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公开(公告)号：KR101108856B1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020077020516
申请日：2005-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B2219/31356 , G05B2219/32179 , G05B2219/45031 , Y02P80/40 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
Abstract: 본 발명은 APC 시스템에서 FDC를 구현하는 방법에 있어서, 메모리로부터 FDC 모델을 수신하는 단계와; FDC 모델을 프로세스 모델 계산 엔진에 제공하는 단계와; 프로세스 모델 계산 엔진을 이용하여 예측 의존 프로세스 매개변수의 벡터를 연산하는 단계와; 레시피 매개변수를 포함하는 프로세스 레시피를 수신하고 프로세스 레시피를 프로세스 모듈에 제공하는 단계와; 프로세스 레시피를 실행하여 측정 의존 프로세스 매개변수의 벡터를 생성하는 단계와; 예측 의존 프로세스 매개변수의 벡터와 측정 의존 프로세스 매개변수의 벡터 간의 차이를 계산하는 단계와; 상기 차이를 임계값과 비교하는 단계와; 상기 차이가 임계값보다 더 클 때 결함 상태를 선언하는 단계를 포함하는 FDC 구현 방법을 제공한다.
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020090005122A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020087026661
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01N21/95607 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A method of measuring a damaged structure formed on a semiconductor wafer using optical metrology, the method includes obtaining a measured diffraction signal from a damaged periodic structure. A hypothetical profile of the damaged periodic structure is defined. The hypothetical profile having an undamaged portion, which corresponds to an undamaged area of a first material in the damaged periodic structure, and a damaged portion, which corresponds to a damaged area of the first material in the damaged periodic structure. The undamaged portion and the damaged portion have different properties associated with them. A simulated diffraction signal is calculated for the hypothetical damaged periodic structure using the hypothetical profile. The measured diffraction signal is compared to the simulated diffraction signal. If the measured diffraction signal and the simulated diffraction signal match within a matching criterion, then a damage amount for the damaged periodic structure is established based on the damaged portion of the hypothetical profile used to calculate the simulated diffraction signal.
Abstract translation: 一种使用光学测量法测量在半导体晶片上形成的损坏结构的方法，该方法包括从损坏的周期性结构获得测量的衍射信号。 定义损坏的周期结构的假设剖面。 具有未损坏部分的假想轮廓，其对应于损坏的周期性结构中的第一材料的未损坏区域，以及损坏部分，其对应于损坏的周期性结构中的第一材料的损坏区域。 未损伤部分和损坏部分具有与它们相关联的不同特性。 使用假设曲线计算假设损坏的周期性结构的模拟衍射信号。 将测得的衍射信号与模拟衍射信号进行比较。 如果测量的衍射信号和模拟衍射信号在匹配标准内匹配，则基于用于计算模拟衍射信号的假想轮廓的损坏部分建立损坏的周期性结构的损伤量。
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公开(公告)号：KR1020070117579A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020077020516
申请日：2005-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B2219/31356 , G05B2219/32179 , G05B2219/45031 , Y02P80/40 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
Abstract: A method for implementing FDC in an APC system including receiving an FDC model from memory; providing the FDC model to a process model calculation engine; computing a vector of predicted dependent process parameters using the process model calculation engine; receiving a process recipe comprising a set of recipe parameters, providing the process recipe to a process module; executing the process recipe to produce a vector of measured dependent process parameters; calculating a difference between the vector of predicted dependent process parameters and the vector of measured dependent process parameters; comparing the difference to a threshold value; and declaring a fault condition when the difference is greater than the threshold value.
Abstract translation: 一种用于在APC系统中实现FDC的方法，包括从存储器接收FDC模型; 将FDC模型提供给过程模型计算引擎; 使用过程模型计算引擎计算预测的依赖过程参数的向量; 接收包括一组配方参数的处理配方，向处理模块提供处理配方; 执行过程配方以产生测量的依赖过程参数的向量; 计算预测的依赖过程参数的向量与测量的依赖过程参数的向量之间的差; 将差值与阈值进行比较; 并且当差值大于阈值时声明故障状况。
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4.发明授权광 계측을 사용한 웨이퍼 상에 형성된 손상된 구조의 측정 방법과 시스템, 회절 반사율 발생 방법, 및 컴퓨터 판독가능 저장 매체 有权使用光学方法测量在波形上形成的损伤结构的方法和系统，产生偏差反射率的方法和计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR101281264B1
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020087026661
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01N21/95607 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 광 계측을 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 손상된 구조를 측정하는 방법이 제공되며, 이 방법은, 손상된 주기적 구조(damaged periodic structure)로부터 측정된 회절 신호(measured diffraction signal)를 획득하는 단계를 포함한다. 상기 손상된 주기적 구조의 가상 프로파일이 정의된다. 상기 가상 프로파일은, 상기 손상된 주기적 구조에서의 제1 물질의 비손상된 영역에 대응하는 비손상된 부분, 및 상기 손상된 주기적 구조에서의 상기 제1 물질의 손상된 영역에 대응하는 손상된 부분을 갖는다. 상기 비손상된 부분 및 상기 손상된 부분은 이들과 연관된 서로 다른 특성을 갖는다. 상기 가상 프로파일을 사용하여 가상의 손상된 주기적 구조에 대한 시뮬레이션된 회절 신호가 계산된다. 상기 측정된 회절 신호가 상기 시뮬레이션된 회절 신호와 비교된다. 상기 측정된 회절 신호와 상기 시뮬레이션된 회절 신호가 일치 기준(matching criterion) 내에서 일치하는 경우, 상기 시뮬레이션된 회절 신호를 계산하기 위해 사용되는 상기 가상 프로파일의 상기 손상된 부분에 기초하여 상기 손상된 주기적 구조에 대한 손상량이 설정된다.
광 계측, 반도체, 가상 프로파일, 회절 신호, 손상 평가
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