타케히로토 ,  스즈키에이지 ,  쿠마르카우식 ,  메츠앤드류더블유.

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR101998943B1

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：KR1020170009829

申请日：2017-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01J49/10

公开(公告)号：KR101950548B1

公开(公告)日：2019-04-22

申请号：KR1020157006156

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라쇼타 ,  스즈키에이지 ,  가마다도미코 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L27/11524

公开(公告)号：KR1020170134268A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020170065580

申请日：2017-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67063 ,  H05H1/46

Abstract: 기판을에칭하는방법이설명된다. 방법은플라즈마처리시스템의처리공간내에제 1 재료및 제 2 재료를노출시키는표면을갖는기판을배치하는단계, 및제 2 재료를제거하는것보다더 큰레이트(rate)로제 1 재료를선택적으로제거하기위해변조된플라즈마에칭프로세스를수행하는단계를포함한다. 변조된플라즈마에칭프로세스는제 1 전력변조시퀀스를플라즈마처리시스템에적용하는것과, 제 2 전력변조시퀀스를플라즈마처리시스템에적용하는것으로구성된전력변조사이클을포함하며, 제 2 전력변조시퀀스는제 1 전력변조시퀀스와상이하다.

Abstract translation: 将描述蚀刻基板的方法。 方法选择性地去除大的速率（速率）罗塞塔第一材料比放置具有用于暴露所述第一材料和所述第二材料在等离子体处理系统的处理空间中的表面的衬底的步骤，以除去mitje第二材料haneungeot 并执行调制等离子体蚀刻工艺。 调制等离子体蚀刻工艺包括功率调制周期包括在应用中施加在等离子体处理系统中的第一功率调制的序列和在等离子体处理系统中的第二功率调制的序列的haneungeot，第二功率调制序列的第一功率 调制序列。