公开(公告)号：KR1020130007658A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR100991566B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 결정 구조를 컨트롤함으로써 종래 이상으로 낮은 저항을 갖는 금속계막을 형성한다. 금속계 원료 가스로서 예컨대 WF
6
가스를 공급하는 단계와 수소 화합물 가스로서 예컨대 SiH
4
가스를 공급하는 단계를 불활성 가스 예컨대 Ar 가스, N
2 가스를 공급하는 퍼지 단계를 개재시켜 교대로 반복 실행함으로써 비정질을 포함하는 제1 텅스텐막을 형성하는 제1 텅스텐막 형성 단계와, 제1 텅스텐막 상에 상기 WF
6
가스와 환원성 가스로서 예컨대 H
2
가스를 동시에 공급함으로써 제2 텅스텐막을 형성하는 제2 텅스텐막 형성 단계를 포함한다. SiH
4
가스를 공급하는 단계 이후의 퍼지 단계의 실행 시간을 바꿈으로써 제1 텅스텐막이 포함하는 비정질의 비율을 컨트롤한다.

公开(公告)号：KR1020040029108A

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 분자 내에 환상 구조를 갖는 화합물로 구성되는 처리 가스를 챔버(12)내에 도입한다. 한편으로 아르곤 등의 여기용 가스를 액티베이터(34)에 의해서 여기시켜 챔버(12) 내에 도입하여 처리 가스를 여기시킨다. 여기된 처리 가스는 피처리 기판(l9)상에 퇴적하여, 환상 구조를 막 중에 갖는 다공질 저유전율막을 형성한다.

Abstract translation: 由分子中具有环结构的化合物构成的处理气体被导入腔室（12）。 同时，由激活器（34）激励诸如氩等的激励气体并将其引入腔室（12）中，以使处理气体被激发。 激发的处理气体沉积在处理目标基板（19）上，在膜中形成具有环形结构的多孔低介电常数膜。

公开(公告)号：KR1020020073261A

公开(公告)日：2002-09-23

申请号：KR1020020012824

申请日：2002-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코니시노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: PURPOSE: A film forming method and a film forming device are provided to enhance an adhering property between films such as layer-to-layer insulating films having a low dielectric constant or between the layer-to-layer insulating films and other adjacent films. CONSTITUTION: A film forming method comprises a step for applying a reforming treatment onto a surface of a porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) formed on a substrate; and a step for forming the insulating layer(47), as an etching mask or a CMP stopper, on the surface of the porous or non-porous low dielectric constant insulation layer(46) applied with the reforming treatment. A surface roughness of the porous or non-porous low dielectric constant insulating layer(46) is increased by irradiating plasma as the reforming treatment.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以提高诸如具有低介电常数的层间绝缘膜之间或层间绝缘膜与其它相邻膜之间的膜之间的粘合性能。 构成：成膜方法包括将重整处理施加到形成在基板上的多孔或非多孔低介电常数绝缘层（46）的表面上的步骤; 以及在施加了重整处理的多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面上形成作为蚀刻掩模或CMP阻挡层的绝缘层（47）的步骤。 通过照射等离子体作为重整处理来增加多孔或无孔低介电常数绝缘层（46）的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR101436710B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR1020080063730A

公开(公告)日：2008-07-07

申请号：KR1020080049193

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코시니노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: A method and an apparatus for forming films are provided to enhance productivity and reduce the number of ultraviolet lamps by radiating ultraviolet rays while carrying wafers. An apparatus for forming films includes a rotation unit, a supply unit, and a radiation unit(50). The rotation unit supports and rotates a substrate. The supply unit supplies insulation film materials on the substrate while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit radiates plasma on a surface of an insulation film formed on the substrates by the supply unit while rotating the substrate by the rotation unit. The radiation unit is a plasma generator using inductively coupled plasma.

Abstract translation: 提供了一种用于形成膜的方法和装置，以便在携带晶片的同时通过辐射紫外线来提高生产率并减少紫外线灯的数量。 一种用于形成膜的设备包括旋转单元，供应单元和辐射单元（50）。 旋转单元支撑并旋转衬底。 供给单元在通过旋转单元旋转基板的同时在基板上提供绝缘膜材料。 辐射单元在通过旋转单元旋转基板的同时通过供给单元在形成在基板上的绝缘膜的表面上辐射等离子体。 辐射单元是使用电感耦合等离子体的等离子体发生器。

公开(公告)号：KR1020020093074A

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：KR1020027014331

申请日：2001-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치를 제조하는 방법은 제 1 절연막상에 제 2 절연막을 증착시키는 단계, 제 2 절연막을 패터닝하여 내부에 개구부를 형성하는 단계, 및, 제 2 절연막을 에칭 마스크로서 사용하면서 제 1 절연막을 에칭하는 단계를 포함하며, 여기서, 제 2 절연막에는 저유전막을 사용한다.

公开(公告)号：KR1019990088207A

公开(公告)日：1999-12-27

申请号：KR1019990016905

申请日：1999-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  리우이준 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586

Abstract: 매엽식 CVD 장치는, Ba(thd)및 Sr(thd)를혼합한제 1 처리가스와, Ti(O-iPr)(thd)또는 TiO(thd)를포함하는제 2 처리가스를공급하면서, 반도체웨이퍼 W 상에 BST 박막을형성한다. Ba 및 Sr의전구체는, Ti의전구체에비해서, 활성화에너지가낮고, 또한반응성이강하다. 제 1 및제 2 처리가스를공급하기위한샤워헤드(32)는, 제 1 처리가스를분출하기위한제 1 분사구멍(102A)의군과, 제 2 처리가스를분출하기위한제 2 분사구멍(102B)의군을갖는다. 제 2 분사구멍(102B)의군은, 이들구멍의직경이샤워영역(100) 내에서중심으로부터반경방향외측을향하여감소하도록설정되고, 따라서제 2 처리가스의분사량은중심으로부터반경방향외측을향하여감소한다.

公开(公告)号：KR1020060097768A

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020067016087

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a film which comprises a step of introducing a gas to be treated comprising a compound having a cyclic structure in the molecule thereof into a chamber (12), and a step of exciting a gas for excitation, such as argon, by means of an activator (34) and then introducing the excited gas for excitation into the chamber (12), to indirectly excite the gas to be treated. The excited gas to be treated is deposited on a substrate (19) to be treated and forms a porous film having a cyclic structure in an increased content and thus exhibiting a reduced permitivity.

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将包含其分子中具有环状结构的化合物的待处理气体引入到室（12）中的步骤，以及通过以下步骤将氩气激发气体的步骤： 活化剂（34）的装置，然后将激发的气体引入到室（12）中，以间接地激发待处理的气体。 待处理的被激发气体沉积在待处理的基材（19）上，并形成具有增加的含量的环状结构的多孔膜，从而显示出较低的介电常数。

公开(公告)号：KR1020030021180A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：KR1020027017662

申请日：2001-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엔이씨 주식회사

Inventor： 모리다쿠야 ,  이나자와고이치로 ,  고바야시노리유키 ,  스기우라마사히토 ,  하야시요시히로 ,  기노시타게이조

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 숄더 로스가 적은 듀얼 다마신 구조를 얻는다. 유기 low k 막(208)과 그 위에 형성된 마스크층(210)을 피에칭층으로 하여, 유기 low k 막층에 숄더부를 갖는 듀얼 다마신 구조를 적어도 2개 이상의 혼합 기체를 사용하여 드라이 에칭으로 형성하는 방법에 있어서, 제 1 프로세스 기체에 의해 마스크층을 에칭한 후, 계속해서 상기 제 1 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 소정 깊이까지 에칭하는 제 1 공정과, 제 1 공정후에, 제 2 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 에칭하는 제 2 공정을 실시한다. 제 1 공정에 의해 비아 측벽에 보호벽을 형성할 수 있기 때문에 트렌치와 비아의 접합 영역에 형성되는 숄더 로스를 경감시킬 수 있다.