公开(公告)号：KR1019940024948A

公开(公告)日：1994-11-19

申请号：KR1019940008003

申请日：1994-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가사와야스시 ,  야마시타사토루 ,  마쓰도마사히코

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1020010043753A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007013110

申请日：2000-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  마쓰도마사히코

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명의 박막의 열처리방법은, 인원자를 포함하는 금속실리사이드층을 가진 박막을 열처리하는 방법으로서, 온도상승공정과, 온도유지공정과, 온도하강공정으로 이루어져 있다. 이 중 적어도 온도상승공정에 있어서 산화성가스 또는 산화성가스를 포함하는 가스분위기에서 박막이 가열된다. 온도상승공정에서 박막에 산화막이 형성되어, 인원자의 방출이 방지된다.

公开(公告)号：KR1020010070488A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：KR1020010001288

申请日：2001-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰도마사히코 ,  스즈키겐지 ,  오쿠보가즈야

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/4933 ,  Y10S257/90

Abstract: PURPOSE: To solve a problem that a void V is formed inside an electrode or a wiring of polyside structure in a formation stage in which the electrode and the wiring are formed, and with a reduction in size and resistance of an electrode and a wiring, the adverse effect of the void V gets actualized to deteriorate the manufacture of the electrode and wiring in yield. CONSTITUTION: A tungsten silicide film is formed through such a manner that when a tungsten silicide layer is formed on a polysilicon layer, phosphorus atom-containing gas is added to reactive gas in an initial stage in which the tungsten silicide layer is formed, and the amount of phosphorus atom-containing gas added to the reactive gas is set at 0.2 to 0.45 vol.%.

Abstract translation: 目的：为了解决在形成电极和布线的形成阶段中的电极或多边形结构的布线内形成空穴V并且电极和布线的尺寸和电阻降低的问题， 实现空隙V的不利影响，使电极和布线的制造成品率下降。 构成：通过以下方式形成硅化钨膜：当在多晶硅层上形成硅化钨层时，在形成硅化钨层的初始阶段将含磷原子的气体加入到反应性气体中， 添加到反应气体中的含磷原子气体的量设定为0.2〜0.45体积％。

公开(公告)号：KR100272304B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019940008003

申请日：1994-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가사와야스시 ,  야마시타사토루 ,  마쓰도마사히코

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07357 ,  G01R1/06711 ,  G01R1/0675 ,  G01R1/06761 ,  G01R1/06772 ,  G01R3/00 ,  Y10T137/5762

Abstract: 신호전류가 흐르는 선재의 외면에, 제1절연막을 통하여 도전막을 피복시키고, 다시 이 도전막의 외면에 제2절연막을 피복하며, 도전막은 접지한다.
이것에 의하여, 신호전류가 흐르는 선재는 도전막에 의하여 시일드되기 때문에, 노이즈 영향도 받지 않고, 신호전류 상호간의 크로스 토크도 방지된다. 더구나 제2절연막에 의하여 다른 프로우브 침과의 상호 접촉에 의한 영향도 없기 때문에, 정확하고 안정한 측정이 가능해진다.
프로우브 침의 비코팅부분을 녹인 열용융성 왁스로 덮고, 비코팅부분을 덮은 열용융성 왁스를 상온에서 경화하며, 프로우브 침 본체에 진공증착에 의하여 코팅을 실시하고, 열용융성 왁스를 다시 가열하여 녹이며, 프로우브 침으로부터 상기 열용융성 왁스를 제거함으로써, 프로우브 침의 코팅이 이루어진다. 그 결과, 마스킹 경계에서 코팅부분과 비코팅부분이 정확하게 구분된 프로우브 침을 얻을 수 있다. 또, 코팅이 종료한 프로우브 침에 대하여 세정처리를 실시하는 것에 의하여 남아 있는 왁스를 완전히 제거될 수 있다.