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公开(公告)号：KR100803803B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020067016344
申请日：2005-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/42 , H01L21/28088 , H01L29/4966
Abstract: 본 발명은, 반도체 기판(1)과, 이 기판 위에 형성된 게이트 절연막, 예를 들면 게이트 산화막(2)과, 이 절연막 위에 형성된 게이트 전극(3)을 구비한 반도체 장치에 관한 것이다. 게이트 전극(3)은, 금속 화합물막(3a)을 가진다. 이 금속 화합물막(3a)은, 금속 카르보닐을 함유하는 원료, 예를 들면 W(CO)
6 가스와, Si를 함유하는 가스 및 N을 함유하는 가스 중의 적어도 하나를 이용한 CVD에 의해 형성된다. 이와 같이 해서 형성되는 금속 화합물막(3a)은, 그 Si 및/또는 N의 함유량에 의해서, 그 일함수의 값을 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100783844B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020067015538
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.Abstract translation: 埋入孔的较小直径，所以能够抑制空隙和程度的火山的发生产生的特征尺寸造成不利影响，并提供了良好的钨膜形成方法埋藏性质。
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公开(公告)号：KR1019980071647A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980005741
申请日：1998-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28
Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다-결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다-결정 규소 층을 형성하는 단계, 다-결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하기위해 막 형성 기구에 가공 대상을 유지시키는 단계, 및 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 산화막이 형성되지않은 다-결정 규소 층에 형성시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100479283B1
公开(公告)日：2005-03-28
申请号：KR1020027009180
申请日：2001-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 원료 가스를 기부 배리어 막(3)에 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나가 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 원료 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 원료 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 원료 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.
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公开(公告)号：KR100466152B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1019980005741
申请日：1998-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28
Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 장치에 공급하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다결정 규소 층을 형성시키는 단계, 상기 막 형성 장치에 가공 표적을 유지시켜 다결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하는 단계, 및 상기 막 형성 장치에 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 공급하여 산화막이 형성되지 않은 다결정 규소 층에 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100373790B1
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：KR1019980007161
申请日：1998-03-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/08
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45561
Abstract: pre-coating films are formed in a pretreatment by supplying first film-forming gases into a process chamber (20) of a process vessel (18) while heating the process chamber so as to form a first pre-coating film on the inner surface of the process vessel exposed to the process chamber, followed by supplying second film-forming gases into the process chamber to form a second pre-coating film on the first pre-coating film. A semiconductor wafer (W) is loaded into the process chamber. Then, the first gases is supplied into the process chamber while heating the process chamber so as to form a first layer on the wafer, followed by supplying the second gases into the process chamber so as to form a second layer on the first layer. A silane gas is supplied into the process chamber to permit silicon material to be deposited on the surface of the second layer stacked on the first layer. Finally, the wafer having the first and second multi-film is unloaded out of the process vessel.
Abstract translation: 通过在加热处理室的同时向处理容器（18）的处理室（20）中供应第一成膜气体以在所述处理室的内表面上形成第一预涂覆膜，在预处理中形成预涂覆膜 处理容器暴露于处理室，随后将第二成膜气体供应到处理室中以在第一预涂膜上形成第二预涂膜。 将半导体晶片（W）装载到处理室中。 然后，在加热处理室的同时将第一气体供应到处理室中，以便在晶片上形成第一层，随后将第二气体供应到处理室中以便在第一层上形成第二层。 硅烷气体被供应到处理室中以允许硅材料沉积在堆叠在第一层上的第二层的表面上。 最后，将具有第一和第二多层膜的晶片从加工容器卸出。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020060123552A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020067016344
申请日：2005-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/336
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/42 , H01L21/28088 , H01L29/4966
Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate (1), a gate insulating film such as a gate oxide film (2) formed on the substrate, and a gate electrode (3) formed on the insulating film. The gate electrode (3) has a metal compound film (3a) which is formed by CVD using a raw material such as a W(CO)6 gas that contains a metal carbonyl and at least one of an Si-containing gas and an N-containing gas. The work function of the metal compound film (3a) can be controlled by changing the amount of Si and/or N contained therein.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件，包括半导体衬底（1），形成在衬底上的栅极氧化膜（2）等栅极绝缘膜和形成在绝缘膜上的栅电极（3）。 栅电极（3）具有金属化合物膜（3a），其通过CVD使用诸如含有羰基金属的W（CO）6气体和含Si气体和N 含气体。 可以通过改变其中所含的Si和/或N的量来控制金属化合物膜（3a）的功函数。
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公开(公告)号：KR1020040030965A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020047002213
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.Abstract translation: 一种在能够抽真空的容器中在待处理物体的表面上形成钨膜的方法包括以下步骤：通过交替地重复用于供应还原气体的还原气体供应处理和供应钨气体的供应处理来形成钨膜 用于供应含钨气体的中间清洗过程用于在抽真空容器的同时供应惰性气体。 重复还原气体供给工序中的还原气体供给工序的还原气体供给期间被设定为比其余的还原气体供给工序长。
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公开(公告)号：KR1019980079901A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：KR1019980007161
申请日：1998-03-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/08
Abstract: 처리실에 노출된 처리 용기의 내측 표면상에 제 1 프리코팅막을 형성하기 위해, 상기 처리실을 가열하면서, 제 1 성막용 가스를 상기 처리 용기의 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 프리코팅막상에 제 2 프리코팅막을 형성하기 위해, 제 2 성막용 가스를 상기 처리실 내로 공급하는 것에 의해, 전처리(pretreatment)시에 프리코팅막을 형성한다. 이어서, 반도체 웨이퍼를 상기 처리실 내로 로딩한다. 그 후, 상기 웨이퍼상의 제 1 층을 형성하기 위해, 처리실을 가열하면서 상기 제 1 가스를 상기 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 층상에 제 2 층을 형성하기 위해, 상기 제 2 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 다음에, 상기 제 1 층상에 적층된 상기 제 2 층의 표면상에 실리콘 물질이 증착되도록 실란 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 최종적으로, 제 1 및 제 2 적층막을 갖는 웨이퍼를 상기 처리 용기의 외부로 언로딩한다.
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公开(公告)号：KR100688652B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020047002213
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: A method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a vessel capable of being vacuumized, includes the steps of forming a tungsten film by alternately repeating a reduction gas supplying process for supplying a reduction gas and a tungsten gas supplying process for supplying a tungsten-containing gas with an intervening purge process therebetween for supplying an inert gas while vacuumizing the vessel. A reduction gas supplying period of a reduction gas supplying process among the repeated reduction gas supplying processes is set to be longer than that of the remaining reduction gas supplying processes.
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