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公开(公告)号：KR1020010093162A
公开(公告)日：2001-10-27
申请号：KR1020017007391
申请日：1999-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , H01L28/55
Abstract: 본발명의박막형성방법에서는박막형성대상의기판분위기를예컨대 0.01 Torr 이하의고진공도로설정한상태에서, 약 450℃정도로가열된기판표면상에유기금속화합물의가스와산화가스를도입하여, 기판표면에유기금속화합물을구성하고있는금속산화물로이루어지는복수의결정핵을형성하고있다. 이어서, 기판분위기를상기한제1 진공도보다저진공도로설정한상태에서, 약 450℃정도로가열된기판표면에연속해서유기금속화합물의가스와산화가스를도입하여, 금속산화물로이루어지는막을기판표면상에형성하도록하고있다. 상기한공정중에서제1 공정에서는진공도를상이한재료의표면에서금속산화물의결정이제1 온도에서성장하는진공도로설정하고, 결정핵이성장된경우에형성되는결정립이인접한결정핵으로부터성장하는결정립과접촉하도록복수의결정핵을고밀도로형성하고있다. 또한, 제2 공정에서는기판의온도를상이한재료의표면에서금속산화물이결정성장하는온도미만으로설정한다.
Abstract translation: 在本发明的薄膜形成方法中，将作为薄膜形成靶的基材的气氛设定为例如0.01Torr以下的高真空度，将有机金属化合物和氧化气体的气体引入到 基底表面加热至约450℃，以在基体表面上形成由构成有机金属化合物的金属的氧化物制成的多个晶核。 然后将基体的气氛设定为比第一真空度更低的真空度，随后将有机金属化合物和氧化气体的气体引入加热至约450℃的基底表面上，以形成由 金属的氧化物在那里。 在上述过程中，在第一步骤中，将真空度设定为在第一温度下在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属氧化物的真空度，并且多个晶核形成在 高密度，使得通过生长晶核而形成的晶粒与从相邻晶核生长的晶粒接触。 在后续步骤中，将基底的温度设定为小于在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属的氧化物的温度。
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公开(公告)号：KR1019990088207A
公开(公告)日：1999-12-27
申请号：KR1019990016905
申请日：1999-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/4411 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/4586
Abstract: 매엽식 CVD 장치는, Ba(thd)및 Sr(thd)를혼합한제 1 처리가스와, Ti(O-iPr)(thd)또는 TiO(thd)를포함하는제 2 처리가스를공급하면서, 반도체웨이퍼 W 상에 BST 박막을형성한다. Ba 및 Sr의전구체는, Ti의전구체에비해서, 활성화에너지가낮고, 또한반응성이강하다. 제 1 및제 2 처리가스를공급하기위한샤워헤드(32)는, 제 1 처리가스를분출하기위한제 1 분사구멍(102A)의군과, 제 2 처리가스를분출하기위한제 2 분사구멍(102B)의군을갖는다. 제 2 분사구멍(102B)의군은, 이들구멍의직경이샤워영역(100) 내에서중심으로부터반경방향외측을향하여감소하도록설정되고, 따라서제 2 처리가스의분사량은중심으로부터반경방향외측을향하여감소한다.
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公开(公告)号：KR100505310B1
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：KR1019990016905
申请日：1999-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/4411 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/4586
Abstract: 매엽식(single-substrate-processing) CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치는, Ba(thd)
2 및 Sr(thd)
2 를 혼합한 제 1 처리 가스와, Ti(O-iPr)(thd)
2 또는 TiO(thd)
2 를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼 W 상에 BST 박막을 형성한다. Ba 및 Sr의 전구체는, Ti의 전구체에 비해서, 활성화 에너지가 낮고, 또한 반응성이 강하다. 제 1 및 제 2 처리 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드(32)는, 제 1 처리 가스를 분출하기 위한 제 1 분사 구멍(102A)의 군과, 제 2 처리 가스를 분출하기 위한 제 2 분사 구멍(102B)의 군을 갖는다. 제 2 분사 구멍(102B)의 군은, 이들 구멍의 직경이 샤워 영역(100) 내에서 중심으로부터 반경 방향 외측을 향하여 감소하도록 설정되고, 따라서 제 2 처리 가스의 분사량은 중심으로부터 반경 방향 외측을 향하여 감소한다.-
公开(公告)号：KR100392047B1
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：KR1020017007391
申请日：1999-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , H01L28/55
Abstract: 본 발명의 박막 형성 방법에서는 박막 형성 대상의 기판 분위기를 예컨대 0.01 Torr 이하의 고진공도로 설정한 상태에서, 약 450℃ 정도로 가열된 기판 표면상에 유기 금속 화합물의 가스와 산화 가스를 도입하여, 기판 표면에 유기 금속 화합물을 구성하고 있는 금속 산화물로 이루어지는 복수의 결정핵을 형성하고 있다. 이어서, 기판 분위기를 상기한 제1 진공도보다 저진공도로 설정한 상태에서, 약 450℃ 정도로 가열된 기판 표면에 연속해서 유기 금속 화합물의 가스와 산화 가스를 도입하여, 금속 산화물로 이루어지는 막을 기판 표면상에 형성하도록 하고 있다. 상기한 공정 중에서 제1 공정에서는 진공도를 상이한 재료의 표면에서 금속 산화물의 결정이 제1 온도에서 성장하는 진공도로 설정하고, 결정핵이 성장된 경우에 형성되는 결정립이 인접한 결정핵으로부터 성장하는 결정립과 접촉하도록 복수의 결정핵을 고밀도로 형성하고 있다. 또한, 제2 공정에서는 기판의 온도를 상이한 재료의 표면에서 금속 산화물이 결정 성장하는 온도 미만으로 설정한다.
Abstract translation: 在本发明的薄膜形成方法中，将作为薄膜形成靶的基材的气氛设定为例如0.01Torr以下的高真空度，将有机金属化合物和氧化气体的气体引入到 基底表面加热至约450℃，以在基体表面上形成由构成有机金属化合物的金属的氧化物制成的多个晶核。 然后将基体的气氛设定为比第一真空度更低的真空度，随后将有机金属化合物和氧化气体的气体引入加热至约450℃的基底表面上，以形成由 金属的氧化物在那里。 在上述过程中，在第一步骤中，将真空度设定为在第一温度下在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属氧化物的真空度，并且多个晶核形成在 高密度，使得通过生长晶核而形成的晶粒与从相邻晶核生长的晶粒接触。 在后续步骤中，将基底的温度设定为小于在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属的氧化物的温度。
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