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公开(公告)号：KR101846109B1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR1020167025792
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
Abstract translation: 描述了用于测量光敏化学放大光刻胶（PS-CAR）图案化过程中的光敏剂浓度的方法。 测得的光敏剂浓度可用于图案化过程和后续处理步骤和前馈控制的反馈。 此外，描述了使用PS-CAR抗蚀剂形成的测量目标以促进图案化处理的控制，以及包括这种多个测量目标的基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160124807A
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020167025293
申请日：2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 카르카시마이클에이. , 후게조슈아에스. , 라스색벤자멘엠. , 나가하라세이지
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/2024 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276
Abstract: 본개시는반도체기판상의감광막을패터닝하도록 PS-CAR(Photosensitized Chemically Amplified Resist Chemicals)에대한방법을기재한다. 하나의실시예에서, 2단계노출프로세스는포토레지스트층 내에더 높은산 농도영역을생성할수 있다. PS-CAR 화학물질은광산생성제(PAG; photoacid generator) 및 PAG의산으로의분해를강화하는감광제요소를포함할수 있다. 제1 노출은초기양의산 및감광제를생성하는패터닝된 EUV 노출일수 있다. 제2 노출은감광제가기판상에위치되는경우산 생성속도를증가시키는감광제를여기시키는비-EUV 전면노출일수 있다. 노출동안에너지의분배는포토레지스트층, 하부층, 및/또는상부층의특정특성(예컨대, 두께, 굴절률, 도핑)을사용함으로써최적화될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160124844A
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020167025792
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675 , G03F7/38
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
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公开(公告)号：KR1020160102184A
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020167016020
申请日：2014-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오사카 유니버시티
CPC classification number: G03F7/2004 , G03F7/20 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67196 , H01L21/67225 , G03F7/70991
Abstract: 기판을처리하는기판처리시스템은기판을처리하는복수의처리장치가마련된처리스테이션과, 기판처리시스템의외부에마련되어기판상의레지스트막에패턴의노광을행하는노광장치와기판처리시스템과의사이에서직접적또는간접적으로기판을전달하는인터페이스스테이션과, 패턴의노광이행해진후의기판상의레지스트막에대하여 UV광에의한포스트노광을행하는광 조사장치와, 광조사장치를수용하고, 감압또는불활성가스분위기로조정가능한포스트노광스테이션을가지고, 포스트노광스테이션은노광장치와직접적, 또는감압또는불활성가스분위기로조정가능한공간을개재하여간접적으로접속되어있다.
Abstract translation: 一种用于处理基板的基板处理系统，包括：设置有多个处理基板的处理装置的处理台; 接口站，其在设置在基板处理系统外部的曝光装置之间直接或间接地传送基板，并且在基板上的抗蚀剂膜上进行图案的曝光;以及基板处理系统; 执行曝光图案之后，使用UV光对基板上的抗蚀剂膜进行后曝光的光照射装置; 以及容纳光照射装置并且可以减压或惰性气体气氛调节的后曝光站，其中后曝光站通过可调节到减压的空间直接或间接连接到曝光装置，或 惰性气体气氛。
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5.发明公开광증감 화학 증폭형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법, 반도체 디바이스, 리소그래피용 마스크와, 나노임프린트용 템플릿 审中-实审使用相同的半导体器件掩模形成图案的光致变色化学放大型材料方法用于印刷和模板的纳米压印
公开(公告)号：KR1020160124769A
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020167022604
申请日：2015-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸
CPC classification number: G03F7/0397 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/70308 , G03F7/70575
Abstract: 본발명에관한광증감화학증폭형레지스트재료는, 2단노광리소그래피프로세스에사용되고, (1) 현상가능한베이스성분과, (2) 노광에의하여광증감제와산을발생하는성분을포함한다. 상기성분은, (a) 산-광증감제발생제, (b) 광증감제전구체, 및 (c) 광산발생제의 3개의성분중, (a) 성분만을함유하거나, 임의의 2개의성분을함유하거나, 또는 (a)~(c) 성분모두를함유한다.
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公开(公告)号：KR1020160108351A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020167019174
申请日：2015-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/2063 , G03F7/40 , G03F7/70483 , G03F7/70508
Abstract: 본발명은, 레지스트패턴을형성하는데 있어서, 패턴의선 폭에대하여해상도가높고, 웨이퍼 W 위에서의높은면내균일성이얻어지는기술을제공하는것을과제로한다. 레지스트막을기판위에형성하고, 패턴노광기 C6에의한패턴노광을행한후에, 일괄노광장치(1)를사용해서패턴노광영역의전체를노광한다. 이때, 사전에검사장치[861(862)]로부터얻어진레지스트패턴의선 폭의면 내분포의정보에기초하여, 웨이퍼 W 위의노광위치에따라서노광량을조정한다. 노광량의조정방법으로서는, 웨이퍼 W의직경에대응하는띠 형상의조사영역을이동시키면서노광량을조정하는방법, 패턴노광의샷 영역에따른조사영역을간헐적으로이동시켜서각 칩에대한노광량을조정하는방법등을들 수있다.
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