公开(公告)号：KR1020130009814A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020127027452

申请日：2011-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  마츠다켄지 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

Abstract: 절연막으로서 폴리이미드막 등의 유기막을 이용해도, 불활성 가스의 플라즈마의 조사에 의한 클리닝에 기인하는 절연막의 절연성의 저하를 회복할 수 있어, 리크(leak) 전류의 발생을 억제한 양질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기판에 한쪽의 면으로부터 다른 한쪽의 면에 형성된 전극까지 관통하는 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 홀 내에 유기 절연막을 형성하는 유기 절연막 형성 공정과, 홀 내의 측벽부의 유기 절연막을 남기고, 홀 내의 저부의 유기 절연막의 적어도 일부를 제거하여 전극에 관통시키는 공정과, 전극의 노출면을 불활성 가스의 플라즈마에 의해 클리닝하는 클리닝 공정과, 홀 내에 도체 금속을 충전하는 공정과, 산소 플라즈마를 작용시켜 유기 절연막의 표면층의 적어도 일부를 제거하는 공정과, 기판을 비산화성 분위기에서 열처리하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.

Abstract translation: 被用作绝缘聚酰亚胺膜如有机膜，半导体器件也能够恢复该绝缘膜的绝缘劣化，并抑制泄漏（泄漏）的发生电流引起由于惰性气体等离子体的照射的清洁质量 及其制造方法。 孔形成步骤，形成从所述一个表面贯穿到形成在所述基板的另一个表面上的所述电极的孔;有机绝缘膜形成步骤，在所述孔中形成有机绝缘膜; 用惰性气体的等离子体清洁电极的暴露表面的步骤，将导体金属填充在孔中的步骤以及形成有机绝缘膜的步骤 去除半导体衬底的至少一部分表面层;以及在非氧化气氛中对衬底进行热处理。

公开(公告)号：KR101386944B1

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020127027452

申请日：2011-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  마츠다켄지 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

Abstract: 절연막으로서 폴리이미드막 등의 유기막을 이용해도, 불활성 가스의 플라즈마의 조사에 의한 클리닝에 기인하는 절연막의 절연성의 저하를 회복할 수 있어, 리크(leak) 전류의 발생을 억제한 양질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기판에 한쪽의 면으로부터 다른 한쪽의 면에 형성된 전극까지 관통하는 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 홀 내에 유기 절연막을 형성하는 유기 절연막 형성 공정과, 홀 내의 측벽부의 유기 절연막을 남기고, 홀 내의 저부의 유기 절연막의 적어도 일부를 제거하여 전극에 관통시키는 공정과, 전극의 노출면을 불활성 가스의 플라즈마에 의해 클리닝하는 클리닝 공정과, 홀 내에 도체 금속을 충전하는 공정과, 산소 플라즈마를 작용시켜 유기 절연막의 표면층의 적어도 일부를 제거하는 공정과, 기판을 비산화성 분위기에서 열처리하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.