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公开(公告)号：KR100888841B1
公开(公告)日：2009-03-17
申请号：KR1020087016587
申请日：2005-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06716 , G01R1/06727 , Y10T29/49002
Abstract: 프로브 침은, 일단이 고정된 한 쌍의 꼬불꼬불한 형상의 빔과, 한 쌍의 꼬불꼬불한 형상의 빔의 타단에 설치되어, 한 쌍의 꼬불꼬불한 형상의 빔을 접속하기 위한 접속부를 포함하고, 접속부의 빔의 반대측에는 피검사물에 접촉하는 콘택터가 설치되어 있다. 한 쌍의 꼬불꼬불한 형상의 빔은 절곡의 주기가 같고, 절곡의 위상의 어긋남은 180˚이다.
Abstract translation: 用于制造具有光束的探针的方法和放置在光束的尖端上的接触器包括准备Si晶片20，在Si晶片20上形成晶种层21，并且在晶种层上形成所需光束形状的凹槽 接着，用金属镀层24a，24b填充凹槽以形成所需的光束形状。
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公开(公告)号：KR101571020B1
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020120029163
申请日：2012-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0271 , B05D1/60 , B05D1/62 , H01L21/02118 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/306
Abstract: 처리용기내의기판의표면을처리하는방법으로서, 상기처리용기내에물을포함하지않는분위기를생성하는공정및 상기물을포함하지않는분위기중에서, 상기처리용기내의상기기판을가열하고, 상기처리용기내에밀착촉진제가스를공급함으로써, 상기기판과상기밀착촉진제가스를반응시키는공정을갖는표면처리방법이다.
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公开(公告)号：KR1020050098310A
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：KR1020057014663
申请日：2004-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01C9/06 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
Abstract: An acceleration sensor (10) for detecting the inclinational deviation of an article from its basic position has a sensor chip for detecting an inclinational deviation, the sensor chip including a detecting axis or two intersecting detecting axes. An axis perpendicular to the detecting surface of the sensor chip is provided so as to be parallel to a reference surface of the article in the basic position. The sensor chip obtains an output signal in accordance with an inclinational deviation of the reference surface.
Abstract translation: 用于检测制品与其基本位置的倾斜偏差的加速度传感器（10）具有用于检测倾斜偏差的传感器芯片，所述传感器芯片包括检测轴或两个相交的检测轴。 垂直于传感器芯片的检测表面的轴被设置为平行于基本位置的物品的参考表面。 传感器芯片根据参考表面的倾斜偏差获得输出信号。
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公开(公告)号：KR101607802B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020147029647
申请日：2013-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , B05D2490/50 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02359 , H01L21/76831 , H01L21/76898
Abstract: 성막방법은, 피처리체를수용하고, 진공화된처리용기내에산무수물로이루어지는제1 원료가스와디아민으로이루어지는제2 원료가스를공급하여, 피처리체의표면에고분자박막으로이루어지는절연막을형성하고, 계속해서, 상기처리용기내로의제2 원료가스의공급을정지시킴과함께제1 원료가스를상기처리용기내에계속해서공급하여, 절연막을개질시킴으로써절연막에배리어기능을갖게한다
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公开(公告)号：KR100903842B1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020077008447
申请日：2005-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R3/00
Abstract: 프로브 니들(20)은 캔틸레버(21)와, 기둥 형상부(22)와, 꼭대기부(23)를 포함하고, 기둥 형상부(22)는 캔틸레버(21)의 일단에, 외팔보식으로 지지되도록 형성되어 있고, 기둥 형상부(22)의 선단에 꼭대기부(23)가 형성되어 있다. 기둥 형상부(22)의 높이가 꼭대기부(23)의 높이보다도 높게 형성되며, 기둥 형상부(22)와 꼭대기부(23)의 높이가 폭에 비해 2배 이상이 되도록 선택되고 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100771458B1
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020057014663
申请日：2004-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01C9/06 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
Abstract: 본 발명은 경사도 센서(10)는 소정 물품의 기본 자세로부터의 경사 변위를 검출하는 경사도 센서에 있어서, 경사 변위를 검출하는 1축 또는 교차하는 2축의 검출축을 포함하는 검출면을 갖는 센서 칩을 구비하는 것을 목적으로 한다. 상기 센서 칩의 상기 검출면과 직교하는 축이 상기 기본 자세시의 상기 물품의 기준면과 평행하게 되도록 배치된다. 그리고 상기 센서 칩은 상기 기준면의 경사 변위에 따른 출력 신호를 얻는다.
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公开(公告)号：KR1020070050991A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020077008447
申请日：2005-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R3/00
Abstract: 프로브 니들(20)은 캔틸레버(21)와, 기둥 형상부(22)와, 꼭대기부(23)를 포함하고, 기둥 형상부(22)는 캔틸레버(21)의 일단에, 외팔보식으로 지지되도록 형성되어 있고, 기둥 형상부(22)의 선단에 꼭대기부(23)가 형성되어 있다. 기둥 형상부(22)의 높이가 꼭대기부(23)의 높이보다도 높게 형성되며, 기둥 형상부(22)와 꼭대기부(23)의 높이가 폭에 비해 2배 이상이 되도록 선택되고 있다.
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公开(公告)号：KR101571019B1
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020120029162
申请日：2012-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , B05D3/104 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67757
Abstract: 내부에기판이반입되는성막용기; 상기성막용기내에반입되어있는상기기판을가열하는가열기구; 상기성막용기내에밀착촉진제가스를공급하는밀착촉진제공급기구; 및상기가열기구와상기밀착촉진제공급기구를제어하는제어부; 를갖는성막장치. 산이무수물로이루어지는제1 원료가스와디아민으로이루어지는제2 원료가스를상기성막용기내에공급하여, 상기기판에폴리이미드막을성막하는경우에, 상기폴리이미드막을성막하기위한소정온도까지, 상기기판이가열되기까지의동안에, 상기밀착촉진제가스를상기성막용기내에공급하여, 상기기판의표면을상기밀착촉진제가스로처리하도록, 제어부는, 상기밀착촉진제공급기구를제어한다.
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公开(公告)号：KR1020150009961A
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020147029647
申请日：2013-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , B05D2490/50 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02359 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L21/205
Abstract: 성막 방법은, 피처리체를 수용하고, 진공화된 처리 용기 내에 산무수물로 이루어지는 제1 원료 가스와 디아민으로 이루어지는 제2 원료 가스를 공급하여, 피처리체의 표면에 고분자 박막으로 이루어지는 절연막을 형성하고, 계속해서, 상기 처리 용기 내로의 제2 원료 가스의 공급을 정지시킴과 함께 제1 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 계속해서 공급하여, 절연막을 개질시킴으로써 절연막에 배리어 기능을 갖게 한다
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公开(公告)号：KR101386944B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020127027452
申请日：2011-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , H01L21/312 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76898
Abstract: 절연막으로서 폴리이미드막 등의 유기막을 이용해도, 불활성 가스의 플라즈마의 조사에 의한 클리닝에 기인하는 절연막의 절연성의 저하를 회복할 수 있어, 리크(leak) 전류의 발생을 억제한 양질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기판에 한쪽의 면으로부터 다른 한쪽의 면에 형성된 전극까지 관통하는 홀을 형성하는 홀 형성 공정과, 홀 내에 유기 절연막을 형성하는 유기 절연막 형성 공정과, 홀 내의 측벽부의 유기 절연막을 남기고, 홀 내의 저부의 유기 절연막의 적어도 일부를 제거하여 전극에 관통시키는 공정과, 전극의 노출면을 불활성 가스의 플라즈마에 의해 클리닝하는 클리닝 공정과, 홀 내에 도체 금속을 충전하는 공정과, 산소 플라즈마를 작용시켜 유기 절연막의 표면층의 적어도 일부를 제거하는 공정과, 기판을 비산화성 분위기에서 열처리하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
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