公开(公告)号：KR1020090064430A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: A method is provided for reducing the amount of film fragments (66a) discharged into a processing liquid circulation system (73, 73') during removal of films (66) from wafers (W), thereby reducing the frequency of filter (80) cleaning or filter (80) replacement. The method includes exposing a wafer (W) containing a film (66) formed thereon in a process chamber (46) of a substrate processing system (1) to a processing liquid (64), where the wafer (W) is not rotated or is rotated at a first speed (608a, 908a, 1208a) and the processing liquid (64) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid circulation system (73). Subsequently, exposure of the wafer (W) to the processing liquid (64, 64a, 64b) is discontinued and the wafer (W) is rotated at a second speed (608b, 908b, 1208b) greater than the first speed (608a, 908a, 1208a) to centrifugally remove fragments (66a) of the film (66) from the wafer (W). Next, the wafer (W) is exposed to the same or a different processing liquid (64, 64a, 64b) and the processing liquid (64, 64a, 64b) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid drain (78).

Abstract translation: 提供一种用于减少在从晶片（W）移除薄膜（66）期间排出到处理液体循环系统（73,73'）中的薄膜碎片（66a）的量的方法，从而降低过滤器（80）清洁的频率 或过滤器（80）更换。 该方法包括将其上形成的膜（66）的晶片（W）暴露在基板处理系统（1）的处理室（46）中的处理液体（64）中，其中晶片（W）不旋转或 以第一速度（608a，908a，1208a）旋转，并且处理液体（64）从处理室（46）排出到处理液循环系统（73）。 随后，将晶片（W）暴露于处理液（64,64a，64b）中断，晶片（W）以比第一速度（608a，908a）大的第二速度（608b，908b，1208b）旋转 ，1208a）从晶片（W）离心去除膜（66）的碎片（66a）。 接下来，将晶片（W）暴露于相同或不同的处理液（64,64a，64b），处理液（64,64a，64b）从处理室（46）排出到处理液排出口 78）。

公开(公告)号：KR101107415B1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼(W)로부터 막(66) 제거 시에, 처리액 순환 시스템(73, 73')에 배출되는 막 파편량(66a)을 저감시켜, 필터(80) 세척 또는 필터(80) 교체의 빈도를 줄이기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판 처리 시스템(1)의 공정 챔버(46) 내에서 막(66)이 위에 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 처리액(64)에 노출시키는 것을 포함하고, 이 경우 웨이퍼(W)는 제1 속도(608a, 908a, 1208a)로 회전하거나 회전하지 않으며, 처리액(64)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 순환 시스템(73)에 배출된다. 후속하여, 처리액(64, 64a, 64b)에의 웨이퍼(W)의 노출을 중지하고, 제1 속도(608a, 908a, 1208a)보다 고속인 제2 속도(608b, 908b, 1208b)에서 웨이퍼(W)를 회전시켜 그 웨이퍼(W)로부터 원심력에 의해 막(66)의 파편(66a)을 제거한다. 다음에, 웨이퍼(W)를 같거나 상이한 처리액(64, 64a, 64b)에 노출시키고, 그 처리액(64, 64a, 64b)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 배액관(78)에 배출된다.