公开(公告)号：KR101600738B1

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020147029552

申请日：2013-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 란잔알록 ,  랄리앙겔리크

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서에칭프로세스를수행하기위한방법이설명된다. 방법은게이트구조체상에등각도포된로우-k 스페이서재료를갖는기판상에게이트구조체를제공하는것과, 게이트구조체의측벽을따라위치된상태로측벽스페이서를유지하면서, 게이트구조체와기판으로부터스페이서재료를부분적으로제거하도록스페이서에칭프로세스시퀀스를수행하는것을포함한다. 스페이서에칭프로세스시퀀스는상기스페이서재료의노출된표면상에스페이서보호층을증착하는것, 및스페이서보호층및 스페이서재료를선택적으로이방성제거하여게이트구조체의측벽상에측벽스페이서를남겨두도록하나이상의에칭프로세스를수행하는것을포함할수도있고, 하나이상의에칭프로세스에의해부분적으로또는완전히소비되는동안, 스페이서보호층은감소된조성의변동및/또는유전상수를나타낸다.

公开(公告)号：KR1020140138320A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：KR1020147029552

申请日：2013-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 란잔알록 ,  랄리앙겔리크

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서 에칭 프로세스를 수행하기 위한 방법이 설명된다. 방법은 게이트 구조체 상에 등각 도포된 로우-k 스페이서 재료를 갖는 기판 상에 게이트 구조체를 제공하는 것과, 게이트 구조체의 측벽을 따라 위치된 상태로 측벽 스페이서를 유지하면서, 게이트 구조체와 기판으로부터 스페이서 재료를 부분적으로 제거하도록 스페이서 에칭 프로세스 시퀀스를 수행하는 것을 포함한다. 스페이서 에칭 프로세스 시퀀스는 상기 스페이서 재료의 노출된 표면 상에 스페이서 보호층을 증착하는 것, 및 스페이서 보호층 및 스페이서 재료를 선택적으로 이방성 제거하여 게이트 구조체의 측벽 상에 측벽 스페이서를 남겨두도록 하나 이상의 에칭 프로세스를 수행하는 것을 포함할 수도 있고, 하나 이상의 에칭 프로세스에 의해 부분적으로 또는 완전히 소비되는 동안, 스페이서 보호층은 감소된 조성의 변동 및/또는 유전 상수를 나타낸다.