公开(公告)号：KR1020120112054A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120029164

申请日：2012-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이도야스유키 ,  스기타킷페이 ,  야마구치타츠야

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C23C16/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304

Abstract: PURPOSE: A cleaning method and a film depositing method are provided to prevent the carbonization of polyimide by heating a deposition container at 360°C to 540 deg;C in the state creating oxygen atmosphere. CONSTITUTION: A first source gas and a second source gas are provided within a deposition container. The first source gas is comprised of acid anhydride. The second source gas is comprised of diamine. Oxygen atmosphere is created within the deposition container(S12). The deposition container is heated at 360°C to 540 deg;C in the state of the oxygen atmosphere(S13). Polyimide is eliminated by oxidizing the polyimide remaining within the deposition container(S18). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Treatment process; (CC) End; (S11) Carrying a wafer in a deposition container(carry-in process); (S12) Decompressing the inner side of the deposition container(decompression process); (S13) Raising the temperature of the wafer to a deposition temperature(recovery process); (S14) Forming a polyimide film(film forming process); (S15) Purging the inner side of the deposition container(purge process); (S16) Restoring the pressure of the inner side of the deposition container to atmospheric pressure(pressure restoration process); (S17) Carrying out the wafer from the deposition container(carry-out process); (S18) Oxidizing and removing polyimide remaining in the deposition container

Abstract translation: 目的：提供清洁方法和膜沉积方法，以在产生氧气氛的状态下，通过在360℃至540℃下加热沉积容器来防止聚酰亚胺的碳化。 构成：第一源气体和第二源气体设置在沉积容器内。 第一源气由酸酐组成。 第二源气由二胺构成。 在沉积容器内产生氧气（S12）。 在氧气氛中，沉积容器在360℃加热至540℃（S13）。 通过氧化保留在沉积容器内的聚酰亚胺来除去聚酰亚胺（S18）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）治疗过程; （CC）结束; （S11）在沉积容器中携带晶片（进入工艺）; （S12）解压缩沉积容器的内侧（减压处理）; （S13）将晶片的温度提高至沉积温度（恢复处理）; （S14）形成聚酰亚胺膜（成膜法）; （S15）清洗沉积容器的内侧（吹扫处理）; （S16）将沉积容器的内侧的压力恢复到大气压（压力恢复处理）; （S17）从沉积容器进行晶片（进行处理）; （S18）保留在沉积容器中的氧化和除去聚酰亚胺

公开(公告)号：KR101386944B1

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020127027452

申请日：2011-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  마츠다켄지 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

Abstract: 절연막으로서 폴리이미드막 등의 유기막을 이용해도, 불활성 가스의 플라즈마의 조사에 의한 클리닝에 기인하는 절연막의 절연성의 저하를 회복할 수 있어, 리크(leak) 전류의 발생을 억제한 양질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기판에 한쪽의 면으로부터 다른 한쪽의 면에 형성된 전극까지 관통하는 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 홀 내에 유기 절연막을 형성하는 유기 절연막 형성 공정과, 홀 내의 측벽부의 유기 절연막을 남기고, 홀 내의 저부의 유기 절연막의 적어도 일부를 제거하여 전극에 관통시키는 공정과, 전극의 노출면을 불활성 가스의 플라즈마에 의해 클리닝하는 클리닝 공정과, 홀 내에 도체 금속을 충전하는 공정과, 산소 플라즈마를 작용시켜 유기 절연막의 표면층의 적어도 일부를 제거하는 공정과, 기판을 비산화성 분위기에서 열처리하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.

公开(公告)号：KR101190673B1

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020107018419

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: C23C14/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  B05D5/10 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02312

Abstract: 20체적％ 이상의 밀착 촉진제를 포함하는 수용액을 80～100℃의 온도로 가열 및 기화시켜 물 함유 밀착 촉진제 증기를 생성하여, 기판의 표면에 상기 물 함유 밀착 촉진제 증기를 부착 및 응축시킨 후, 가열 탈수 반응을 발생시켜, 상기 기판의 상기 표면에 상기 밀착 촉진제를 부착시킨다.

公开(公告)号：KR1020130009814A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020127027452

申请日：2011-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  마츠다켄지 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

Abstract: 절연막으로서 폴리이미드막 등의 유기막을 이용해도, 불활성 가스의 플라즈마의 조사에 의한 클리닝에 기인하는 절연막의 절연성의 저하를 회복할 수 있어, 리크(leak) 전류의 발생을 억제한 양질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기판에 한쪽의 면으로부터 다른 한쪽의 면에 형성된 전극까지 관통하는 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 홀 내에 유기 절연막을 형성하는 유기 절연막 형성 공정과, 홀 내의 측벽부의 유기 절연막을 남기고, 홀 내의 저부의 유기 절연막의 적어도 일부를 제거하여 전극에 관통시키는 공정과, 전극의 노출면을 불활성 가스의 플라즈마에 의해 클리닝하는 클리닝 공정과, 홀 내에 도체 금속을 충전하는 공정과, 산소 플라즈마를 작용시켜 유기 절연막의 표면층의 적어도 일부를 제거하는 공정과, 기판을 비산화성 분위기에서 열처리하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.

Abstract translation: 被用作绝缘聚酰亚胺膜如有机膜，半导体器件也能够恢复该绝缘膜的绝缘劣化，并抑制泄漏（泄漏）的发生电流引起由于惰性气体等离子体的照射的清洁质量 及其制造方法。 孔形成步骤，形成从所述一个表面贯穿到形成在所述基板的另一个表面上的所述电极的孔;有机绝缘膜形成步骤，在所述孔中形成有机绝缘膜; 用惰性气体的等离子体清洁电极的暴露表面的步骤，将导体金属填充在孔中的步骤以及形成有机绝缘膜的步骤 去除半导体衬底的至少一部分表面层;以及在非氧化气氛中对衬底进行热处理。

公开(公告)号：KR1020100102227A

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020107018419

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타킷페이 ,  하시모토히로유키 ,  하라다무네오

IPC: C23C14/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  B05D5/10 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02312

Abstract: 20체적％ 이상의 밀착 촉진제를 포함하는 수용액을 80∼100℃의 온도로 가열 및 기화시켜 물 함유 밀착 촉진제 증기를 생성하여, 기판의 표면에 상기 물 함유 밀착 촉진제 증기를 부착 및 응축시킨 후, 가열 탈수 반응을 발생시켜, 상기 기판의 상기 표면에 상기 밀착 촉진제를 부착시킨다.

公开(公告)号：KR101128348B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020107015120

申请日：2010-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  스기타킷페이

IPC: H01L21/312 ,  B01J7/00 ,  H01L21/205 ,  C23C14/24

CPC classification number: B05D1/60

Abstract: 고체 원료를 가열하여 승화시켜 원료 가스를 발생시키는 가열부와, 가열부의 상방에 형성되며, 가열부에 고체 원료를 공급하는 공급부와, 가열부에서 발생시킨 원료 가스를 반송하는 캐리어 가스를 도입하는 가스 도입부와, 발생시킨 원료 가스를 캐리어 가스와 함께 도출하는 가스 도출부를 갖는다. 가스 도입부로부터 도입된 캐리어 가스가 가열부를 통과한다.

Abstract translation: 及加热部通过升华通过加热固体物质，以产生一个源气体时，在加热部的上方，用于将载气输送引起在加热元件的原料气体供给固体原料加热部，气体供给部 以及用于将生成的源气体与载气一起引出的气体引出部分。 从气体导入部导入的载气通过加热部。

公开(公告)号：KR1020100115347A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107015120

申请日：2010-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  스기타킷페이

IPC: H01L21/312 ,  B01J7/00 ,  H01L21/205 ,  C23C14/24

CPC classification number: B05D1/60

Abstract: 고체 원료를 가열하여 승화시켜 원료 가스를 발생시키는 가열부와, 가열부의 상방에 형성되며, 가열부에 고체 원료를 공급하는 공급부와, 가열부에서 발생시킨 원료 가스를 반송하는 캐리어 가스를 도입하는 가스 도입부와, 발생시킨 원료 가스를 캐리어 가스와 함께 도출하는 가스 도출부를 갖는다. 가스 도입부로부터 도입된 캐리어 가스가 가열부를 통과한다.