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公开(公告)号：KR1020170015210A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020160095918
申请日：2016-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/60 , H01L21/02 , G03F7/20
Abstract: [과제] 웨이퍼를가열처리함에있어서, 웨이퍼의처리에의해생기는승화물을분해하여, 승화물이배기로에부착되는것을억제하는것. 또한, 광원부로부터의광에의해웨이퍼(W)에대하여가열등의처리를행함에있어서, 광투과창에부착된승화물을제거하는것. [해결수단] 처리용기(2)의내면에열촉매층(5)을형성하여, 이열촉매층(5)을가열하고있다. 이때문에웨이퍼(W) 상의도포막으로부터승화하여처리용기(2) 내에받아들여진승화물이열촉매층(5) 근방에도달했을때에, 열촉매층(5)의열활성화에의해분해제거된다. 또한, 광투과창(42)에부착된승화물을제거함에있어서는, 표면에열촉매층(5)을형성한클리닝용기판(6)을처리용기(2) 내에반입하여, 열촉매층(5)을광투과창(42)에가깝게한 후, 클리닝용기판(6)을가열함으로써, 광투과창(42)의표면에부착된승화물(9)을제거한다.
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公开(公告)号：KR1020140107603A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020147020737
申请日：2012-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 라레이안젤리크데니스 , 모리다쿠야 , 오타케히로토
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/283 , H01L21/3115 , H01L29/6656
Abstract: 스페이서 에칭 공정을 수행하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법은 기판 상의 게이트 구조 위에 스페이서 물질을 등각적으로 도포하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽을 따라 위치한 스페이서 측벽을 유지하면서, 게이트 구조의 캡핑 영역 및 게이트 구조의 베이스에 인접한 기판 상의 기판 영역으로부터 스페이서 물질을 부분적으로 제거하기 위해 스페이서 에칭 공정 순서(sequence)를 수행하는 단계를 포함한다. 이 스페이서 에칭 공정 순서는, 스페이서 산화층을 형성하기 위해 스페이서 물질의 노출면을 산화시키는 단계, 기판 상의 기판 영역에서의 스페이서 물질 및 게이트 구조의 캡핑 영역에서의 스페이서 물질로부터 스페이서 산화층을 이방적으로 제거하기 위해 제 1 에칭 공정을 수행하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽에 스페이서 측벽을 남겨 두기 위해 기판 상의 기판 영역 및 게이트 구조의 캡핑 영역으로부터 스페이서 물질을 선택적으로 제거하도록 제 2 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102243971B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020167016008
申请日：2014-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/20 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 기판처리시스템은, 복수의처리장치를갖는처리스테이션과, 시스템밖에있는복수의노광스테이지를구비한노광장치사이에서기판을전달하는인터페이스스테이션과, 복수의기판검사장치와, 처리스테이션내의각 처리장치와기판검사장치사이에서기판을반송하는기판반송기구와, 기판의노광처리시에이용된노광스테이지를복수의노광스테이지중에서특정하며, 노광처리후의기판을, 특정된노광스테이지와미리대응시켜진기판검사장치에반송하기위해, 기판반송기구를제어하는제어장치를갖는다.
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公开(公告)号：KR101849799B1
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：KR1020130016257
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본발명의과제는약액중의불순물을제거하는필터에포함되는기체를제거하는기술을제공하는것이다. 약액중의불순물을제거하기위한필터(42)를구비한필터부(4)에, 웨이퍼(W)의액 처리시에약액을통류시킬때의압력보다높은압력으로액체를공급한다. 이에의해, 필터내의액체에가해지는압력이높아지므로, 이액체의액압에의해필터에포함되는기체가약액에용해되고, 이렇게해서, 필터(42) 내의기체를제거할수 있다. 계속해서, 약액을상기필터(4)를통해도포모듈(8)의도포노즐(85)에공급함으로써, 불순물및 기체함유량이매우적은약액을사용해서웨이퍼(W)에대하여액 처리를행할수 있어, 결함의발생을억제할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160101921A
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020167016008
申请日：2014-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/20 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/70541 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L22/12
Abstract: 기판처리시스템은, 복수의처리장치를갖는처리스테이션과, 시스템밖에있는복수의노광스테이지를구비한노광장치사이에서기판을전달하는인터페이스스테이션과, 복수의기판검사장치와, 처리스테이션내의각 처리장치와기판검사장치사이에서기판을반송하는기판반송기구와, 기판의노광처리시에이용된노광스테이지를복수의노광스테이지중에서특정하며, 노광처리후의기판을, 특정된노광스테이지와미리대응시켜진기판검사장치에반송하기위해, 기판반송기구를제어하는제어장치를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020030021180A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：KR1020027017662
申请日：2001-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 엔이씨 주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/31138 , H01L21/76804 , H01L21/76813 , H01L21/76834 , H01L21/76835
Abstract: 숄더 로스가 적은 듀얼 다마신 구조를 얻는다. 유기 low k 막(208)과 그 위에 형성된 마스크층(210)을 피에칭층으로 하여, 유기 low k 막층에 숄더부를 갖는 듀얼 다마신 구조를 적어도 2개 이상의 혼합 기체를 사용하여 드라이 에칭으로 형성하는 방법에 있어서, 제 1 프로세스 기체에 의해 마스크층을 에칭한 후, 계속해서 상기 제 1 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 소정 깊이까지 에칭하는 제 1 공정과, 제 1 공정후에, 제 2 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 에칭하는 제 2 공정을 실시한다. 제 1 공정에 의해 비아 측벽에 보호벽을 형성할 수 있기 때문에 트렌치와 비아의 접합 영역에 형성되는 숄더 로스를 경감시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101907351B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020180041680
申请日：2018-04-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명의과제는약액중의불순물을제거하는필터에포함되는기체를제거하는기술을제공하는것이다. 약액중의불순물을제거하기위한필터(42)를구비한필터부(4)에, 웨이퍼(W)의액 처리시에약액을통류시킬때의압력보다높은압력으로액체를공급한다. 이에의해, 필터내의액체에가해지는압력이높아지므로, 이액체의액압에의해필터에포함되는기체가약액에용해되고, 이렇게해서, 필터(42) 내의기체를제거할수 있다. 계속해서, 약액을상기필터(4)를통해도포모듈(8)의도포노즐(85)에공급함으로써, 불순물및 기체함유량이매우적은약액을사용해서웨이퍼(W)에대하여액 처리를행할수 있어, 결함의발생을억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR101628593B1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020147020737
申请日：2012-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 라레이안젤리크데니스 , 모리다쿠야 , 오타케히로토
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/283 , H01L21/3115 , H01L29/6656
Abstract: 스페이서에칭공정을수행하는방법에대하여설명한다. 이방법은기판상의게이트구조위에스페이서물질을등각적으로도포하는단계, 및게이트구조의측벽을따라위치한스페이서측벽을유지하면서, 게이트구조의캡핑영역및 게이트구조의베이스에인접한기판상의기판영역으로부터스페이서물질을부분적으로제거하기위해스페이서에칭공정순서(sequence)를수행하는단계를포함한다. 이스페이서에칭공정순서는, 스페이서산화층을형성하기위해스페이서물질의노출면을산화시키는단계, 기판상의기판영역에서의스페이서물질및 게이트구조의캡핑영역에서의스페이서물질로부터스페이서산화층을이방적으로제거하기위해제 1 에칭공정을수행하는단계, 및게이트구조의측벽에스페이서측벽을남겨두기위해기판상의기판영역및 게이트구조의캡핑영역으로부터스페이서물질을선택적으로제거하도록제 2 에칭공정을수행하는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130094755A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020130016257
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , B01D17/00 , B05B12/1472
Abstract: PURPOSE: A liquid treatment method and a device of removing gas in a filter remove the gas in the filter by supplying a liquid having higher pressure than the pressure when a medicinal fluid flows in a liquid treatment process of a substrate to the filter. CONSTITUTION: A liquid is supplied to a filter unit (4) with higher pressure than the pressure when a medicinal fluid flows in a liquid treatment process. The filter unit has a filter for removing impurities in the medicinal fluid. Gas included in the filter by the liquid pressure of the liquid is dissolved in the medicinal fluid because the pressure applied to the liquid in the filter is increased. The medicinal fluid is supplied to an application nozzle (85) through the filter. [Reference numerals] (1) Undercurrent unit; (3) Medium tank; (4) Filter unit; (5) Pump; (6) Degassing module; (7) Gas concentration detection unit
Abstract translation: 目的：一种液体处理方法和一种除去过滤器中的气体的装置，通过在基板的液体处理过程中将药物流体流过压力的压力提供给压滤器，从而去除过滤器中的气体。 构成：当药液在液体处理过程中流动时，将液体提供给压力高于压力的过滤器单元（4）。 过滤器单元具有用于除去药液中的杂质的过滤器。 由于施加到过滤器中的液体的压力增加，被液体的液体压力包含在过滤器中的气体溶解在药液中。 药液通过过滤器供给到施用喷嘴（85）。 （附图标记）（1）欠流单元; （3）中罐; （4）过滤单元; （5）泵; （6）脱气模块; （7）气体浓度检测单元
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