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公开(公告)号：KR100392047B1
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：KR1020017007391
申请日：1999-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , H01L28/55
Abstract: 본 발명의 박막 형성 방법에서는 박막 형성 대상의 기판 분위기를 예컨대 0.01 Torr 이하의 고진공도로 설정한 상태에서, 약 450℃ 정도로 가열된 기판 표면상에 유기 금속 화합물의 가스와 산화 가스를 도입하여, 기판 표면에 유기 금속 화합물을 구성하고 있는 금속 산화물로 이루어지는 복수의 결정핵을 형성하고 있다. 이어서, 기판 분위기를 상기한 제1 진공도보다 저진공도로 설정한 상태에서, 약 450℃ 정도로 가열된 기판 표면에 연속해서 유기 금속 화합물의 가스와 산화 가스를 도입하여, 금속 산화물로 이루어지는 막을 기판 표면상에 형성하도록 하고 있다. 상기한 공정 중에서 제1 공정에서는 진공도를 상이한 재료의 표면에서 금속 산화물의 결정이 제1 온도에서 성장하는 진공도로 설정하고, 결정핵이 성장된 경우에 형성되는 결정립이 인접한 결정핵으로부터 성장하는 결정립과 접촉하도록 복수의 결정핵을 고밀도로 형성하고 있다. 또한, 제2 공정에서는 기판의 온도를 상이한 재료의 표면에서 금속 산화물이 결정 성장하는 온도 미만으로 설정한다.
Abstract translation: 在本发明的薄膜形成方法中，将作为薄膜形成靶的基材的气氛设定为例如0.01Torr以下的高真空度，将有机金属化合物和氧化气体的气体引入到 基底表面加热至约450℃，以在基体表面上形成由构成有机金属化合物的金属的氧化物制成的多个晶核。 然后将基体的气氛设定为比第一真空度更低的真空度，随后将有机金属化合物和氧化气体的气体引入加热至约450℃的基底表面上，以形成由 金属的氧化物在那里。 在上述过程中，在第一步骤中，将真空度设定为在第一温度下在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属氧化物的真空度，并且多个晶核形成在 高密度，使得通过生长晶核而形成的晶粒与从相邻晶核生长的晶粒接触。 在后续步骤中，将基底的温度设定为小于在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属的氧化物的温度。
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公开(公告)号：KR1020010093162A
公开(公告)日：2001-10-27
申请号：KR1020017007391
申请日：1999-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , H01L28/55
Abstract: 본발명의박막형성방법에서는박막형성대상의기판분위기를예컨대 0.01 Torr 이하의고진공도로설정한상태에서, 약 450℃정도로가열된기판표면상에유기금속화합물의가스와산화가스를도입하여, 기판표면에유기금속화합물을구성하고있는금속산화물로이루어지는복수의결정핵을형성하고있다. 이어서, 기판분위기를상기한제1 진공도보다저진공도로설정한상태에서, 약 450℃정도로가열된기판표면에연속해서유기금속화합물의가스와산화가스를도입하여, 금속산화물로이루어지는막을기판표면상에형성하도록하고있다. 상기한공정중에서제1 공정에서는진공도를상이한재료의표면에서금속산화물의결정이제1 온도에서성장하는진공도로설정하고, 결정핵이성장된경우에형성되는결정립이인접한결정핵으로부터성장하는결정립과접촉하도록복수의결정핵을고밀도로형성하고있다. 또한, 제2 공정에서는기판의온도를상이한재료의표면에서금속산화물이결정성장하는온도미만으로설정한다.
Abstract translation: 在本发明的薄膜形成方法中，将作为薄膜形成靶的基材的气氛设定为例如0.01Torr以下的高真空度，将有机金属化合物和氧化气体的气体引入到 基底表面加热至约450℃，以在基体表面上形成由构成有机金属化合物的金属的氧化物制成的多个晶核。 然后将基体的气氛设定为比第一真空度更低的真空度，随后将有机金属化合物和氧化气体的气体引入加热至约450℃的基底表面上，以形成由 金属的氧化物在那里。 在上述过程中，在第一步骤中，将真空度设定为在第一温度下在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属氧化物的真空度，并且多个晶核形成在 高密度，使得通过生长晶核而形成的晶粒与从相邻晶核生长的晶粒接触。 在后续步骤中，将基底的温度设定为小于在不同材料的表面上通过晶体生长形成金属的氧化物的温度。
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公开(公告)号：KR100743299B1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：KR1020057000125
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050013668A
公开(公告)日：2005-02-04
申请号：KR1020057000125
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.
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公开(公告)号：KR100799377B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020067017124
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 기판 처리 장치의 클리닝공정에 있어서, 내부챔버와 내부챔버를 수용한 외부챔버와의 사이의 공간의 진공배기가 실행된다. 내부챔버의 온도를 기판의 처리시에 있어서의 내부챔버의 온도보다 높이고, 기판지지부재의 온도보다 낮게 한다. 그 후, 내부챔버내에 헥사플루오로 아세틸 아세톤(Hhfac)을 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 내부챔버내에 부착되어 있는 피클리닝물질을 제거한다.
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公开(公告)号：KR1020060097138A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020067017124
申请日：2003-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: In a cleaning step of a substrate- processing device, vacuum drawing is made for the space between an inner chamber and an outer chamber that receives the inner chamber. Temperature of the inner chamber is set higher than the temperature of the inner chamber during substrate processing and set lower than the temperature of a substrate support member. After that, a cleaning gas containing hexafluoroacetylaceton (Hhfac) is supplied in the inner chamber, and substances to be cleaned off adhering inside the inner chamber are removed.
Abstract translation: 在基板处理装置的清洁步骤中，对内室和接收内室的外室之间的空间进行真空吸附。 内部室的温度设定为高于衬底处理期间内部室的温度，并且设定为低于衬底支撑构件的温度。 之后，在内室供给含有六氟乙酰丙酮（Hhfac）的清洗气体，除去粘附在内室内的待清洗物质。
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公开(公告)号：KR100397015B1
公开(公告)日：2003-09-02
申请号：KR1020000047825
申请日：2000-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/409 , C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45565
Abstract: In a metal oxide film formation method, a source gas mixture of organic compound gases containing at least three metals, and an oxidation gas are individually prepared. While the substrate is heated, the oxidation gas is supplied to a substrate set in a closed vessel at a predetermined pressure, and then the gas mixture is supplied. A metal oxide film is formed on the substrate. A metal oxide film formation apparatus is also disclosed.
Abstract translation: 在金属氧化物膜形成方法中，分别制备含有至少三种金属的有机化合物气体和氧化气体的原料气体混合物。 在加热衬底的同时，将氧化气体以预定压力供应到设置在密闭容器中的衬底，然后供应气体混合物。 在基板上形成金属氧化物膜。 还公开了一种金属氧化物膜形成装置。
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公开(公告)号：KR1020010050122A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1020000047825
申请日：2000-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/409 , C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45565
Abstract: PURPOSE: To form a BST film having higher quality. CONSTITUTION: In a shower chamber 106, source gas and a trace amt. of oxidizing gas are mixed, and premix gas obtd. by mixing the source gas and oxidizing gas is fed to the surface of a substrate 103 from a premix gas discharging port 108. Then, by discharging a large quantity of oxidizing gas from an another oxidizing gas discharging port 109, this large quantity of oxidizing gas and the premix gas discharged to the surface of the substrate 103 are mixed on the substrate 103.
Abstract translation: 目的：形成具有较高质量的BST胶片。 构成：在淋浴室106中，源气体和痕迹。 的氧化气体混合，预混合气体。 通过混合源气体和氧化气体从预混气体排出口108供给到基板103的表面。然后，通过从另一氧化剂气体排出口109排出大量的氧化气体，该大量的氧化气体 并且将排出到基板103的表面的预混合气体混合在基板103上。
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